公开(公告)号：KR1020150135368A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020157029834

申请日：2014-03-03

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  코농슈크올레그

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624

Abstract: 본발명은그것의후면(60)으로부터그것의전면(70)까지지지기판, 실리콘이산화물층(90) 및반도체층(100)을포함하는구조물(50)에서실리콘이산화물층(90)을용해하는방법에관한것이며, 상기용해방법은구조물들(50)이지지대상에고정되는퍼니스내에서구현되며, 상기용해방법은상기반도체층(100)을통하여상기실리콘이산화물층(90) 내에포함된산소원자들의확산을야기하고휘발성생성물들을생성하고, 그리고상기퍼니스는상기휘발성생성물의농도변화도를적어도하나의구조물(50)의전면(70)에평행하게감소시키도록상기휘발성생성물과반응하기에적합한트랩들(110)을포함한다.

Abstract translation: 本公开涉及一种将二氧化硅层溶解在结构中的方法，包括从其后表面到其前表面的支撑衬底，二氧化硅层和半导体层，该溶解方法在炉中实施 其中结构支撑在载体上，溶解方法导致二氧化硅层中包含的氧原子扩散通过半导体层并产生挥发性产物，并且该炉包括适于与挥发性产物反应的阱，以便 降低与至少一个结构的前表面平行的挥发性产物的浓度梯度。

公开(公告)号：KR101572070B1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：KR1020117006368

申请日：2009-09-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 베이티주크리스텔르 ,  그리띠파브리스 ,  기오에릭 ,  코논추크올레크 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본발명은차례로지지기판 (1), 산화물층 (2) 및얇은반도체층 (3)을포함하는반도체-온-절연체 (semiconductor-on-insulator) 유형구조를처리하는프로세스이며, 상기프로세스는 (a) 실리콘나이트라이드 (silicon nitride) 또는실리콘옥시나이트라이드 (silicon oxinitride) 마스크 (4)를얇은반도체층 (3)에형성하여, 상기층 (3)의표면에마스크 (40)에의해덮히지않고원하는패턴으로배열되는소위노출영역 (3a)을정의하는단계, (b) 중성또는제어된감소분위기 (controlled reducing atmosphere)에서, 그리고온도및 시간의제어된조건하에열 처리를적용하여, 상기산화물층 (2)의산소의적어도일부가얇은반도체층 (3)을통해확산되도록유도하여, 이에의해상기원하는패턴에상응하는산화물층의영역들 (2a)의산화물두께의제어된감소를얻는단계를포함하며, 단계 (a)에서, 상기마스크 (4)는얇은반도체층 (3)의두께에적어도부분적으로묻히도록 (buried) 형성되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101509008B1

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020117018583

申请日：2010-02-01

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: 구조물(100) 내에캐비티들의층을생성하는방법은산화되거나질화될수 있는물질로형성된적어도하나의기판(101)을포함하고, 상기방법은주입이온농도영역(102)을소정평균깊이로형성하기위하여상기기판(101) 내에이온들(10)을주입하는단계; 상기주입이온농도영역(102)에서캐비티들의층(103)을형성하기위하여이온주입된상기기판을열처리하는단계; 및열화학적처리에의하여상기기판의한쪽표면으로부터상기기판내에절연층(105)을형성하되, 상기절연층이상기캐비티들의층(103) 내부로적어도부분적으로연장되어형성되도록상기절연층(105)을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020140065449A

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020147010321

申请日：2012-07-18

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B2310/0806 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T156/1158

Abstract: 본 발명은 복합 구조(125)로부터 층을 분리하기 위한 방법으로서, 상기 복합 구조는 적어도 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판(105); 분리될 상기 층(115); 및 상기 지지 기판과 분리될 상기 층 사이에 개재된 분리층(110)으로 형성되는 복합 스택(composite stack)을 포함하고, 상기 방법은 상기 분리층의 박리(exfoliation)에 의해 분리 또는 약화를 유도하기 위해 결정된 파장에서 적어도 하나의 입사 광선(122a, 124a)에 의한 상기 지지 기판을 통한 상기 분리층의 조사를 포함하는, 복합 구조(125)로부터 층을 분리하기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은 θ≥ θ
min 이 되도록 입사각(θ)을 형성하기 위해 상기 입사 광선이 경사지고, 여기서 이고, n1 및 n0은 각각 상기 지지 기판(105)의 굴절률 및 상기 지지 기판과 접하며 상기 광선이 오는 외부 매질(130)의 굴절률이고, S는 상기 광선의 폭이고 h는 상기 지지 기판의 두께인 것을 특징으로 하는, 복합 구조로부터의 층 분리 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130061194A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：KR1020137012834

申请日：2009-10-29

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  라뒤로뉘 ,  뱅상세바스티앙

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76251

Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 제1 열 처리 단계와 상기 제2 열 처리 단계 사이에 400℃ 내지 900℃ 사이의 온도에 노출되는 시간은 30초 미만이다.

公开(公告)号：KR101196791B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020107017903

申请日：2008-03-13

Applicant: 소이텍

Inventor： 알리베르프레데릭 ,  고댕그웰타즈 ,  랄르망파브리스 ,  랑드뤼디디에 ,  랑드리카린느 ,  샤힌모하마드 ,  마쭈레카를로스

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

Abstract: Embodiments of the invention relate to substrates comprising a base wafer, an insulating layer and a top semiconductor layer, wherein the insulating layer comprises at least a zone wherein a density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to processes for making such substrates.

公开(公告)号：KR1020110003522A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：KR1020107024928

申请日：2009-06-12

Applicant: 소이텍

Inventor： 다발니콜라스 ,  코논슉올레그 ,  기오에릭 ,  울네뜨세실 ,  랄르망파브리스 ,  피그크리스토프 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

Abstract: 본 발명은 지지 기판 (1) 상에 게르마늄 층 (3)을 포함하는 구조를 제조하기 위한 프로세스로서, (a) 상기 지지 기판 (1), 실리콘 옥사이드층 (silicon oxide)(20) 및 상기 게르마늄 층 (3)을 포함하는 중간 구조 (10를 형성하는 단계로서, 상기 실리콘 옥사이드층 (20)은 상기 게르마늄 층 (3)과 직접 접촉하는 단계, 및 (b) 상기 중간 구조 (10)에 중성 분위기 또는 감소 분위기 (a neutral or reducing atmosphere)에서, 정의된 온도에서 정의된 시간 동안 열 처리를 하여, 상기 실리콘 옥사이드층 (20)으로부터 상기 게르마늄 층 (3)을 통해 적어도 일부의 산소를 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스와 관련된다.