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公开(公告)号：KR1020060085426A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：KR1020050006283
申请日：2005-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/0092 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B81B2201/058 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81C1/00047 , B81C1/00952 , B81C2201/0115
Abstract: 개시된 MEMS 구조체 제조방법은 캐비티가 형성될 영역을 취하여 기판의 상부를 다공층으로 형성하고, 이후, 다공층의 하부에 위치하는 기판을 소정 두께로 식각하여 캐비티를 형성하고, 캐비티를 실링하도록 기판의 상면에 멤브레인층을 형성하고, 멤브레인층의 상부에 구조체를 형성하는 것을 포함한다. 상술한 구성을 기초로 하여 멤브레인층상에 외팔보구조체를 형성한 후 멤브레인층을 식각하면, 외팔보구조체가 캐비티상에 부유 하는 형태로 제조 가능하다. 이때, 멤브레인층을 증착하지 않고 다공층상에 직접 외팔보구조체를 형성할 수 있다. 또한, 상술한 구성을 통해 다공층 및 멤브레인층상에 적어도 하나의 인렛홀과 적어도 하나의 아웃렛홀을 형성하여 밀봉된 유체채널을 형성할 수도 있다.
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公开(公告)号：KR101919417B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020120012533
申请日：2012-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J25/34 , B81B2201/0271 , B81C1/00063 , B81C1/00619 , B81C2201/019 , H01J25/40 , H01J25/48
Abstract: 다중터널을갖는전자기파발진기및 상기전자기파발진기를포함하는전자기파발생장치, 특히테라헤르츠대역의전자기파를발진시키기위한전자기파발진기및 상기전자기파발진기를포함하는전자기파발생장치가개시된다. 개시된전자기파발진기는, 접힌구조를가지며전자기파가진행하는도파관, 상기접힌도파관을축 방향으로관통하며전자빔이지나가는전자빔터널, 및전자빔터널주위에형성된것으로축 방향으로도파관을관통하는적어도하나의보조터널;을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170073495A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020160170201
申请日：2016-12-14
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81B2203/0315 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L21/561 , H01L23/10 , H01L23/3114
Abstract: 본발명의일 실시예에따른웨이퍼레벨패키지는내부의중공에회로소자가구비되는웨이퍼부재, 상기웨이퍼부재의내부면에구비되어, 상기회로소자가구비되는소자섹션을감싸게제공되는소자밀폐벽부재및 상기소자밀폐벽부재의외벽면에구비되어, 복수개의상기소자섹션사이의공간인간극섹션을밀폐하게제공되는간극밀폐벽부재를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的晶片级封装包括其中具有电路元件的晶片部件，设置在晶片部件的内表面上并且设置成封闭包括电路元件的元件部分的器件密封壁部件， 并且，在上述元件密封壁部件的外壁面上设置间隙密封壁部件，该间隙密封壁部件在上述多个元件部之间的间隙形成间隙部。
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公开(公告)号：KR1020170030566A
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020177003249
申请日：2015-07-07
Applicant: 더블유.엘. 고어 앤드 어소시에이트스, 인코포레이티드
Inventor： 홀리데이앤드류제이.
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0257 , B81B2201/0271 , B81C1/00285 , H04R1/023 , H04R1/086 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 마이크로전자기계시스템을위한보호커버및 관련방법으로서, 상기시스템은초음파변환기를갖고, 상기보호커버는변환기에인접하게있고 3g/sm 이하의질량/면적비를갖는다.
Abstract translation: 一种用于微机电系统的保护盖和相关方法，该系统具有超声换能器，该保护盖与换能器相邻并具有小于或等于3g / cm的质量/面积比。
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公开(公告)号：KR1020150031244A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：KR1020147036187
申请日：2013-06-28
Applicant: 인텔 아이피 코포레이션
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , B81B7/02 , H01L25/18 , H01L2924/1461
Abstract: 실시예들에서, 패키지 어셈블리는 활성면 및 비활성면을 구비하는 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 및 주문형 집적 회로(ASIC)를 포함할 수 있다. 실시예들에서, MEMS는 하나 이상의 인터커넥트를 거쳐 ASIC에 직접 연결될 수 있다. MEMS, ASIC, 및 하나 이상의 인터커넥트는 캐비티를 정의하거나 형성함으로써 MEMS의 활성면 일부가 캐비티 내에 존재한다. 일부 실시예들에서, 패키지 어셈블리는 복수의 하나 이상의 인터커넥트를 거쳐 ASIC에 직접 연결된 복수의 MEMS를 포함할 수 있다. 다른 실시예들이 설명되고/되거나 특허청구될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101391290B1
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120151757
申请日：2012-12-24
Applicant: 주식회사 디비하이텍
Inventor： 방기완
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L24/11 , B81B2201/018 , B81B2201/0271 , B81B2203/033 , B81C1/00182 , G01B11/14 , H01H1/16 , H01H35/02 , H01H35/142 , H01L24/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/0001
Abstract: An embodiment comprises a step of forming a lower electrode pattern on a substrate; a step of forming an etch-stop layer on the lower electrode pattern; a step of forming a first interlayer insulating layer on the etch-stop layer; a step of forming an upper electrode pattern on the first interlayer insulating layer; a step of forming a second interlayer insulating layer on the upper electrode pattern; a step of forming an etch-blocking layer disposed between the lower electrode pattern and the upper electrode pattern by passing through the second interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer; a step of forming a cavity which exposes the side of the etch-blocking layer by etching the second interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer; and a step of forming a contact ball within the cavity.
