公开(公告)号：KR1019990057720A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970077792

申请日：1997-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 형용우 ,  이세진 ,  남석우

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체소자에 사용되는 실리콘 리치 질화막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 수직형 저압화학기상증착 장비를 사용하여 사일레인 가스 및 암모니아 가스의 유량비를 1.5:1 내지 2.5:1로 조절함으로써 스트레스가 감소된 실리콘 리치 질화막을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 실리콘 리치 질화막을 반도체소자의 제조공정, 특히 소자분리 공정의 패드질화막으로 사용하는 경우 반도체기판에 가해지는 스트레스를 완화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990057225A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970077274

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형석 ,  남석우

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명은 HSG막을 갖는 스토리지 노드 전극간의 쇼트를 방지하는 고유전율 캐패시터의 제조 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 패드 전극을 형성하고, 패드 전극을 포함하여 층간절연막을 형성한다. 층간절연막을 식각 하여 패드 전극의 일부가 노출되도록 스토리지 노드 콘택홀을 형성한다. 스토리지 노드 콘택홀을 포함하여 층간절연막 상에 비정질 실리콘층을 형성한다. 비정질 실리콘층을 패터닝 하여 스토리지 노드 전극을 형성한다. 스토리지 노드 전극은 비등방성 식각에 의해 그 상부 에지가 직각으로 형성되도록 하거나, 폴리머에 의해 그 상부 에지 부분이 경사지게 형성되도록 한다. 그리고, 스토리지 노드 전극의 상부 에지 부분의 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 재결정화 시킨다. 스토리지 노드 전극의 표면이 요철 모양을 갖도록 HSG막을 형성한다. HSG막은 스토리지 노드 전극의 상부 에지 부분에는 형성되지 않는다. 이와 같은 반도체 메모리 장치의 제조 방법 및 그 구조에 의해서, 스토리지 노드 전극의 상부 에지 부분을 직각으로 또는 경사지게 식각하고, 그 부위의 비정질 실리콘을 고 에너지 빔을 조사하여 폴리실리콘으로 재결정화 시킴으로써, 스토리지 노드 전극의 상부 에지 부분의 HSG막 성장을 억제할 수 있고, HSG막의 리프팅에 따른 전극간의 쇼트를 방지할 수 있으며, 이로써 DRAM 소자의 불량을 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990027892A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050422

申请日：1997-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남석우 ,  구본영 ,  황두현 ,  김병기

IPC: H01L29/43

Abstract: 게이트 전극을 구성하는 폴리실리콘층을 RTP 설비에서 질소 성분을 포함하는 분위기에서 산화시켜서 폴리사이드 구조의 게이트 전극을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 반도체 기판상에 건식 식각 방법에 의하여 게이트 전극, 폴리실리콘층 및 금속 실리사이드층이 차례로 적층된 게이트 패턴을 형성하고, 상기 건식 식각 후의 부산물을 습식 식각에 의하여 제거하고, RTP 설비를 이용하여 질소 분위기하에서 상기 폴리실리콘층 패턴의 산화 공정을 행하여 상기 게이트 패턴의 측벽 및 상기 반도체 기판의 표면에 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019930006952A

公开(公告)日：1993-04-22

申请号：KR1019910015839

申请日：1991-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남석우 ,  이재형 ,  김원주

IPC: H01L27/112

公开(公告)号：KR102053348B1

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：KR1020130106821

申请日：2013-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임한진 ,  이공수 ,  김동찬 ,  남석우 ,  홍수진

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

公开(公告)号：KR101883327B1

公开(公告)日：2018-07-30

申请号：KR1020120031881

申请日：2012-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수 ,  박종철 ,  김철홍 ,  남석우 ,  윤국한

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/92

Abstract: 미세패턴형성방법이제공된다. 미세패턴형성방법은하부막상에서제 1 방향으로연장되며, 반복적으로서로번갈아배치된제 1 및제 2 하드마스크패턴들을형성하는것, 상기제 1 및제 2 하드마스크패턴들상에서, 상기제 1 방향에수직인제 2 방향으로연장되는마스크패턴들을형성하는것, 상기마스크패턴들을식각마스크로이용하여상기제 1 하드마스크패턴들각각에제 1 오프닝들을형성하는것, 상기제 1 오프닝들및 상기마스크패턴들사이를채우는매립패턴들을형성하는것, 상기마스크패턴들을제거한후, 상기매립패턴들양측벽에스페이서들을형성하는것, 및상기매립패턴들및 상기스페이서들을식각마스크로이용하여상기제 2 하드마스크패턴들각각에제 2 오프닝들을형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1020140113128A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028102

申请日：2013-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임한진 ,  김봉현 ,  남석우 ,  신동운 ,  전인상 ,  홍수진

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/564 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L23/562 ,  H01L29/165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A precursor composite to deposit a silicon oxide film is provided. The precursor composite to deposit a silicon oxide film is a precursor composite for deposition in order to form a silicon oxide film on a substrate, and is selected from one or more among formula 1 to formula 3 below: (1) H_xSiA_y(NR^1R^2)_4-x-y, (2) H_xSi(NAR^3)_4-x, (3) H_xSi(R^4)_z(R^5)_4-x-z. In the above formulae, H is hydrogen, x is 0-3, Si is silicon, A is a halogen element, y is 1-4, and N is nitrogen. In addition, R^1, R^2, R^3, and R^5 are independently selected from a group which comprises H, aryl, perhaloaryl, C_1-8 alkyl, and C_1-8 perhaloalkyl while R^4 is either aryl where at least one halogen is substituted or C_1-8 alkyl where at least one halogen is substituted.

