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    MEMOIRE NON VOLATILE A ECRITURE RAPIDE
    21.
    发明专利
    MEMOIRE NON VOLATILE A ECRITURE RAPIDE 未知

    公开(公告)号：FR2915829A1

    公开(公告)日：2008-11-07

    申请号：FR0703153

    申请日：2007-05-02

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  CONTE ANTONINO

    IPC: G11C16/10 ,  G06K19/07

    Abstract: L'invention concerne un procédé d'écriture de données dans une mémoire non volatile (MA, XA) comportant des cellules mémoire devant être effacées avant d'être écrites. Le procédé comprend les étapes consistant à prévoir une zone mémoire principale non volatile (MA) comprenant des pages cibles, prévoir une zone mémoire auxiliaire non volatile (XA) comprenant des pages auxiliaires, prévoir une table de correspondance (VAM) pour associer à une adresse (RAD) de page cible invalide une adresse (XAD) de page auxiliaire valide, et, en réponse à une commande (CMD) d'écriture d'une donnée dans une page cible écrire la donnée ainsi que l'adresse de la page cible dans une première page auxiliaire effacée, invalider la page cible, et mettre à jour la table de correspondance.

    MEMOIRE NON VOLATILE A SECTEURS AUXILIAIRES TOURNANTS
    22.
    发明专利
    MEMOIRE NON VOLATILE A SECTEURS AUXILIAIRES TOURNANTS 未知

    公开(公告)号：FR2915828A1

    公开(公告)日：2008-11-07

    申请号：FR0703152

    申请日：2007-05-02

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  CONTE ANTONINO

    IPC: G11C16/10 ,  G06K19/07

    Abstract: L'invention concerne un procédé d'écriture de données dans une mémoire non volatile. Le procédé comprend les étapes consistant à prévoir, dans la mémoire, une zone mémoire principale (MA) non volatile comprenant des pages cible, une zone mémoire auxiliaire (XA) non volatile comprenant des pages auxiliaires, et, dans la zone mémoire auxiliaire : un secteur courant (CUR) comprenant des pages auxiliaires effacées utilisables pour écrire des données, un secteur de sauvegarde (ERM) comprenant des pages auxiliaires contenant des données rattachées à des pages cible à effacer ou en cours d'effacement, un secteur de transfert (CTM) comprenant des pages auxiliaires contenant des données à transférer dans des pages cible effacées, et un secteur indisponible (UNA) comprenant des pages auxiliaires à effacer ou en cours d'effacement. Application notamment aux mémoires Flash.

    Procédé de calcul convolutif intra-mémoire et circuit intégré correspondant
    24.
    发明专利
    Procédé de calcul convolutif intra-mémoire et circuit intégré correspondant 未知

    公开(公告)号：FR3113326B1

    公开(公告)日：2023-01-06

    申请号：FR2008327

    申请日：2020-08-06

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： CONTE ANTONINO ,  LA ROSA FRANCESCO

    IPC: G06N3/04 ,  G06F17/16

    Abstract: Le circuit intégré pour le calcul convolutif (CNVL) comprend une matrice (ARR) de points mémoires non volatils (MPTij) comprenant chacun une cellule mémoire résistive à changement de phase (PCMij) couplée à une ligne de bit (BLj), et un transistor bipolaire de sélection (BJTij) couplé en série à la cellule et ayant une borne de base reliée à une ligne de mot (WLi), un circuit convertisseur d’entrée (INCVRT) configuré pour recevoir et convertir des valeurs d’entrée (A1-A4) en signaux de tension (V1-V4) et pour appliquer successivement les signaux de tension (V1-V4) sur des lignes de bit sélectionnées (BL1-BL4) sur des intervalles de temps respectifs (t1-t4), et un circuit convertisseur de sortie (OUTCVRT) configuré pour intégrer sur les intervalles de temps successifs (t1-t4) les courants de lecture (IWL) résultant des signaux de tension (V1-V4) qui polarisent les cellules mémoires résistives à changement de phase respectives (PCMij) et circulant dans des lignes de mots sélectionnées, et pour convertir les courants de lecture intégrés (IWL) en valeurs de sortie (Bi). Figure de l’abrégé : Fig 4

    Procédé de calcul convolutif intra-mémoire et dispositif correspondant
    30.
    发明专利
    Procédé de calcul convolutif intra-mémoire et dispositif correspondant 未知

    公开(公告)号：FR3113327A1

    公开(公告)日：2022-02-11

    申请号：FR2008286

    申请日：2020-08-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  CONTE ANTONINO

    IPC: G06F17/16 ,  G06N3/04

    Abstract: Le procédé de calcul convolutif (CNVL) comprend le fait de programmer des transistors à grille flottante (FGT) appartenant à des cellules mémoire non volatile (NVM) pour les mettre à des tensions de seuil multiniveaux (MLTLVL) selon des facteurs de pondération (W11-Wnm) d’un opérateur matriciel convolutif (MTXOP). Le calcul comprend le fait d’exécuter une séquence de multiplication et accumulation (MACi) pendant une opération de lecture (SNS) de cellules mémoire (NVMij), le temps (T) écoulé pour que chaque cellule mémoire devienne conductrice en réponse à un signal de commande en rampe de tension (VRMP) fournissant la valeur de chaque produit de valeurs d’entrée (A1…An) par un facteur de pondération respectif (Wi1…Win), les valeurs des produits étant accumulées avec des valeurs de sortie correspondantes (Bi). Figure pour l’abrégé : Fig 3

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