公开(公告)号：KR1020080079339A

公开(公告)日：2008-08-29

申请号：KR1020087019543

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: At the time of forming an oxynitride film on a substrate by nitriding the substrate with plasma generated by microwaves after forming an oxide film, the microwaves are intermittently supplied. Ion bombardment due to electron temperature reduction is reduced by intermittently supplying the microwaves, and the diffusing speed of a nitride seed in the oxide film is reduced. As a result, nitrogen concentrates on a nitride film interface on the substrate side, and the concentration increase can be suppressed. Thus, the film quality of the oxynitride film can be improved, a leak current can be reduced, and operation speed and NBTI resistance can be improved.

Abstract translation: 在通过在形成氧化膜之后通过微波产生的等离子体对基板进行氮化而在基板上形成氧氮化物膜时，间歇地供给微波。 通过间歇地供给微波来降低电子温度降低引起的离子轰击，减少氮化物种子在氧化膜中的扩散速度。 结果，氮浓缩在基板侧的氮化物膜界面上，并且可以抑制浓度增加。 因此，可以提高氮氧化物膜的膜质量，可以降低漏电流，并且可以提高操作速度和NBTI电阻。

公开(公告)号：KR100810794B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020057009094

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

Abstract translation: 根据本发明，如在氮化过程中，在硅衬底表面上，具有所述等离子体产生部和所述硅衬底板之间的开口的隔室被设置在所述硅衬底表面1E + 7（狗＆middot电子密度;㎝

公开(公告)号：KR1020070116696A

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020077026777

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: Method for fabricating the structure of an electronic device (e.g. a high-performance MOS semiconductor device) having good electric characteristics in which an SiO2 film and an SiON film are employed as an insulation film having an extremely small thickness (e.g. 2.5 nm or less) and polysilicon, amorphous silicon or SiGe is employed for an electrode. Under existence of a processing gas containing oxygen and a rare gas, a wafer W principally comprising Si is irradiated with microwave through a planar antenna member SPA to form a plasma containing oxygen and a rare gas (or a plasma containing nitrogen and a rare gas or a plasma containing nitrogen, a rare gas and hydrogen). An oxide film (or an oxide nitride film) is formed on the wafer surface using that plasma and an electrode of polysilicon, amorphous silicon or SiGe is formed, as required, thus forming the structure of an electronic device.

Abstract translation: 制造具有良好电气特性的电子器件（例如，高性能MOS半导体器件）的结构的方法，其中使用SiO 2膜和SiON膜作为具有极小厚度（例如2.5nm或更小）的绝缘膜， 并且多晶硅，非晶硅或SiGe用于电极。 在存在含有氧气和稀有气体的处理气体的情况下，通过平面天线构件SPA对主要包含Si的晶片W进行微波照射，以形成含有氧气和稀有气体的等离子体（或包含氮气和稀有气体的等离子体或 含有氮气，稀有气体和氢气的等离子体）。 根据需要，使用等离子体形成在晶片表面上的氧化膜（或氧化物氮化物膜），并且根据需要形成多晶硅，非晶硅或SiGe的电极，从而形成电子器件的结构。

公开(公告)号：KR100782954B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020047012721

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/3185 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12806

Abstract: 전자 디바이스용 기재 상에 절연막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 공정에 포함되는 절연막 특성을 제어하는 2 이상의 공정을 동일한 동작 원리하에서 행하여, 기재 표면의 절연막을 형성한다. 대기에의 노출을 피하여, 세정, 산화, 질화, 박막화 등의 처리를 실시함으로써, 세정도가 높은 절연막의 형성이 가능해진다. 또한, 동일한 동작 원리를 이용하여 절연막의 형성에 관한 여러 가지 공정을 실행함으로써, 장치 형체의 간략화를 실현하여, 특성이 우수한 절연막을 효율적으로 형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020070020571A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：KR1020077002279

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

Abstract translation: 根据本发明，如在氮化过程中，在硅衬底表面上，具有所述等离子体产生部和所述硅衬底板之间的开口的隔室被设置在所述硅衬底表面1E + 7（狗＆middot电子密度;㎝

公开(公告)号：KR100582481B1

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020037009815

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 우수한 절연층이나 반도체층을 구비한 고품질의 MOS형 반도체 등의 전자 디바이스 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 단결정 실리콘을 주성분으로 하는 피처리 기체 상에 CVD 처리를 실시하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 피처리 기체를, 복수의 슬롯이 있는 평면 안테나 부재(SPA)를 통해 처리 가스에 마이크로파를 조사함으로써 생성한 플라즈마에 노출시키고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 개질하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040102229A

公开(公告)日：2004-12-03

申请号：KR1020047018206

申请日：2003-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  스가와라다쿠야 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833 ,  H01L21/823462

Abstract: 실리콘 기판 표면에 형성된 산화막을 마이크로파 플라즈마 질화 처리에 의해 질화하여 산질화막을 형성하는 기판 처리 방법에 있어서, 산질화막으로의 손상을 회피하면서, 실리콘 기판과 산질화막과의 계면에 있어서의 산화막의 재성장을 억제하고, 산화막 환산 막 두께를 저감시킬 수 있는 방법을 제공한다. 질화 처리 공정은 마이크로파 여기 플라즈마의 전자 온도를 2 eV 이하로 설정하고, 피처리 기판이 유지된 프로세스 공간내에 있어서의 산소의 체류 시간을 2초 이하로 설정함으로써 실행된다.

公开(公告)号：KR1020040086384A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020047012721

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/3185 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12806

Abstract: 전자 디바이스용 기재 상에 절연막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 공정에 포함되는 절연막 특성을 제어하는 2 이상의 공정을 동일한 동작 원리하에서 행하여, 기재 표면의 절연막을 형성한다. 대기에의 폭로를 피하여, 세정, 산화, 질화, 박막화 등의 처리를 실시함으로써, 세정도가 높은 절연막의 형성이 가능해진다. 또한, 동일한 동작 원리를 이용하여 절연막의 형성에 관한 여러 가지 공정을 실행함으로써, 장치 형체의 간략화를 실현하여, 특성이 우수한 절연막을 효율적으로 형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020040086317A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101411085B1

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：KR1020147002619

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.