Abstract translation: 实施例包括在基板上形成下电极图案的步骤; 在所述下电极图案上形成蚀刻停止层的步骤; 在所述蚀刻停止层上形成第一层间绝缘层的步骤; 在所述第一层间绝缘层上形成上电极图案的步骤; 在上部电极图案上形成第二层间绝缘层的工序; 通过穿过第二层间绝缘层和第一层间绝缘层形成设置在下电极图案和上电极图案之间的蚀刻阻挡层的步骤; 形成通过蚀刻所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层而暴露所述蚀刻阻挡层的侧面的空腔的步骤; 以及在腔内形成接触球的步骤。
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公开(公告)号：KR101239636B1
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110032913
申请日：2011-04-08
Applicant: 국방과학연구소
CPC classification number: H03H3/0072 , B81B2201/0271 , B81C1/00682 , G01C19/5783 , H03H9/02338 , H03H9/2457 , Y10T29/49117
Abstract: 본 발명은 MEMS 공진기, 이를 구비하는 센서 및 MEMS 공진기의 제조방법에 관한 것으로, 상기 MEMS 공진기는, 일면에서 리세스되는 리세스부를 구비하는 MEMS 공진기의 베이스 기판과, 상기 리세스부의 빈공간을 이용하여 진동하도록 상기 베이스 기판에 장착되고 적어도 일부가 상기 리세스부와 중첩되도록 배치되는 진동자, 및 상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록 상기 진동자와 베이스 기판에 각각 연결되는 와이어를 포함한다. 이에 의하여 공진기의 고유주파수가 용이하게 조정될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101037327B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020040042251
申请日：2004-06-09
Applicant: 소니 주식회사
Inventor： 야마모토유이치
CPC classification number: B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
Abstract: 공간을 사이에 두고 제 1 및 제 2 전극이 설치된 마이크로머신의 제조방법에서는, 기판 상에 제 1 전극을 형성하고, 그 표면상에 스토퍼막을 형성한다. 다음에, 그 스토퍼막을 피복하도록 제 2 절연막을 형성한다. 제 2 절연막의 두께는, 제 1 전극과 스토퍼막의 총 두께보다 두껍다. 그리고, 제 2 절연막을 연마한다. 이 연마를 함으로써, 그 스토퍼막을 외측에 노출하여 평탄화한다. 그 스토퍼막 내에 개구부를 형성한 후, 그 개구부에 희생막을 매립한다. 희생막 표면과 제 2 절연막 표면을 평탄화하고, 제 2 절연막 상에 희생막을 가로지르는 제 2 전극을 형성한다. 희생막을 제거하여 제 1 전극과 제 2 전극과의 사이에 공간을 형성한다.
마이크로머신 제조방법, 전극, 희생막, 개구부, 스토퍼막-
公开(公告)号：KR1020090081218A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080007186
申请日：2008-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/49 , H01L29/78 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: A resonance complex utilizing the wire of a resonant tunneling transistor and a resonance complex manufacturing method are provided to be easily usable in the various low power communications systems. A resonance complex comprises a first terminal(110), a second terminal(120), a wiring unit(130), a third terminal(150), and a potential barrier unit(140). The second terminal is faced with the first terminal. The wiring unit connects the first terminal and the second terminal interval. The wiring unit is resonated to the third terminal. The potential barrier unit is formed on the wiring unit. The potential barrier unit provides the negative resistance component.
Abstract translation: 提供了利用谐振隧道晶体管的导线和谐振复合体制造方法的谐振复合体，可以容易地用于各种低功率通信系统。 共振复合体包括第一端子（110），第二端子（120），布线单元（130），第三端子（150）和势垒单元（140）。 第二个终端面临第一个终端。 接线单元连接第一端子和第二端子间隔。 接线单元与第三端子谐振。 势垒单元形成在布线单元上。 势垒单元提供负电阻分量。
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公开(公告)号：KR1020080022043A
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020070086571
申请日：2007-08-28
Applicant: 소니 주식회사
IPC: H01L29/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0271 , B81C2203/0145
Abstract: A functional device, a semiconductor device, and an electronic device are provided to prevent a filling material from reaching a functional portion when an aperture is sealed by using a film, since a wall is formed between the functional portion and the aperture. A functional device includes a substrate(10), at least one functional portion formed on a surface of the substrate, and a sealing layer(12) forming a space around the functional portion and having at least one aperture(15) which is sealed with a filling material. At least one wall(13) is formed between the functional portion and the aperture without separating the space. The functional portion is arranged in a space in which a straight line penetrating the aperture but not penetrating the sealing layer and the wall does not traverse.
Abstract translation: 提供功能器件，半导体器件和电子器件，以防止当通过使用膜密封孔时，填充材料到达功能部分，因为在功能部分和孔之间形成壁。 功能元件包括基板（10），形成在基板的表面上的至少一个功能部分和密封层（12），该密封层（12）在功能部分周围形成空间，并具有至少一个孔（15），密封层 填充材料。 在功能部分和孔之间形成至少一个壁（13），而不分离空间。 功能部分布置在其中穿过孔的直线但不穿透密封层并且壁不穿过的空间中。
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