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    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10200897A1

    公开(公告)日：2003-08-14

    申请号：DE10200897

    申请日：2002-01-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS

    IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  G03F7/38

    Abstract: A scintillating structure for aligning an electron or ion beam using a detector while exposing a wafer, which may be a wafer or mask, is described. The structure is formed by a resist including a polymer with carboxylic acid groups, anhydride groups, and an acid-sensitive group, for instance tert.-butylester; a photoreactive compound which releases an acid upon irradiation with UV light, electrons, or ions; a solvent; and at least one scintillating substance such as anthracene, naphthaline and/or 1,4-bis-(5-phenyl-2-oxazolyl)-benzol. After a developing and silylating step, the cross-linked structure is inert with respect to solvents of additional resists that are applied over the structure. The scintillating structure is thus not dissolved, which improves the quality of online controlled electron or ion beam writing.

    25.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE19958967A1

    公开(公告)日：2001-06-13

    申请号：DE19958967

    申请日：1999-12-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS ,  HIEN STEFAN ,  RICHTER ERNST ,  SEBALD MICHAEL

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075

    Abstract: The invention relates to a method for producing negative resist structures. According to the inventive method, a chemically reinforced resist is applied to a substrate, is dried, is exposed to light, X-rays, electron beams or ion beams, heated and developed by means of an aqueous-alkaline developer solution. The resist contains the following components: a polymer that is changed in polarity by virtue of an acting acid; a compound releasing an acid by means of a thermal treatment; a photoreactive compound producing a base when said compound is exposed to light, X-rays, electron beams or ion beams; a solvent; optionally one or more additives.

    Ultraschallwandler
    26.
    发明专利
    Ultraschallwandler 未知

    公开(公告)号：DE102022107944A1

    公开(公告)日：2023-10-05

    申请号：DE102022107944

    申请日：2022-04-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS ,  MERBELER FABIAN ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  EBERL MATTHIAS

    IPC: H04R1/00 ,  H03K17/96

    Abstract: Vorgeschlagen wird ein Ultraschallwandler (910) mit wenigstens einem Ultraschallwandlerelement, mit wenigstens einem Halbleiterchip (911), wobei der Halbleiterchip (911) das Ultraschallwandlerelement aufweist, mit wenigstens einem Gehäuse (912), wobei der Halbleiterchip (911) in dem Gehäuse (912) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (911) in einer formstabilen Einkapselung (913) eingebettet ist, wobei eine Kontaktfläche (914) der Einkapselung (913) zur akustischen Ankopplung des Ultraschallwandlers (910) an eine Verkleidung (920) eingerichtet ist. Vorgeschlagen wird weiter ein Ultraschallwandlersystem und ein Verfahren zum Anbringen des Ultraschallwandlers bzw. Ultraschallwandlersystems.

    Hochfrequenz-Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenz-Vorrichtungen
    27.
    发明专利
    Hochfrequenz-Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenz-Vorrichtungen 未知

    公开(公告)号：DE102021102228A1

    公开(公告)日：2022-08-04

    申请号：DE102021102228

    申请日：2021-02-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HARTNER WALTER ,  ELIAN KLAUS ,  ERDOEL TUNCAY ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  RIEDER BERNHARD ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01P1/06

    Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.

    Sensorvorrichtungen mit gasdurchlässigem Deckel und zugehörige Herstellungsverfahren
    28.
    发明专利
    Sensorvorrichtungen mit gasdurchlässigem Deckel und zugehörige Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102020110790B4

    公开(公告)日：2022-01-05

    申请号：DE102020110790

    申请日：2020-04-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  ELIAN KLAUS ,  THEUSS HORST

    IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

    Abstract: Sensorvorrichtung, umfassend:einen Sensorchip (2) mit einer MEMS-Struktur (8), wobei die MEMS-Struktur (8) bei einer Hauptfläche (4) des Sensorchips (2) angeordnet ist; undeinen über der Hauptfläche (4) des Sensorchips (2) angeordneten gasdurchlässigen Deckel (20), welcher die MEMS-Struktur (8) abdeckt und eine Kavität (22) über der MEMS-Struktur (8) ausbildet, wobei der gasdurchlässige Deckel (20) aus zumindest einem von einem Photolack, einem Polyimid oder einem Polybenzoxazol gefertigt ist;eine Umverdrahtungsschicht (26), welche elektrische Kontakte (12) des Sensorchips (2) mit peripheren Verbindungselementen (34) der Sensorvorrichtung elektrisch koppelt, wobei die Umverdrahtungsschicht (26) über der Hauptfläche (4) des Sensorchips (2) angeordnet ist, wobei entweder der gasdurchlässige Deckel (20) aus einem Teil der Umverdrahtungsschicht (26) gefertigt ist oder die Umverdrahtungsschicht lateral versetzt zu dem gasdurchlässigen Deckel (20) angeordnet ist.

    SEITLICH VORGESPANNTER STROMSENSOR MIT VERBESSERTEM DYNAMIKBEREICH
    30.
    发明专利
    SEITLICH VORGESPANNTER STROMSENSOR MIT VERBESSERTEM DYNAMIKBEREICH 未知

    公开(公告)号：DE102019200151A1

    公开(公告)日：2019-07-11

    申请号：DE102019200151

    申请日：2019-01-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS ,  SCHALLER RAINER MARKUS

    IPC: G01R15/20 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09

    Abstract: Ein Halbleiter-Package kann einen Sensorchip zum Messen einer Menge eines elektrischen Stroms in einem Strommedium aufweisen. Der Sensorchip kann ein erstes magnetisches Erfassungselement und ein zweites magnetisches Erfassungselement aufweisen. Das Halbleiter-Package kann einen Magneten aufweisen, der ein Magnetfeld erzeugt. Der Magnet kann in Bezug auf das erste magnetische Erfassungselement und das zweite magnetische Erfassungselement asymmetrisch angeordnet sein, so dass sich eine Stärke des Magnetfelds an dem ersten magnetischen Erfassungselement von einer Stärke des Magnetfelds an dem zweiten magnetischen Erfassungselement unterscheidet.

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