公开(公告)号：EP2817819A2

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP13752284.3

申请日：2013-02-26

Applicant: Solexel, Inc.

Inventor： YONEHARA, Takao ,  RANA, Virendra, V. ,  SEUTTER, Sean ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  TAMILMANI, Subramanian

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

公开(公告)号：EP2645409A1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：EP11843493.5

申请日：2011-11-18

Applicant: Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K.

Inventor： OGASHIWA, Toshinori ,  KURITA, Masaaki ,  NISHIMORI, Takashi ,  KANEHIRA, Yukio

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2101/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

Abstract: The present invention provides a transfer substrate for transferring a metal wiring material to a transfer-receiving object, the transfer substrate comprising a substrate, at least one metal wiring material formed on the substrate and an underlying metal film formed between the substrate and the metal wiring material, wherein the metal wiring material is a molded article prepared by sintering, e.g., gold powder having a purity of 99.9% by weight or more and an average particle size of 0.01 µm to 1.0 µm and the underlying metal film is composed of a metal such as gold or an alloy. The transfer substrate is capable of transferring a metal wiring material to the transfer-receiving object even at a temperature for heating the transfer-receiving object of 80 to 300°C.

Abstract translation: 本发明提供了一转印衬底转移环的金属布线材料到转印接收对象，包括：基板上的转印用基板中，至少一个金属布线的材料形成的基材和对底层金属膜形成的基板和金属布线之间 材料，worin金属布线材料是通过烧结制备的模制品，例如，具有按重量计以上且上的0点01微米至1.0微米的平均粒径和底层金属电影的纯度99.9％的金粉末是由金属的 ：诸如金或合金制成。 转印基板能够传递环的金属布线材料到转印接收对象的甚至在温度为80转印接收对象加热至300℃

公开(公告)号：JP2016044978A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：JP2014166925

申请日：2014-08-19

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 田中 悟

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81C1/00357 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/058 ,  B81C2201/0194 ,  G01P2015/0831

Abstract: 【課題】小型化した場合であっても高感度である物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器および移動体を提供すること。 【解決手段】本発明に係る物理量センサー100は、基板10と、支持部40と、支持部40に連結部30、32を介して接続された可動部20と、可動部20と対向して基板10に配置される固定電極と、を有し、可動部20が第1質量部20aと、第1質量部20aよりも質量が小さい第2質量部20bと、第1質量部20aに配置された第1可動電極21と、第2質量部20bに配置された第2可動電極22と、を有し、固定電極は、第1固定電極50と、第2固定電極52とで構成され、可動部20の長手方向における、可動部20の長さをL、第2質量部20bの長さをL2としたとき、0.2≦L2/L≦0.48の関係を満足することを特徴とする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种物理量传感器，即使在较小的情况下也能保持高灵敏度，电子设备和具有物理量传感器的移动体。解决方案：根据本发明的物理量传感器100包括：基座 板10; 支撑部40; 连接部件30,32的支承部40的可动部20; 以及用于基板10的面对可动部20的固定电极，具有第一质量部分20a，质量小于第一质量部分20a的第二质量部分20b的第二质量部分20b的可移动部分20， 第一质量部分20a和第二质量部分20b中的第二可动电极22，固定电极由第一固定电极50和第二固定电极52形成，并且当0.2≤L2/L≤0.48的关系满足时 可动部20的长度方向的长度被定义为L，第二质量部20b的长度被定义为L2。图1

公开(公告)号：EP3207568A1

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：EP15886930.5

申请日：2015-04-01

Applicant: Goertek Inc.

Inventor： ZOU, Quanbo ,  WANG, Zhe

IPC: H01L25/16

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0127 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81

Abstract: A transfer method, manufacturing method, device and electronic apparatus of MEMS. The method for MEMS transfer, comprising: depositing a laser-absorbing layer on a first surface of a laser-transparent carrier; forming a MEMS structure on the laser-absorbing layer; attaching the MEMS structure to a receiver; and performing a laser lift-off from the side of the carrier, to remove the carrier. A transfer of high-quality MEMS structure can be achieved in a simple, low cost manner.

