公开(公告)号：KR1020070108929A

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：KR1020077022525

申请日：2006-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이종 ,  이시바시기요타카 ,  노자와도시히사 ,  야마모토노부히코

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32798 ,  H01J2237/3321 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: A microwave plasma processing device comprising a chamber housing therein a material to be processed, a processing gas supplying means for supplying processing gas into the chamber, a microwave generating source for generating microwave forming the processing gas plasma in the chamber, a wave guiding means for guiding microwave generated in the microwave generating source toward the chamber, a flat antenna consisting of a conductor having a plurality of microwave radiating holes for radiating microwave guided by the wave guiding means toward the chamber, a microwave transmitting plate constituting the top wall of the chamber, transmitting microwave passed through the microwave radiating holes of the flat antenna and consisting of a dielectrics, and a delay plate provided on the opposite side of the microwave transmitting plate of the flat antenna, having a function of shortening the wavelength of microwave reaching the flat antenna and consisting of a dielectrics. The flat antenna and the microwave transmitting plate are substantially in close contact with each other with no air therebetween, the delay plate and the microwave transmitting plate are formed of the same material, and the delay plate, the flat antenna, the microwave transmitting plate and an equivalent circuit formed by the processing gas plasma formed in the chamber satisfy a resonance condition.

Abstract translation: 一种微波等离子体处理装置，包括容纳待处理材料的室，用于将处理气体供应到室中的处理气体供给装置，用于产生在室内形成处理气体等离子体的微波的微波发生源，波导装置， 将在微波发生源中产生的微波导向腔室，由具有多个微波辐射孔的导体构成的平面天线，用于将由波导装置引导的微波照射到腔室;构成腔室顶壁的微波透射板 传输通过平坦天线的微波辐射孔并由电介质构成的微波，以及设置在平面天线的微波透射板的相反侧的延迟板，具有缩短微波到达平面的波长的功能 天线，由电介质组成。 扁平天线和微波透射板基本上彼此紧密接触，其间没有空气，延迟板和微波透射板由相同的材料形成，延迟板，平面天线，微波透射板和 由室内形成的处理气体等离子体形成的等效电路满足谐振条件。

公开(公告)号：KR100762052B1

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020067008709

申请日：2004-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 가스 공급부의 냉각 효율을 향상시켜, 당해 처리 가스 공급부의 온도 상승을 억제하는 것을 과제로 하고 있다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 유지대(13) 상의 피처리 기판(12)과 마이크로파 안테나(25) 사이에 처리 가스 공급부(30)가 마련되어 있다. 상기 처리 가스 공급부(30)는, 처리 용기(11) 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1 개구부(32)와, 처리 가스 통로(34)에 연통한 복수의 제 2 개구부(34A)와, 미스트(mist)를 포함한 냉각 매체가 흐르는 냉각 매체 통로(33)를 구비하고 있다. 냉각 매체 통로에는 냉각 매체 순환 장치가 접속되어도 좋다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制处理气体供给部的温度上升。

公开(公告)号：KR1020070044465A

公开(公告)日：2007-04-27

申请号：KR1020077004160

申请日：2005-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  이시바시기요타카 ,  기타가와쥰이치 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 본 발명은 전정 쪽에 개구부를 갖고, 또한 내부가 진공 가능하게 된 처리 용기와, 피처리체를 탑재하기 위해 상기 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 상기 개구부에 기밀하게 장착된 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어지는 탑 플레이트와, 상기 탑 플레이트 상에 마련된 상기 처리 용기 내를 향하여 플라즈마 발생용의 마이크로파를 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재 상에 마련된 상기 마이크로파의 파장을 단축하기 위한 지파재와, 상기 탑 플레이트의 하면에 마련된 당해 하면을 복수의 영역으로 구획하고, 또한 당해 복수의 영역 사이의 마이크로파의 간섭을 억제하는 마이크로파 간섭 억제부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

Abstract translation: 由具有前庭的开口侧，并且内部穿过阶段的介电材料的发明塔，并安装到在处理容器中提供给所述开口和使能真空处理容器，与该物体的气密微波被处理 一种平面天线部件，其具有平板和多个微波发射孔，用于朝向设置在顶板上的处理容器的内部发射产生微波的等离子体; 以及微波干扰抑制部分，用于将设置在顶板的下表面上的下表面分成多个区域并抑制多个区域之间的微波干扰。

