公开(公告)号：KR1020160036615A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：KR1020167005162

申请日：2014-05-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히라이와치히로 ,  미즈하라나호 ,  마지마마사토시 ,  히가시노타카히로 ,  도미나가아이코 ,  이이하라준지

IPC: H01M4/90 ,  H01M4/86 ,  H01M8/124

CPC classification number: H01M4/9025 ,  H01M4/8652 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/885 ,  H01M4/8875 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/12 ,  H01M2004/8684 ,  H01M2008/1293

Abstract: 니켈촉매의환원율을높임으로써, 연료전지에있어서의촉매기능을높일수 있는전극용촉매재료를제공한다. 연료전지의전극용촉매재료로서, 니켈산화물과코발트산화물을포함하여구성됨과함께, 니켈금속성분과코발트금속성분의합계질량에대하여, 상기코발트금속성분을 2∼15질량% 포함하여구성된다.

公开(公告)号：KR101507169B1

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：KR1020080133364

申请日：2008-12-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  다케우치히사오 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 포함하고 있다. 우선, 원료(13)로부터의 열복사를 차단하기 위한 열차폐부(110)를 내부에 포함하는 챔버(101)가 준비된다. 그리고, 챔버(101) 내의, 열차폐부(110)에 대하여 한쪽에 원료(13)가 배치된다. 그리고, 원료(13)를 가열함으로써 승화시키고, 챔버(101) 내의 열차폐부(110)에 대하여 다른 쪽에, 원료 가스를 석출시킴으로써 III족 질화물 반도체 결정(15)이 성장된다.

公开(公告)号：KR101504772B1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020097021367

申请日：2008-12-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다니자키게이스케 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사 ,  나카하타히데아키 ,  야마모토요시유키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203 ,  H01L21/318

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정

公开(公告)号：KR1020150018500A

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：KR1020147028588

申请日：2013-04-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히라이와치히로 ,  마지마마사토시 ,  야마구치아츠시 ,  미즈하라나호

IPC: H01M8/12 ,  H01M8/02 ,  H01M8/24 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M8/2485 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/905 ,  H01M4/9066 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M2004/8684 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0082 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T156/10

Abstract: 연료극(fuel electrode)에 대량의 가스를 공급할 수 있음과 함께, 강도를 높인 고체 전해질 적층체 및 고체 전해질 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 고체 전해질층(2)과, 이 고체 전해질층의 일측에 적층하여 형성된 제1 전극층(3)과, 타측에 적층하여 형성된 제2 전극층(4)을 구비하는 고체 전해질 적층체(1)로써, 적어도 연료극을 구성하는 상기 제1 전극층이, 상기 고체 전해질층에 접합된 접합층(3a)과, 상기 접합층에 일체적으로 적층 형성됨과 함께 연속 기공을 갖는 다공질층(3b)을 구비하여 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020140145600A

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020147029194

申请日：2013-03-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠

Inventor： 히라이와치히로 ,  마지마마사토시 ,  야마구치아츠시 ,  미즈하라나호 ,  우다테츠야 ,  노다요헤이

IPC: H01M8/12 ,  H01M4/90 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/626 ,  H01B1/12

CPC classification number: H01M8/1253 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9607 ,  H01B1/122 ,  H01M4/881 ,  H01M4/8882 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/9025 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/12 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0071 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 프로톤 도전성을 갖는 고체 전해질층을 구비함과 함께, 당해 고체 전해질층의 일측에 적층되어, 란탄 스트론튬 코발트 복합 산화물(LSC)로 이루어지는 캐소드 전극층을 구비하는, 고체 전해질 적층체 및 그의 제조 방법이 제공된다. 이 고체 전해질 적층체는 니켈-이트륨 첨가 지르콘산 바륨(Ni-BZY)으로 이루어지는 애노드 전극층을 추가로 구비할 수 있다. 이 고체 전해질 적층체는 600℃ 이하 중온역(中溫域)에서 작동하는 연료 전지에 적합하다.