Abstract translation: 提供了沉积氧化硅膜的前体复合材料。 用于沉积氧化硅膜的前体复合材料是用于沉积以在基底上形成氧化硅膜的前体复合材料，并且选自以下式1至式3中的一种或多种：（1）H_xSiA_y（NR 1 1R ^ 2）_4-xy，（2）H_xSi（NAR ^ 3）_4-x，（3）H_xSi（R ^ 4）_z（R ^ 5）_4-xz。 在上式中，H为氢，x为0-3，Si为硅，A为卤素元素，y为1-4，N为氮。 此外，R 1，R 2，R 3和R 5独立地选自包括H，芳基，全卤代芳基，C 1-8烷基和C 1-18全卤代烷基的基团，而R 4是芳基 其中至少一个卤素被取代，或其中至少一个卤素被取代的C 1-8烷基。

公开(公告)号：KR1020140027797A

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：KR1020120093854

申请日：2012-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수 ,  서정우 ,  윤경렬 ,  김철홍 ,  남석우 ,  박용직

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0273

Abstract: Provided is a method for forming a semiconductor memory device. The method include a step of forming first preliminary holes arranged on an etching object layer in a first direction; a step of forming dielectric patterns filling the first preliminary holes; a step of successively and conformally forming a barrier layer and a sacrificial layer on the dielectric patterns; a step of forming etch control patterns between adjacent dielectric patterns; a step of forming a second preliminary holes by etching the sacrificial layer of a region defined by at least three adjacent dielectric patterns; and a step of forming contact holes by etching the etching object layer of a position corresponding to the first and the second preliminary holes.

Abstract translation: 提供一种形成半导体存储器件的方法。 该方法包括在第一方向上形成设置在蚀刻对象层上的第一预备孔的步骤; 形成填充所述第一预备孔的电介质图案的步骤; 在电介质图案上依次形成阻挡层和牺牲层的步骤; 在相邻电介质图案之间形成蚀刻控制图案的步骤; 通过蚀刻由至少三个相邻电介质图案限定的区域的牺牲层来形成第二预备孔的步骤; 以及通过蚀刻对应于第一和第二预备孔的位置的蚀刻对象层来形成接触孔的步骤。

公开(公告)号：KR1020110103534A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：KR1020100022640

申请日：2010-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태종 ,  박재영 ,  서종범 ,  남석우 ,  김봉현 ,  임한진 ,  정승식

IPC: H01G4/018

CPC classification number: H01G4/10 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01G13/00 ,  Y10T29/43

Abstract: 유전막 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법을 개시한다. 전구체를 포함하는 소스 가스를 사용하여 공정 챔버 내의 기판 상에 화학적으로 흡착된 전구체 박막을 형성한다. 공정 챔버 내에 잔류하는 소스 가스 및 전구체 박막에 물리적으로 흡착된 전구체를 제거하기 위하여 공정 챔버를 1차 퍼지 및 펌핑한다. 전구체 박막을 형성하는 단계 및 1차 퍼지 및 펌핑 단계를 번갈아 반복적으로 수행한다. 전구체 박막 상으로 산화제를 공급하여 벌크 산화막을 형성한다. 이에 따라, 상기 누설 전류 특성 및 유전율이 향상된 유전막 구조물을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100104685A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020090023264

申请日：2009-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승식 ,  정정희 ,  김영진 ,  남석우 ,  임한진 ,  윤경렬

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: PURPOSE: After completely eliminating the sacrificing layer and the surface oxide layer filling the trench, the formation method of the semiconductor device having capacitor forms the capacitor dielectric film. The capacitor dielectric film equipped with the uniform dielectric constant and the excellent reliability is offered. CONSTITUTION: A bottom electrode film is formed in the top of the substrate. The surface oxide layer is formed on the bottom electrode film. The bottom electrode film is eliminated partly and the bottom electrode(95') is formed. The surface oxide layer is eliminated and the bottom electrode exposes. The capacitor dielectric film(97) is formed on the bottom electrode.

Abstract translation: 目的：完全消除牺牲层和填充沟槽的表面氧化层，具有电容器的半导体器件的形成方法形成电容器电介质膜。 提供了具有均匀介电常数和优异的可靠性的电容器电介质膜。 构成：底部电极膜形成在衬底的顶部。 表面氧化层形成在底部电极膜上。 底部电极膜被部分地去除并形成底部电极（95'）。 去除表面氧化物层，底部电极露出。 电容器电介质膜（97）形成在底部电极上。