公开(公告)号：KR100661667B1

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020057002675

申请日：2003-08-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 플라즈마 처리 장치는 기판(11)을 수용하기 위한 챔버(1)와, 마이크로파를 발생하기 위해 고주파 전원(5)과, 마이크로파를 챔버(1)내로 방사하기 위한 안테나부(3)를 구비하고 있다. 고주파 전원(5)에서 발생한 마이크로파는 도파관(6)에 의해서 안테나부(3)로 보내어진다. 챔버(1)의 상부에는 챔버(1)의 격벽의 일부를 구성하는 천판부(4)가 배치되어 있다. 그 천판부(4)의 외주 부분의 위에는 마이크로파의 전파를 지연시키기 위한 천판부(4)와 동일 재질로 형성된 소정의 지연 경로부(2)가 링형상으로 마련되어 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 이상 방전이나 이물의 발생을 억제할 수 있다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括用于容纳基板11的腔室1，用于产生微波的高频电源5以及用于向腔室1内辐射微波的天线部分3。 在高频电源5中产生的微波通过波导6被发送到天线单元3。 构成腔室1的隔壁的一部分的顶板部4配置在腔室1的上部。 在顶板部4的外周部设置有用于延迟微波传播的由与顶板部4相同的材料形成的规定的延迟路径部2。 由此，能够抑制等离子体处理装置中的异常放电和异物的产生。

公开(公告)号：KR100151734B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019910012430

申请日：1991-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 가네꼬사또시 ,  후지다다이찌 ,  노자와도시히사 ,  우에다요이찌 ,  요시다유끼마사 ,  하세가와이사히로 ,  오까노하루오

IPC: H01L21/304

Abstract: 플라즈마 에칭처리 장치는 반도체 웨이퍼를 재치 고정하기 위한 서셉터와, 서셉터를 냉각하기 위한 냉각 자켓과, 서셉토 및 냉각 자켓을 둘러싸는 프로세스 챔버벽과, 프로세스 챔버벽의 내부통이 세셉터 및 냉각 자켓의 측주변면과 대면하는 것에 의해 형성된 간극을 프로세스 챔버의 처리분위기에서 차단하는 O링과, 이 간극안의 가스를 배기하는 배기펌프를 가진다. 또, 프로세스 챔버에 대하여 웨이퍼를 반입 또는 반출하는 로드록 챔버와, 프로세스 챔버와의 대향면 사이에 장입되는 단열부재를 가진다. 배기된 간극에 의해 프로세스 챔버벽이 서셉터 및 냉각 자켓에서 차단되고, 또, 단열부재에 의해 프로세스 챔버와 로드록 챔버가 차단된다.

公开(公告)号：KR1019920003818A

公开(公告)日：1992-02-29

申请号：KR1019910012353

申请日：1991-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 노자와도시히사 ,  가미간다오사무 ,  요시다유끼마사 ,  오까노하루오

IPC: H05H1/02

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1020170007172A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020160086634

申请日：2016-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치

Inventor： 노자와도시히사 ,  모야마가즈키 ,  미야마료 ,  사무카와세이지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467

Abstract: 본발명은, 칸막이판의소모및 피처리체의오염을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치(10)는, 처리용기(12)와, 칸막이판(40)을갖는다. 칸막이판(40)은, 절연성재료로형성되고, 복수의개구(40h)를가지며, 처리용기(12) 내를플라즈마생성실(S1)과처리실(S2)로구획한다. 또한, 칸막이판(40)의처리실(S2) 측의면에는, 도전성재료로형성된도전성부재(40a)가설치된다. 도전성부재(40a)에는, 교류전압, 또는, 플라즈마생성실(S1)로부터각각의개구(40h)를통해처리실(S2)로유도하는하전입자의극성과반대극성의직류전압중 적어도어느하나의전압이인가된다.

