公开(公告)号：KR100857297B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：KR1020067020163

申请日：2005-03-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  가토요시히로 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  가와사키데쓰 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 기판에 형성된 에칭 대상막의 위에, Si-C계막과, 레지스트막을 차례차례 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 마스크로 하여 상기 Si-C계막을 에칭하는 제 1 에칭공정과, 상기 레지스트막 및 상기 Si-C계막을 마스크로 하여 상기 에칭 대상막을 에칭하는 제 2 에칭공정을 구비한 기판의 처리방법에 관한 것이다. 본 방법은, 원하는 타이밍에서 상기 레지스트막을 박리하는 박리공정을 더 구비한다. 상기 박리공정은, 박리제로서의 유기용제를 준비하는 준비공정과, 상기 유기용제를 상기 레지스트막에 적용하는 적용공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR100573618B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020000079344

申请日：2000-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  키타노준이치 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  B05C11/08 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치로서, 레지스트의 도포 등을 하는 처리스테이션 내에, 현상유닛과 도포유닛과 복수의 냉각플레이트를 배치하고, 기판반송장치에 의해 이들 사이에서 웨이퍼의 반송을 한다. 웨이퍼가 반송되는 영역의 온도를 온도검출기에 의해 검출하고, 이 검출값에 의거하여 도포유닛에 반송되어졌을 때의 웨이퍼 온도가 처리액의 도포온도가 되도록, 냉각플레이트에서 냉각되는 웨이퍼의 온도를 조정한다. 이것에 의해, 웨이퍼는 온도를 높은 정도로 유지한 상태에서 도포유닛으로 반송되고, 레지스트액이 도포되기 때문에, 온도변화가 원인이 되는 처리얼룩의 발생을 억제할 수 있고, 처리의 균일성 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010062561A

公开(公告)日：2001-07-07

申请号：KR1020000079344

申请日：2000-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  키타노준이치 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  B05C11/08 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to improve the uniformity of processing by applying a coating processing, while keeping a board in high accuracy in coating and developing devices. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus comprises a developing unit(D1), a coating unit(C1) and a plurality of cooling parts(4) which are placed in sequence from the upper side in a processing station for coating a resist. The apparatus, moreover, includes a substrate transfer device(MA) for transferring the substrate cooled in the cooling part to the coating unit(C1), a temperature detector(3A) for detecting the temperature of the area transferred by the substrate transfer device(MA), and a controller(30) for adjusting the temperature of the substrate cooled in the cooling part(4) based on a value detected by the temperature detector(3A) until the temperature of the substrate transferred to the coating unit(C1) become the coating temperature at the time of coating the resist liquid.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过施加涂布处理来提高加工的均匀性，同时在涂布和显影装置中保持高精度的板。 构成：基板处理装置包括显影单元（D1），涂布单元（C1）和多个冷却部件（4），它们在用于涂覆抗蚀剂的处理站中从上侧依次放置。 此外，该装置包括用于将冷却部件中冷却的基板传送到涂布单元（C1）的基板转印装置（MA），用于检测由基板转印装置传送的区域的温度的温度检测器（3A） MA），以及控制器（30），用于基于由温度检测器（3A）检测到的值直到转印到涂布单元（C1）的基板的温度来调节冷却部件（4）中冷却的基板的温度， 成为涂布抗蚀剂液体时的涂布温度。