公开(公告)号：KR101375787B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020130025094

申请日：2013-03-08

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 전성우 ,  배학열 ,  홍의연 ,  김대환 ,  김동명

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L29/78693

Abstract: Disclosed are a method for extracting the state density in a band gap of an amorphous oxide semiconductor thin film transistor, and a device therefor. The method for extracting the state density in a band gap of an amorphous oxide semiconductor thin film transistor according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: measuring capacitance and conductance according to gate voltage relative to predetermined frequencies; calculating local capacitance formed by a local trap in a channel based on the measured capacitance and conductance; and extracting the state density in the band gap based on the calculated local capacitance. When the local capacitance is calculated, channel conductance formed at the channel is calculated using the measured capacitance and conductance. As the local capacitance is calculated based on the calculated channel conductance, entire state density in the band gap can be simply and rapidly extracted using only experimentally measured data without iteration procedures and complicated calculation. And local capacitance and free electrons capacitance can be separated quantitatively according to the gate voltage. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S210) Measuring conductance and capacitance according to gate voltage relative to multiple frequencies; (S220) Calculating channel conductance formed at a channel by using the measured capacitance and conductance; (S230) Calculating local capacitance (C_loc) formed by a local trap in the channel based on the calculated channel conductance; (S240) Extracting state density in a band gap based on the calculated local capacitance

Abstract translation: 公开了一种用于提取非晶氧化物半导体薄膜晶体管的带隙中的状态密度的方法及其装置。 根据本发明实施例的用于提取非晶氧化物半导体薄膜晶体管的带隙中的状态密度的方法包括以下步骤：根据预定频率的栅极电压测量电容和电导; 基于测量的电容和电导计算由通道中的局部陷阱形成的局部电容; 并根据所计算的局部电容提取带隙中的状态密度。 当计算局部电容时，使用测量的电容和电导计算在通道处形成的沟道电导。 由于局部电容是根据计算出的通道电导计算的，所以可以使用实验测量数据，无需迭代程序和复杂的计算，即可简单快速地提取带隙中的整体状态密度。 局部电容和自由电子电容可根据栅极电压定量分离。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S210）根据多个频率的栅极电压测量电导率和电容值; （S220）通过使用测量的电容和电导计算在通道处形成的通道电导; （S230）基于所计算的通道电导计算由通道中的局部陷阱形成的局部电容（C_loc）; （S240）基于计算的局部电容提取带隙中的状态密度

公开(公告)号：KR101375784B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020130025150

申请日：2013-03-08

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 홍의연 ,  배학열 ,  김대환 ,  김동명

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/30 ,  H01L29/7869

Abstract: A method for extracting state density inside a band gap of a metal oxide semiconductor field effect transistor using an optical differential body factor and a device thereof are disclosed. The method for extracting the state density inside a band gap of a metal oxide semiconductor field effect transistor according to an embodiment of the present invention includes the steps of: measuring the drain current of a darkroom according to the gate voltage of the metal oxide semiconductor field effect transistor in the darkroom and measuring optical response drain current according to the gate voltage of the metal oxide semiconductor field effect transistor by irradiating the light of a predetermined light source; calculating a darkroom body factor according to the gate voltage using the measured darkroom drain current and calculating an optical response body factor according to the gate voltage using the measured optical response drain current; and extracting the state density inside a band gap of a metal oxide semiconductor field effect transistor based on the calculated darkroom body factor and the optical response body factor. The state density in an independent band of a threshold voltage gap can be extracted without omitting a complicated measurement process and the state density inside the band gap can be simply and rapidly extracted. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S410) Measuring darkroom drain current according to gate voltage in a darkroom; (S420) Measuring optical response drain current according to gate voltage by radiating the light of a light source; (S430) Calculating a darkroom body factor using the darkroom drain current; (S440) Calculating the optical response body factor using the optical response drain current; (S450) Extracting the state density in the band gap based on the differentiation of the darkroom body factor and the optical response body factor

