中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

55 records (took 0.032 seconds)

    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치
    32.
    发明公开
    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
    非晶硅膜形成方法和非晶硅膜形成装置

    公开(公告)号：KR1020140085407A

    公开(公告)日：2014-07-07

    申请号：KR1020140072197

    申请日：2014-06-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

    IPC: H01L21/312 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

    Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved and progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like can be handled. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and applying aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，可以进一步提高表面粗糙度的精度，并且可以处理接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将基于氨基硅烷的气体施加到加热的基板（2）上而在基板（2）的表面上形成种子层（3）。 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的籽晶层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。

    실리콘막의 형성 방법 및 그의 형성 장치
    33.
    发明公开
    실리콘막의 형성 방법 및 그의 형성 장치 有权
    用于形成硅膜的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020130133672A

    公开(公告)日：2013-12-09

    申请号：KR1020130058189

    申请日：2013-05-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

    IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

    Abstract: Provided are a method for forming a silicon film and a device thereof capable of preventing the generation of void generation or seam generation. The method for forming the silicon film comprises a first evaporation process, an etching process, a doping process, and a second evaporation process. The first evaporation process evaporates a silicon film which an impurity including boron is doped to fill a groove of a processed object. The etching process etches the silicon film which is evaporated in the first evaporation process. The doping process dopes the silicon film which is etched in the etching process with the impurity including the boron. The second evaporation process evaporates the silicon film which the impurity is doped in order to fill the silicon film which is doped in the doping process. [Reference numerals] (AA) Temperature (°C);(BB) Pressure (Pa);(CC) Load process;(DD) Stabilization process;(EE) First evaporation process;(FF,II) Purge/stabilization process;(GG) Etching process;(HH) Doping process;(JJ) Second evaporation process;(KK) Purge process;(LL) Unload process

    Abstract translation: 提供一种形成硅膜的方法及其能够防止产生空隙产生或缝合产生的装置。 形成硅膜的方法包括第一蒸发工艺，蚀刻工艺，掺杂工艺和第二蒸发工艺。 第一蒸发过程蒸发掺杂包括硼的杂质以填充被处理物体的凹槽的硅膜。 蚀刻工艺蚀刻在第一蒸发过程中蒸发的硅膜。 掺杂工艺将包含硼的杂质在蚀刻工艺中被蚀刻的硅膜掺杂。 第二蒸发过程蒸发掺杂杂质的硅膜，以填充在掺杂过程中掺杂的硅膜。 （AA）温度（℃）;（BB）压力（Pa）;（CC）负载过程;（DD）稳定过程;（EE）第一蒸发过程;（FF，II）清洗/稳定过程; （GG）蚀刻过程;（HH）掺杂过程;（JJ）第二次蒸发过程;（KK）吹扫过程;（LL）卸载过程

    성막 장치
    36.
    发明公开
    성막 장치 有权
    胶片形成装置

    公开(公告)号：KR1020120047806A

    公开(公告)日：2012-05-14

    申请号：KR1020110110885

    申请日：2011-10-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  고모리카츠히코 ,  하세베카즈히데

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

    Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to easily form a silicon film on a seed layer by supplying silane gas which does not include an amino group within a process chamber and to improve throughput. CONSTITUTION: A process chamber(101) accepts a processed body. An insulating layer having an aperture is formed in the process chamber. An inactive gas supply source(115) supplies the inactive gas. A silane gas supply source(121) supplies silane gas which does not include an amino group. An amino-silane group gas source(122) supplies amino-silane group gas. A seed layer is formed on the surface of the insulating layer having the aperture and the surface of the bottom of the aperture by supplying the amino-silane group gas to the inner side of the process chamber.

    Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过在处理室内供给不含氨基的硅烷气体，提高生产能力，在籽晶层上容易地形成硅膜。 构成：处理室（101）接受处理体。 在处理室中形成具有孔的绝缘层。 非活性气体供应源（115）供应惰性气体。 硅烷气体供给源（121）供给不包含氨基的硅烷气体。 氨基硅烷基气体源（122）供应氨基硅烷基气体。 通过将氨基硅烷基气体供给到处理室的内侧，在具有孔径和孔底部表面的绝缘层的表面上形成晶种层。

    처리 장치
    37.
    发明公开
    처리 장치 失效
    加工设备

    公开(公告)号：KR1020080098687A

    公开(公告)日：2008-11-11

    申请号：KR1020087024299

    申请日：2007-04-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

    CPC classification number: C23C16/4404

    Abstract: A processing apparatus is provided for performing prescribed process to a subject to be processed in a processing chamber which can be vacuumized, especially for performing high-k dielectric films of HfO, HfSiO, ZrO, ZrSiO, PZT, BST and the like. A film adhesion preventing layer composed of an SAM (self assembled monolayer) is arranged on the surface of the constituting member of the processing chamber to be exposed to the processing atmosphere in the processing chamber, for instance, on the inner wall surface of the processing chamber. Thus, on the surface of the constituting member, an unnecessary film difficult to be removed by dry cleaning is prevented from being deposited, and cleaning frequency of the processing apparatus can be remarkably reduced.

    Abstract translation: 提供一种处理装置，用于对要被真空化的处理室中的待处理对象执行规定处理，特别是用于执行HfO，HfSiO，ZrO，ZrSiO，PZT，BST等的高k电介质膜。 在处理室的构成部件的表面上配置有由SAM（自组装单层）构成的膜附着防止层，以暴露于处理室中的处理气氛，例如处理室的内壁面 室。 因此，在构成构件的表面上，防止难以通过干洗除去的不需要的膜被沉积，并且可以显着地减少处理装置的清洁频率。

    샤워 헤드 구조를 이용한 처리 장치 및 처리 방법
    39.
    发明授权
    샤워 헤드 구조를 이용한 처리 장치 및 처리 방법 失效
    使用淋浴头结构和加工方法的加工设备

    公开(公告)号：KR100584191B1

    公开(公告)日：2006-05-29

    申请号：KR1020047016739

    申请日：2003-04-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  오시모겐타로 ,  마츠도마사히코

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45502 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/67017

    Abstract: 본 발명에 의한 처리 장치는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 천장부에 설치되고, 상기 처리 용기의 내부측에 면하는 가스 분사면에 소정의 처리 가스를 상기 처리 용기내로 분출하는 복수의 가스 분사 구멍이 형성된 샤워 헤드 구조와, 상기 처리 용기내에 있어서 상기 샤워 헤드 구조에 대향하도록 배치된 탑재대를 구비한다. 상기 가스 분사면과 상기 탑재대 사이의 헤드 거리와 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가, 상기 헤드 거리를 가로축으로 하고 상기 가스 분출 속도를 세로축으로 한 평면 좌표계에 있어서, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 32 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 67 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 40 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 113 m/sec인 포인트를 사각형상으로 직선으로 연결하여 둘러싸이는 범위내로 설정되어 있다.

Patent Agency Ranking