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公开(公告)号：KR1019970063774A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960002634
申请日：1996-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/70
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
트랜지스터의 채널 영역과 소오스와 드레인 영역 사이에 일정간격에 비도핑된 부분을 가지는 오프셋 트랜지스터에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
낮은 누설전류를 가지는 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
절연기판의 상부에 폴리실리콘 또는 무정질 실리콘으로 이루어진 실리콘막을 도포하고, 상기 실리콘막 상부에 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연층을 코팅하는 제1공정과, 상기 게이트 절연층상부에 금속이나 전도성 물질 또는 폴리실리콘 막등으로 이루어진 게이트 전극을 증착하여 포토 리토그래피로 채널 폭에 대응하는 주 게이트 전극과 오프셋 폭에 대응하는 부 게이트 전극으로 분리하여 식각하는 제2공정과, 상기 게이트 절연 층내에 상기 오프셋 영역을 형성하기 위하여 상기 주 게이트 전극과 부 게이트 전극의 상부의 포토 레지스터를 소정의 조건으로 리플로우하기 위한 제3공정과, 상기 리플로우된 포토 레지스터에 의해 도포되지 않은 부분의 게이트 절연층을 식각하고 상기 포토 레지스터를 제거하는 제4공정과, 상기 제4공정을 통 결과물의 상기 폴리실리콘내의 드레인과 소오스 영역을 형성하기 위하여 상기 주 게이트 전극과 부 게이트 전극과 식각되지 않은 상기 오프셋 영역에 대하여 자기－정렬로 이온주입을 수행하는 제5공정으로 이루어지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
트랜지스터 제조방법에 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019960043266A
公开(公告)日：1996-12-23
申请号：KR1019950012803
申请日：1995-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/73
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
PNPN구조와 트렌치된 바디구조를 갖는 모오스 게이트형 전력 트랜지스터.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
모오스 게이트형 전력 트랜지스터의 최대의 문제점인 순방향 전압강하 특성과 래치업 전류밀도를 향상시키고자 하는 것으로 종래의 소자보다 좀더 낮은 순방향 전압강하와 좀더 높은 래치업 전류밀도를 얻기 위한 본 발명에 따른 모오스 게이트형 전력 트랜지스터의 구조와 제조방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 본 발명에 따른 모오스 게이트형 전력 트랜지스터를 구성함에 있어서 트렌치구조를 먼저 형성시키고 P++확산영역과 N+소오스 형성하고 동시에 이중확산시킴으로써, 트렌치 구조로 인한 P바디의축소와 상기 이중확산으로 인한 낮은 농도의 N+소오스 형성이되고 그로 인하여 낮은 순방향 전압강하와 작은 에미터효율및 높은 래치업 전류밀도를 얻을수 있는 모오스 게이트형 전력 트랜지스터를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명에 따른 모오스 게이트형 전력 트랜지스터는 그 구조와 제조 방법이 유사하게 포함되는 IGBT, LIGBT, DMOS, LDMOS 등을 구비하는 소자에 적합하게 사용된다.-
公开(公告)号：KR101142996B1
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020040117735
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/0823 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 그리고 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터를 포함한다. 이때, 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 동일한 제어 전압 또는 서로 다른 극성의 제어 전압이 인가되며, 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 하부에 배치되어 있으며, 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 상부에 배치되어 있다. 본 발명에 의하면, 2개의 구동 트랜지스터를 형성하면서도 이들이 화소에서 차지하는 면적을 줄일 수 있으며, 또한 서로 다른 극성의 제어 전압을 각 구동 트랜지스터에 인가함으로써 구동 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 열화Abstract translation: 显示装置包括发光二极管，以及连接在驱动电压和发光二极管之间以将驱动电流提供给发光二极管的第一和第二驱动晶体管。 彼此极性不同的控制电压或控制电压被施加到第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的控制端子。 第一驱动晶体管具有位于发光二极管的半导体层下方的控制电极，而第二驱动晶体管具有位于半导体层上方的控制电极。 两个驱动晶体管形成在每个像素处，并且其在像素内占据的面积减小。 对各个驱动晶体管施加彼此极性不同的控制电压，基本上防止了驱动晶体管的劣化。
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公开(公告)号：KR101112556B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020050027978
申请日：2005-04-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/0809 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터, 데이터 전압을 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 전달하는 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 데이터 전압을 받아 데이터 전압의 극성과 반대인 반전 전압을 생성하여 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 인가하는 제1 및 제2 반전부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명에 의하면 두 개의 반전부 및 두 개의 구동 트랜지스터를 구비함으로써 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 천이를 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 수명을 증가시킬 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 다이오드, 박막 트랜지스터, 축전기, 데이터 전압, 반전부, 역바이어스-
公开(公告)号：KR1020090128888A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842 , H01L27/3244 , H01L2027/11879 , H01L2227/323
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080076292A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070016033
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/42384 , H01L2029/7863 , H01L29/78675
