公开(公告)号：DE10358985B3

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：DE10358985

申请日：2003-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L23/28

Abstract: The semiconductor element has a semiconductor body (100) incorporating at least one pn-junction, the surface (101) of the semiconductor body provided with an amorphous passivation layer (70). The minimum boundary surface condition density at the interface between the semiconductor body and the passivation layer is greater than the breakdown charge divided by the band spacing of the semiconductor material.

公开(公告)号：DE102013102135B4

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102013102135

申请日：2013-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/316 ,  C03B5/235 ,  H01L21/762 ,  H01L29/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Bilden eines Hohlraums (302) in einer Arbeitsoberfläche (301) eines Substrats (300), in welchem ein Halbleiterelement (305) ausgebildet ist, wobei der Hohlraum (302) ein Gitter bildet, das sich längs Kerbbereichen des Substrats (300) erstreckt, und der Hohlraum (302) weiter als der Kerbbereich ist,Verbinden eines aus einem Glasmaterial (200a) gebildeten Glasstücks (200) mit dem Substrat (300) durch Glaspressen, wobei der Hohlraum (302) wenigstens teilweise mit dem Glasmaterial (200a) gefüllt wird,Dünnen des mit dem Glasstück verbundenen Substrats (300) von einer Rückseite, die einer durch die Arbeitsoberfläche (301) definierten Vorderseite gegenüber liegt, undTrennen des Substrats (300) längs der Kerbbereiche, um eine Vielzahl von Halbleiterplättchen oder Halbleiterchips aus dem Substrat (300) zu erhalten, wobei jedes Halbleiterplättchen einen Glasrahmen oder eine Glaskappe, die aus dem Glasstück hervorgehen, umfasst.

公开(公告)号：DE102015121100B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102015121100

申请日：2015-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100), der eine erste Oberfläche (101), ein Innengebiet (111) und ein Randgebiet (112) aufweist;einen pn-Übergang zwischen einem ersten Halbleitergebiet (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem zweiten Halbleitergebiet (21) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei sich der pn-Übergang in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) im Innengebiet (111) erstreckt;eine Aussparung (30), die sich in dem Randgebiet (112) von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, wobei die Aussparung (30) wenigstens eine erste Seitenwand (31) aufweist;ein Dielektrikum (40), das die Aussparung (30) füllt,wobei eine Dielektrizitätszahl in dem Dielektrikum (40) in der lateralen Richtung mit zunehmendem Abstand von der ersten Seitenwand (31) von einem Maximum zu einem Minimum abnimmt,wobei das Maximum der Dielektrizitätszahl aus einem Bereich zwischen 10 und 30 ausgewählt ist und das Minimum der Dielektrizitätszahl aus einem Bereich zwischen 2 und 5 ausgewählt ist.

公开(公告)号：DE102017130355A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017130355

申请日：2017-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  BARUSIC MARIO ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von Rekombinationszentrumsatomen in ein Halbleitersubstrat. Das Verfahren umfasst ferner ein Implantieren von Edelgasatomen in eine Dotierungsregion von zumindest einer von einer Diodenstruktur und einer Transistorstruktur nach dem Einbringen der Rekombinationszentrumsatome. Die Dotierungsregion ist an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet.

公开(公告)号：DE102015112265A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015112265

申请日：2015-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  MILLONIG HANS ,  HUMBEL OLIVER ,  BARUSIC MARIO ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  BAUER JOSEF-GEORG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren und ein Halbleiterbauelement. Das Verfahren umfasst das Implantieren von Rekombinationszentrumatomen über eine erste Oberfläche in einem Halbleiterkörper; und das Bewirken, dass die implantierten Rekombinationszentrumatome in einem ersten Diffusionsprozess in dem Halbleiterkörper diffundieren.

公开(公告)号：DE102015110439A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102015110439

申请日：2015-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/167 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen einkristallinen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102) parallel zu der ersten Oberfläche (101). Der Halbleiterkörper (100) enthält Chalkogenatome und eine Hintergrunddotierung von Pnictogen- und/oder Wasserstoffatomen. Eine Konzentration der Chalkogenatome ist wenigstens 1E12 cm–3. Ein Verhältnis der Chalkogenatome zu den Atomen der Hintergrunddotierung ist in einem Bereich von 1:9 bis 9:1.

公开(公告)号：DE102015108608A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：DE102015108608

申请日：2015-06-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  KÜNLE MATTHIAS ,  SCHMIDT GERHARD ,  SPORN MARTIN ,  STEINBRENNER JÜRGEN

IPC: H01L29/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C30B28/12 ,  C30B29/04

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterwafer umfassen: einen Halbleiterkörper, der eine integrierte Schaltungsstruktur umfasst; und zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht, die zumindest über oder in der integrierten Schaltungsstruktur ausgebildet ist, wobei die zumindest eine tetraedrische amorphe Kohlenstoffschicht einen Stoffmengenanteil von sp3-hybridisiertem Kohlenstoff von mehr als etwa 0,4 und einen Stoffmengenanteil von Wasserstoff von weniger als etwa 0,1 umfassen kann.

公开(公告)号：DE102013102135A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：DE102013102135

申请日：2013-03-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/471 ,  C03B5/235 ,  H01L21/762 ,  H01L29/02

Abstract: Ein Hohlraum (302) wird in einer Arbeitsfläche (301) eines Substrats (300) gebildet, in welchem ein Halbleiterelement (305) ausgeführt ist. Ein Glasstück (200), das aus einem Glasmaterial (200a) gebildet ist, wird mit dem Substrat (300) verbunden, und der Hohlraum (302) wird mit dem Glasmaterial (200a) gefüllt. Beispielsweise wird ein vorgemustertes Glasstück (200a) herangezogen, das einen Vorsprung (202) aufweist, der den Hohlraum (302) füllt. Hohlräume (302) mit Breiten von mehr als 10 Mikrometer werden rasch und zuverlässig gefüllt. Die Hohlräume (302) können geneigte Seitenwände haben.

公开(公告)号：DE102012107924A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012107924

申请日：2012-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/86 ,  G01K7/01 ,  H01L23/58 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat (110, 210) und eine amorphe halb-isolierende Schicht (130, 230) auf dem Halbleitersubstrat (110, 210).

公开(公告)号：DE102005046427B4

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：DE102005046427

申请日：2005-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUEB MICHAEL ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/775