公开(公告)号：CN1778663A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510115008.3

申请日：2005-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张毓华 ,  陈斐筠 ,  曾健庭 ,  朱翁驹 ,  彭俊凯 ,  叶志杰 ,  柏竟衡 ,  何大椿

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。

公开(公告)号：CN108946656A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710377577.8

申请日：2017-05-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 魏国智 ,  陈翁宜 ,  李世伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0742 ,  G03F7/004 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14 ,  B81C1/00785

Abstract: 本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。

公开(公告)号：CN106082110B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610244599.2

申请日：2016-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  M·梅纳特 ,  F·X·米尔鲍尔 ,  D·波尔沃尔 ,  J·瓦格纳

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。

公开(公告)号：CN106920782A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610843672.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.安特 ,  M.安贝格尔

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: B81B3/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00309 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053 ,  H01L2224/27013 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L24/09

Abstract: 本发明建立了微电子的结构元件装置和用于微电子的结构元件装置的相应的制造方法。微电子的结构元件装置包括传感器，其中，所述传感器具有至少一个侦测面和至少一个带有彼此处于第一间距中的接触元件的区域。微电子的结构元件装置还包括带有安装面的载体，所述传感器借助至少局部地彼此处于第一间距中的接触元件紧固在载体上，并且所述侦测面具有相对于所述安装面的第二间距地对置于安装面。在此，接触元件通过使得机械稳定的材料润湿，并且所述至少一个带有所述接触元件的区域通过所述使得机械稳定的材料包封并且所述侦测面没有所述使得机械稳定的材料。

公开(公告)号：CN104053626B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201280063151.0

申请日：2012-10-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·洛萨 ,  R·佩祖托 ,  R·坎佩代利 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 ,  M·珀尔提 ,  L·埃斯波西托

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02178 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/0228

Abstract: 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤：通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。

公开(公告)号：CN106395730A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610004627.3

申请日：2016-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仪贤 ,  郑创仁 ,  沈维晟 ,  陈文健

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00301

Abstract: 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103935953B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410172235.9

申请日：2014-04-25

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 徐元俊 ,  颜毅林 ,  薛维佳

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN104340948A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410364783.1

申请日：2014-07-28

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 格扎维埃·白琳 ,  伯纳德·迪埃姆 ,  简-菲利普·波利齐 ,  安德烈·罗扎德

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0163 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及一种包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构。一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底和刚性地附接到所述基底上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖至少包括：一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成了所述腔的内壁，以及刚性地附接到所述第一材料层的至少所述表面上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层的所述表面并且具有气体吸收和/或吸附性能，并且其中，所述机械加强部分的第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。

公开(公告)号：CN103818872A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201310471850.5

申请日：2013-10-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.阿伦斯 ,  A.德赫 ,  B.克诺特 ,  S.平德尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00873 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/053 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。

公开(公告)号：CN1495293B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN03156788.6

申请日：2003-09-12

Applicant: 阿尔特拉公司

Inventor： 贝文·斯特普尔 ,  吉尔林·布里亚克

IPC: C23F1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。