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to change doping level for respective semiconductor layer regions by adjusting thickness and location of first, second, and third insulation layers. A thin film transistor comprises a lower structure(11), a semiconductor layer(12), first and second insulation layers(14a,14b), and a third insulation layer(16), and a gate electrode layer(17). The semiconductor layer includes a plurality of doped regions(12b,12c,12d) on the lower structure. The first and second insulation layers are formed on the semiconductor layer, separated from each other. The third insulation layer is formed on the first and second insulation layers. The gate electrode layer is formed on the third insulation layer between the first and second insulation layers. The width of the third insulation layer is longer than that between the first and second insulation layers and shorter than that between the left part of the first insulation layer and the right part of the second insulation layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，通过调整第一，第二和第三绝缘层的厚度和位置来改变各半导体层区域的掺杂水平。 薄膜晶体管包括下部结构（11），半导体层（12），第一和第二绝缘层（14a，14b）以及第三绝缘层（16）和栅电极层（17）。 半导体层包括在下部结构上的多个掺杂区域（12b，12c，12d）。 第一绝缘层和第二绝缘层形成在半导体层上，彼此分离。 第三绝缘层形成在第一和第二绝缘层上。 栅电极层形成在第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层上。 第三绝缘层的宽度比第一绝缘层和第二绝缘层之间的宽度长，并且比第一绝缘层的左部分和第二绝缘层的右部分之间的宽度短。
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公开(公告)号：KR100177785B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960002634
申请日：1996-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/70
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/6675 , H01L29/7831 , H01L29/7833 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/788
Abstract: A field effect transistor includes laterally spaced apart source and drain regions in a substrate, laterally spaced apart undoped regions in the substrate between the laterally spaced apart source and drain regions, a doped channel region in the substrate between the laterally spaced apart undoped regions, and a gate insulating layer on the substrate. A main gate is on the gate insulating layer opposite the channel, and first and second sub gates are on the gate insulating layer, a respective one of which is opposite a respective one of the spaced apart undoped regions. The first and second sub gates are laterally spaced apart from and electrically insulated from the main gate. The transistor may be formed by patterning a photoresist layer and a gate layer to form a main gate and first and second sub gates, reflowing the photoresist into the lateral space between the main gate and the first and second sub gates, etching the gate insulating layer using the reflowed photoresist as a mask, and implanting ions into the substrate to form source and drain regions using the etched gate insulating layer as a mask.
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公开(公告)号：KR100143459B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019950012803
申请日：1995-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/73
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야:
PNPN구조와 트렌치된 바디구조를 갖는 모오스 게이트형 전력 트랜지스터.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:
모오스 게이트형 전력 트랜지스터의 최대의 문제점인 순방향 전압강하 특성과 래치업 전류밀도를 향상시키고자 하는 것으로 종래의 소자보다 좀더 낮은 순방향 전압강하와 좀더 높은 래치업 전류밀도를 얻기 위한 본 발명에 따른 모오스 게이트형 전력 트랜지스터의 구조와 제조방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지:
종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 본 발명에 따른 모오스 게이트형 전력 트랜지스터를 구성함에 있어서 트렌치구조를 먼저 형성시키고 P++확산영역과 N+소오스 형성하고 동시에 이중확산시킴으로써, 트렌치 구조로 인한 P바디의 축소와 상기 이중확산으로 인한 낮은 농도의 N+소오스 형성이되고 그로 인하여 낮은 순방향 전압강하와 작은 에미터효율 및 높은 래치업 전류밀도를 얻을수 있는 모오스 게이트형 전력 트랜지스터를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도:
본 발명에 따른 모오스 게이트형 전력 트랜지스터는 그 구조와 제조 방법이 유사하게 포함되는 IGBT, LIGBT, DMOS, LDMOS등을 구비하는 소자에 적합하게 사용된다.-
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公开(公告)号：KR1019950034807A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940009959
申请日：1994-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
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