Abstract translation: MEMS的传输方法，制造方法，装置和电子设备。 该MEMS传输方法包括：在激光透明载体的第一表面上沉积激光吸收层; 在激光吸收层上形成MEMS结构; 将MEMS结构附接到接收器; 并且从载体侧执行激光剥离以去除载体。 可以以简单，低成本的方式实现高质量MEMS结构的转移。

公开(公告)号：EP2834840A4

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：EP13794179

申请日：2013-05-16

Applicant: LUXVUE TECHNOLOGY CORP

Inventor： GOLDA DARIUSZ ,  BIBL ANDREAS

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C99/0025 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/7598

公开(公告)号：EP2817819A4

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：EP13752284

申请日：2013-02-26

Applicant: SOLEXEL INC

Inventor： YONEHARA TAKAO ,  RANA VIRENDRA V ,  SEUTTER SEAN ,  MOSLEHI MEHRDAD M ,  TAMILMANI SUBRAMANIAN

IPC: H01L31/18 ,  B23K26/00 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

Abstract translation: 提供了方法和系统，用于使用激光照射从较厚的施主晶片分离和分离包含光学，光电，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的结晶半导体材料的层。

公开(公告)号：EP2700614B1

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：EP13168373.2

申请日：2013-05-17

Applicant: Honeywell International Inc.

Inventor： Supino, Ryan ,  Lodden, Grant H.

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00523 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0194

公开(公告)号：EP2834840A1

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：EP13794179.5

申请日：2013-05-16

Applicant: Luxvue Technology Corporation

Inventor： GOLDA, Dariusz ,  BIBL, Andreas

IPC: H01L21/677 ,  B81C1/00 ,  B65G49/07

CPC classification number: B81C99/0025 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/7598

Abstract: A micro device transfer head array and method of forming a micro device transfer array from an SOI substrate are described. In an embodiment, the micro device transfer head array includes a base substrate and a patterned silicon layer over the base substrate. The patterned silicon layer may include a silicon interconnect and an array of silicon electrodes electrically connected with the silicon interconnect. Each silicon electrode includes a mesa structure protruding above the silicon interconnect. A dielectric layer covers a top surface of each mesa structure.

公开(公告)号：EP2702004A2

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：EP12719509.7

申请日：2012-03-23

Applicant: Clean Energy Labs, LLC

Inventor： LACKOWSKI, William Martin ,  EVERETT, William Neil ,  PINKERTON, Joseph F.

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B82B3/0023 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/053 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/051 ,  G01L9/0042 ,  H01H1/0094

Abstract: The present invention relates to thin membranes (such as graphene windows) and methods of aligned transfer of such thin membranes to substrates. The present invention further relates to devices that include such thin membranes.

公开(公告)号：EP2339614A1

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：EP09180391.6

申请日：2009-12-22

Applicant: IMEC

Inventor： Phommahaxay, Alain ,  Bogaerts, Lieve ,  Buisson, Thibault ,  Van Cauwenberghe, Marc ,  Tutunjyan, Nina ,  Tilmans, Hendrikus ,  Iker, François ,  Joudain, Anne

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B81C1/00904 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2203/032 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/12 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention is related to a method for producing at least one semiconductor device, wherein a device wafer (1) is temporarily bonded to a support substrate (2), thinned and singulated to form separate dies (D1 to Dn). The dies, while remaining attached to the support substrate are then simultaneously attached to a target wafer (3), after which the support substrate (2) is removed. The above steps may be repeated to form stacks of dies. The target wafer is singulated to form said at least one device.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造至少一种半导体器件的方法，其中器件晶片（1）临时地结合到支撑衬底（2）上，被薄化并单切以形成分开的裸片（D1至Dn）。 然后将残留在支撑基板上的模具同时附接到目标晶片（3），然后移除支撑基板（2）。 可以重复上述步骤以形成模具堆叠。 将目标晶片分割成形成所述至少一个器件。