Abstract translation: 一种等离子体处理装置，包括：处理容器; 以及由绝缘材料制成的隔板，具有多个开口，并被构造成将处理容器的内部分隔成等离子体产生室和处理室。 在隔板的处理室侧的表面上设置由导电材料制成的第一导电构件，并且向第一导电构件施加交流电压和极性相反的直流电压中的至少一个 到通过每个开口从等离子体产生室引导到处理室中的带电粒子的极性。

公开(公告)号：KR101689916B1

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020127006016

申请日：2010-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 자오지안핑 ,  첸리 ,  펑크메리트 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 본발명은, 중력에의한가스확산분리기술을통하여플라즈마를발생하는것을이용하는기판처리장치및 기판처리방법을제공할수 있다. 이러한기판처리장치및 기판처리방법에서는, 중력값(즉, 가스상성분의분자량과기준분자량간의비)이서로다른불활성가스와프로세스가스를포함하는가스를추가하고사용함으로써, 2구역혹은다구역플라즈마가형성될수 있고, 이 2구역혹은다구역플라즈마에서는, 중력에의한확산이서로다르기때문에, 한종류의가스가플라즈마발생영역부근에많이구속될수 있으며, 다른종류의가스가상기한 종류의가스로부터크게분리될수 있고상기한 종류의가스보다웨이퍼프로세스영역에더 근접하게구속되어있다.

Abstract translation: 本发明可以提供使用通过重力引起的气体扩散分离技术的等离子体生成来处理衬底的装置和方法。 通过添加或使用气体，包括不同重量的惰性气体和工艺气体（即气态成分的分子量与参考分子量之间的比例），可以形成两区或多区等离子体，其中一种 气体可以在等离子体产生区域附近受到高度约束，并且由于差分重力感应扩散，另一种气体可以与前述气体大大分离，并且比上述气体更为接近晶片处理区域。

公开(公告)号：KR101680493B1

公开(公告)日：2016-11-28

申请号：KR1020157001975

申请日：2013-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이와사키마사히데 ,  이와오도시히코

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834

Abstract: 일실시형태의성막장치는, 배치대, 처리용기, 가스공급부및 플라즈마생성부를구비한다. 배치대는, 그복수의기판배치영역이둘레방향으로이동하도록축선을중심으로회전가능하게설치되어있다. 처리실은, 배치대를수용하고있고, 제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에의해축선에대하여둘레방향으로이동하는기판배치영역은, 제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역의위쪽에있어서도파로를구획하는 1 이상의도파관과, 그 1 이상의도파관에접속된마이크로파발생기와, 1 이상의도파관의하측도체부에형성된복수의개구를통과하여제2 영역까지연장된유전체제의복수의돌출부를포함한다. 복수의돌출부는, 상기축선에대하여방사방향으로배열되어있다.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，其包括放置台; 一个处理容器，其限定容纳所述放置台的处理室，并且包括第一区域和第二区域; 气体供给部，其将前体气体供给到所述第一区域; 以及在第二区域中产生反应性气体的等离子体的等离子体产生部。 等离子体产生部分包括：至少一个波导，其限定放置台上方和第二区域上方的波导路径，连接到至少一个波导的微波发生器和由电介质材料制成的多个突起。 突起穿过形成在至少一个波导的下导电部分中的多个开口以延伸到第二区域。 突起相对于放置台的轴线在径向方向上排列。

公开(公告)号：KR101541642B1

公开(公告)日：2015-08-03

申请号：KR1020140020308

申请日：2014-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  요시카와준 ,  아이타미치타카 ,  야마자키마사히로 ,  사이토다케히사 ,  가지후미히코 ,  야마기시고지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 본발명은플라즈마화되는처리가스를공급하기위한경로의전계강도를저감시키는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치는, 처리공간을구획하는처리용기와, 플라즈마여기용마이크로파를발생하는마이크로파발생기를구비한다. 또한, 플라즈마처리장치는, 처리공간을밀폐하도록처리용기에장착되어, 마이크로파발생기에의해발생되는마이크로파를처리공간으로도입하는유전체부재를구비한다. 또한, 플라즈마처리장치는, 유전체부재의내부에설치되어, 마이크로파에의해플라즈마화되는처리가스를유전체부재에형성된관통구멍을통해처리공간에공급하는인젝터를구비한다. 또한, 플라즈마처리장치는, 유전체부재의관통구멍을둘러싸도록인젝터의내부에배치되어, 관통구멍을향해유전체부재의내부를전파하는마이크로파를인젝터의내부측에도파하는유전체제(製)의도파판을구비한다.