Abstract:
복수 개의 유도 결합형 안테나 및 복수 개의 용량 결합형 안테나가 서로 교번하여 배치되는 하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치가 개시된다. 상기 두 가지의 다른 형태의 안테나에 각각 전력을 인가함으로써, 공정에서 중요한 요소인 플라즈마의 밀도, 전자온도, 균일도 등을 조절 가능하게 함으로써, 유도 결합형 플라즈마 소스와 용량 결합형 플라즈마 소스 각각이 가지고 있는 문제점을 해결할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An atomic layer etching method is provided to control graphene etching with an atom as a unit, to selectively control the etching depth of graphene, to be processed uncomplicatedly, and to be commercialized. CONSTITUTION: An atomic layer etching method includes the following steps: absorbing a reactive radical on the surface of graphene; irradiating an energy source in graphene absorbed in the reactive radical; the two steps are repeated over two times; the graphene includes the thin film of overlapped multi-layer graphene; a singular layer of the thin film of graphene is etched by performing the atomic layer etching method one time; the reactive radical is generated with plasma.
Abstract:
PURPOSE: A graphene etching device and a graphene etching method using the same are provided to prevent additional etching by performing discharging without remaining reactive gas. CONSTITUTION: A graphene etching device is composed of a buffer chamber(200), an adsorption chamber(100), and a desorption chamber(300). A graphene substrate(500) is loaded in the buffer chamber. An adsorption process is performed in the adsorption chamber for the graphene substrate. A desorption process is performed in the desorption chamber for the graphene substrate. The buffer chamber is placed between the adsorption chamber and the desorption chamber. The buffer chamber includes a transfer device(210), and the transfer device transfers the graphene substrate to the inside of the adsorption chamber or the desorption chamber. The graphene substrate adsorbed in the adsorption chamber is transferred to the buffer chamber, in standby for a previously set time, and transferred to the desorption chamber. [Reference numerals] (AA) Exhaust
Abstract:
PURPOSE: A plasma sources and a plasma generating apparatus including the same are provided to intensify a magnetic field induced through ferrite by mounting an arc-shaped ferrite structure on a helical antenna coil. CONSTITUTION: A plasma generating device(1) comprises a reaction chamber(10), a plasma source(20), a dielectric structure(30), and a power supply unit(40). The reaction chamber forms a reaction space for processing a substrate. A gas nozzle(11) is formed in the sidewall of the reaction chamber to let in the reaction gas from the outside. The plasma source is composed of an antenna coil(21) and a ferrite structure(23). The dielectric structure insulates the reaction chamber and the plasma source. The power supply unit is electrically connected to one end of the helical antenna coil.
Abstract:
본 발명은 저손상 공정을 위한 차세대 나노소자용 식각 장비에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 차세대 나노소자 제작시 나노소자의 저손상 공정이 가능하거나, 고유전 물질을 게이트 절연막으로 이용함으로써 발생되는 게이트 리세스를 발생시키지 않거나, 차세대 나노소자 공정에 발생될 수 있는 물리적 전기적 손상을 크게 개선시키거나, 정확한 식각 조절이 가능하고, 딥 식각, 중성빔 식각 및 중성빔 원자층 식각이 인시투(in-situ)로 이루어질 수 있는 식각 장비가 제공된다.
Abstract:
본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다.
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PURPOSE: A solar cell using graphene and a manufacturing method thereof are provided to easily manufacture a solar cell with a predetermined open circuit voltage by controlling the number of graphene unit layers. CONSTITUTION: A solar cell(100) comprises an anode electrode(110), a cathode electrode(140), a graphene layer(130), a semiconductor layer(120), and a photo reactive layer. The cathode electrode is arranged by being separated with the anode electrode. The graphene layer and the semiconductor layer are arranged between the anode electrode and the cathode electrode. The photo reactive layer generates electronics or a hole in response to entered light while being located in the interface of the semiconductor layer and the graphene layer. The graphene layer includes one or more graphene unit layers. The number of graphene unit layers, which constitutes the graphene layer, is controlled based on work function difference between the semiconductor layer and the graphene layer.
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본 발명은 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 이용하여, ALD 또는 ALD-LIKE-CVD 공정에서 평탄막 또는 트랜치 사이를 채우는 산화막을 심(Seam) 또는 보이드(Void) 없이 고르게 증착시켜 균일성 및 밀도를 높일 수 있으며, 이에 따라 ALD 및 ALD - LIKE CVD 장치에 따른 산화막을 실시간으로 처리함으로써, 고밀도의 평탄막 또는 65nm 이하의 얕은 트랜치(Shallow Trench) 형성에 따른 보이드(Void), 심(Seam) 문제 또는 저밀도 문제를 해결할 수 있고, 차세대 반도체 산화막 분리 공정을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다. 그 기술적 구성은 반도체 기판 내 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치와 상기 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 이온, 소스, 중성빔, 갭-필, ALD, CVD, 산화막, 반도체, 트랜치