Abstract translation: 公开了一种使用光学差分体因子及其装置提取金属氧化物半导体场效应晶体管的带隙内的状态密度的方法。 根据本发明实施例的用于提取金属氧化物半导体场效应晶体管的带隙内的状态密度的方法包括以下步骤：根据金属氧化物半导体场的栅极电压测量暗室的漏极电流 并且通过照射预定光源的光来测量根据金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电压的光响应漏极电流; 使用测量的暗室漏极电流根据栅极电压计算暗室体因子，并使用测量的光响应漏极电流根据栅极电压计算光响应体系因子; 并且基于计算出的暗室体因子和光响应体因子，提取金属氧化物半导体场效应晶体管的带隙内的状态密度。 可以提取阈值电压间隙的独立频带中的状态密度而不省略复杂的测量过程，并且可以简单且快速地提取带隙内的状态密度。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S410）根据暗室中的栅极电压测量暗室漏极电流; （S420）通过照射光源来测量根据栅极电压的光学响应漏极电流; （S430）使用暗室漏极电流计算暗室体系因子; （S440）使用光学响应漏极电流计算光学响应体因子; （S450）基于暗房体因子和光学响应体因子的差异提取带隙中的状态密度

公开(公告)号：KR101131942B1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：KR1020100059606

申请日：2010-06-23

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김대환 ,  정인영

IPC: G01N33/48 ,  G01N27/02 ,  G01N21/00 ,  G01N7/00

Abstract: 본 발명은 바이오칩 및 이를 이용한 생화학적 분석시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 타겟분자를 검출하는 검지단위(또는 프로브)가 전도성 물질 상에 배열되는 바이오칩 및 이를 이용한 생화학적 분석시스템에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명의 일실시예에 따른 바이오칩은 전도성 물질의 표면에 형성된 검지단위와, 측정 대상으로부터 제공되는 타겟단위 간의 상호 반응에 따라 상기 전도성 물질의 전기 전도도가 변화하는 바이오센서; 상기 바이오센서와 함께 집적되며, 상기 측정 대상과 관련된 환경변수에 따라 변화하는 출력 값을 제공하는 환경변수센서; 및 상기 바이오센서 및 환경변수센서가 배치되는 기판; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 온도, 압력, 빛의 밝기, 유체의 점성도 등 타겟분자와 검지단위 간의 반응에 영향을 줄 수 있는 인자를 고려하여, 보다 정확하게 타겟분자의 농도를 측정할 수 있고, 타겟분자와 유사한 반응을 나타내는 유사 타겟분자와 타겟분자를 식별할 수 있다. 또, 하나의 바이오칩을 이용하여 타겟분자의 넓은 범위의 농도에 대응할 수 있는 동시에 한번의 측정으로 상기 타겟분자의 농도를 정밀하게 파악하고, 온도, 압력, 빛의 밝기, 유체의 점성도 등 외부 인자를 함께 고려하여 상기 타겟분자에 대한 상세한 정보를 얻을 수 있다. 또한, 단순히 물질의 검출에 의해서는 자세히 알 수 없는 물질의 정보까지 얻을 수 있으므로, 종래보다 측정할 수 있는 물질의 종류를 더욱 확대할 수 있다. 그 결과 분석결과의 신뢰성을 확보할 수 있고, 분석 효율이 향상되며, 실험에 대한 사용상의 신뢰도 및 만족도를 극대화할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101126981B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020110077904

申请日：2011-08-04

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 배학열 ,  허인석 ,  김동명 ,  김대환

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L29/78663

Abstract: PURPOSE: A method for extracting a parasitic serial resistance element of an amorphous thin film transistor is provided to separate and extract various resistance elements by using structural parameters of a TFT, a current-voltage property, and a capacitance-voltage property. CONSTITUTION: A capacitance between a gate and a source of an amorphous thin film transistor and a capacitance between the gate and a drain thereof are measured(S210). A vertical resistance element is extracted among parasitic serial resistance elements(S220). Each contact resistant element and each bulk resistance element are separated and extracted(S230). A current between the drain and the source of the amorphous thin film transistor is measured(S240). A serial resistance value is extracted based on the current between the drain and the source(S250). A horizontal resistance element is extracted among the parasitic serial resistance element(S260). A transmission resistance element and a channel resistance element are separated and extracted from the horizontal resistance element(S270).

Abstract translation: 目的：提供一种用于提取非晶薄膜晶体管的寄生串联电阻元件的方法，通过使用TFT的结构参数，电流 - 电压特性和电容 - 电压特性来分离和提取各种电阻元件。 结构：测量非晶薄膜晶体管的栅极和源极之间的电容以及栅极和漏极之间的电容（S210）。 在寄生串联电阻元件中提取垂直电阻元件（S220）。 每个接触电阻元件和每个体电阻元件被分离和提取（S230）。 测量非晶薄膜晶体管的漏极和源极之间的电流（S240）。 基于漏极和源极之间的电流提取串联电阻值（S250）。 在寄生串联电阻元件中提取水平电阻元件（S260）。 从水平电阻元件分离并提取传输电阻元件和沟道电阻元件（S270）。

公开(公告)号：KR102077123B1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：KR1020180005782

申请日：2018-01-16

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  김동명 ,  김대환 ,  이용우 ,  윤진수 ,  최봉식 ,  이희성 ,  한정민 ,  박진희 ,  김예민

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR101978564B1

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：KR1020170101273

申请日：2017-08-09

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  김동명 ,  김대환 ,  윤진수 ,  최봉식 ,  전민수 ,  이용우 ,  한정민 ,  이지은 ,  김예민 ,  박진희

IPC: H01L41/27 ,  G01L1/00 ,  B33Y80/00 ,  C09D183/04

公开(公告)号：KR101621689B1

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：KR1020140001460

申请日：2014-01-06

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김대환 ,  김동명 ,  이지은

IPC: G01N27/416 ,  G01N27/327 ,  G01N27/414

Abstract: 본발명은디지털화신호처리부가집적된바이오센서및 감지방법에관한것으로, 보다상세하게는하향식(top-down approach) 제조공정을이용하여디지털화(Digitizer) 신호처리부와상호보완적인(Complementary) 바이오센서가집적된바이오센서및 바이오물질감지방법에관한것이다. 본발명에서는반도체특성을가지는나노소자의게이트전압에대한바이오물질과수용체(receptor)의반응에따른감지신호를생성하여상태변수에따라디지털화된비트(digitized bit)의테이블을측정하고, 측정된디지털레벨각각을저장하여바이오물질의감지속도를높이고, 민감도를높이는것을목적으로한다.

公开(公告)号：KR1020150081713A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020140001468

申请日：2014-01-06

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김대환 ,  김동명 ,  이지은

IPC: G01N27/416 ,  G01N27/403

CPC classification number: G01N27/416 ,  G01N27/403

Abstract: 본발명은디지털화기법을이용한바이오물질감지시스템및 감지장치에관한것으로, 보다상세하게는상호보완적인(Complementary) 반도체소자로이루어진바이오센서로부터수신신호를수신하여디지털화신호처리부(Digitizer)에서타겟물질의상태변수를결정하는바이오물질감지시스템및 감지장치에관한것이다. 본발명에서는반도체특성을가지는나노소자의바이어스조건에대한바이오물질과수용체(receptor)의반응에따른감지신호의노이즈가제거된수신신호를수신하여상태변수에따라디지털화된비트(digitizer bit)의테이블을측정하고, 측정된디지털레벨각각을저장하여바이오물질의검출속도를높이고, 민감도를높이는것을목적으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用数字化方法的生物材料感测系统和感测装置，更具体地说，涉及一种生物材料感测系统，通过从数字化信号处理部分中接收一个接收信号来确定数字化信号处理部分中的目标材料的状态变量 包括互补半导体器件的生物传感器和感测装置。 本发明能够根据状态变量通过接收没有感测信号的噪声的接收信号，根据接收器和生物材料与纳米元件的偏置条件的反应来测量数字化位的表格 具有半导体特性，并且通过存储每个测量的数字电平来增加生物材料的灵敏度和感测速度。

公开(公告)号：KR101483716B1

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020130164850

申请日：2013-12-27

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김대환 ,  김동명 ,  이재욱 ,  장재만

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L51/0512

Abstract: 광 응답 특성을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 과잉 캐리어 수명 추출 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 과잉 캐리어 수명 추출 방법은 암실에서 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 제1 드레인 전류를 측정하는 단계; 상기 유기 박막 트랜지스터에 미리 결정된 파장의 광을 조사하여 게이트 전압에 따른 제2 드레인 전류를 측정하는 단계; 상기 광을 오프시킨 후 상기 광의 오프 시간을 기준으로 상기 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 제3 드레인 전류를 경과 시간별로 측정하는 단계; 상기 제1 드레인 전류 내지 상기 제3 드레인 전류에 기초하여 상기 유기 박막 트랜지스터의 상기 경과 시간별 문턱 전압(threshold voltage)의 차이를 계산하는 단계; 및 상기 계산된 상기 경과 시간별 상기 문턱 전압의 차이에 기초하여 상기 유기 박막 트랜지스터에 대한 복수의 과잉 캐리어 수명들을 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 通过使用根据本发明的实施例的光学响应特性来提取有机薄膜晶体管的过剩载流子寿命的方法包括以下步骤：根据有机薄膜晶体管的栅极电压测量第一漏极电流 在暗室里 通过在暗室中向有机薄膜晶体管照射具有预定波长的光，根据栅极电压测量第二漏极电流; 根据有机薄膜晶体管的栅极电压，在经过的时间段之后，基于光关闭后的光的关闭时间来测量第三漏极电流; 基于所述第一至第三漏极电流计算所述有机薄膜晶体管的每个经过时间的阈值电压之间的差异; 以及基于计算出的每个经过时间的阈值电压之间的差异来提取有机薄膜晶体管的多个剩余载流子寿命。

公开(公告)号：KR1020130056969A

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020110122644

申请日：2011-11-23

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 고태준 ,  박윤 ,  김대환 ,  조명래

IPC: G01L11/00 ,  G01L9/00 ,  B81B7/00

Abstract: PURPOSE: A pressure sensor based on a micro-oscillator device using a thermal effect and a pressure measuring method using the same are provided to obtain a subminiature pressure sensor of a micrometer size. CONSTITUTION: A pressure sensor based on a micro-oscillator device using a thermal effect comprises an oscillator of a cantilever beam structure and a piezoelectric element. The oscillator of the cantilever beam structure is composed of a silicon substrate(11), silicon nitride layers(12), and an aluminum layer(130). The silicon nitride layers are deposited on the both surface of the silicon substrate. The aluminum layer is deposited on a doubly-clamped beam isolated by an etching process from a photo-lithography in the silicon nitride layer. The piezoelectric element oscillates the oscillator by electric signals.

Abstract translation: 目的：提供一种基于使用热效应的微振荡器装置和使用其的压力测量方法的压力传感器，以获得微米尺寸的超小型压力传感器。 构成：基于使用热效应的微振荡器装置的压力传感器包括悬臂梁结构的振荡器和压电元件。 悬臂梁结构的振荡器由硅衬底（11），氮化硅层（12）和铝层（130）组成。 氮化硅层沉积在硅衬底的两个表面上。 铝层沉积在通过蚀刻工艺从氮化硅层中的光刻法隔离的双夹紧光束上。 压电元件通过电信号振荡振荡器。