Abstract translation: 本发明提供一种固体电解质层叠体，其包含具有质子传导性的固体电解质层和层叠在固体电解质层的一面上并由氧化镧锶钴氧化物（LSC）构成的阴极电极层。 还提供了制造固体电解质的方法。 该固体电解质层压体还可以包括由掺杂了镍 - 钇的锆酸钡（Ni-BZY）制成的阳极电极层。 该固体电解质层压体适用于在小于或等于600℃的中间温度范围内运行的燃料电池。

公开(公告)号：KR1020140145599A

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020147029193

申请日：2013-03-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠

Inventor： 히라이와치히로 ,  마지마마사토시 ,  야마구치아츠시 ,  미즈하라나호 ,  우다테츠야 ,  한동린 ,  구라미츠아키코

IPC: H01M8/12 ,  H01M4/88 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/626 ,  H01B1/12 ,  H01M8/124

CPC classification number: H01M8/12 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9607 ,  H01B1/122 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/8896 ,  H01M8/1253 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0077 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 수소 이온 도전성을 갖는 이트륨 첨가 지르콘산 바륨으로 이루어지고, 이트륨 첨가량이 15∼20㏖％인 것과 함께, 100℃∼1000℃에 있어서의 격자 정수의 온도 변화에 대한 증가율이 거의 일정한, 고체 전해질 및 그의 제조 방법이 제공된다. 이 고체 전해질은 박막 형상으로 할 수 있고, 이 고체 전해질에 전극층을 적층함으로써, 고체 전해질 적층체로 할 수 있다. 이 고체 전해질은 중온(中溫) 작동형의 연료 전지에 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR101410534B1

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020097008369

申请日：2007-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미즈하라나호 ,  우에마츠고지 ,  미야나가미치마사 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  나카하타세이지 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B19/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24752

Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법은, {0001} 이외의 임의로 특정되는 면방위의 주요면(20m)을 갖는 Ⅲ족 질화물 결정(20)의 제조 방법으로서, Ⅲ족 질화물 벌크 결정(1)으로부터, 그 특정되는 면방위의 주요면(10pm, 10qm)을 갖는 복수의 Ⅲ족 질화물 결정 기판(10p, 10q)을 잘라내는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm)이 서로 평행하고, 또한, 이들 기판(10p, 10q)의 [0001] 방향이 동일하게 되도록, 가로 방향으로 이들 기판(10p, 10q)을 서로 인접시켜 배치하는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm) 상에, Ⅲ족 질화물 결정(20)을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 결정

公开(公告)号：KR101404270B1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020087014663

申请日：2007-01-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미즈하라나호 ,  미야나가미치마사 ,  가와세도모히로 ,  후지와라신스케

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  Y10T428/26

Abstract: 본 발명은 양호한 특성을 갖는 반도체 디바이스를 얻을 수 있는 AlN 결정의 제조 방법, AlN 결정, AlN 결정 기판 및 그 AlN 결정 기판을 이용하여 제작된 반도체 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. SiC 종결정 기판의 표면 상에 AlN 결정을 성장시키는 공정과, SiC 종결정 기판의 표면으로부터 AlN 결정측에 2 ㎜ 이상 60 ㎜ 이하의 범위에 있는 적어도 일부의 AlN 결정을 추출하는 공정을 포함하는 AlN 결정의 제조 방법이다. 또한, 그 방법에 의해 얻어지는 AlN 결정, AlN 결정 기판 및 그 AlN 결정 기판을 이용하여 제작된 반도체 디바이스이다.

公开(公告)号：KR1020110052569A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020117000709

申请日：2009-06-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  나카하타히데아키 ,  아라카와사토시 ,  야마모토요시유키 ,  사쿠라다다카시

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은 큰 두께를 가지며 또 고품질인 III족 질화물 결정을 성장시키는 III족 질화물 결정의 제조 방법 및 III족 질화물 결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. III족 질화물 결정(13)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 우선, (0001)면에서 방향으로 경사진 주표면(11a)을 갖는 하지 기판(11)이 준비된다. 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판(11)의 주표면(11a) 상에 III족 질화물 결정(13)이 성장된다. 하지 기판(11)의 주표면(11a)은 {01-10}면에서 -5° 이상 5° 이하 경사진 면인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR101025530B1

公开(公告)日：2011-04-04

申请号：KR1020087030971

申请日：2007-06-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 본 발명은 대형이며 전위 밀도가 낮은 결정을 얻을 수 있는 Al
x Ga
1-x N 결정의 성장 방법 및 Al
x Ga
1-x N 결정 기판을 제공한다.
본 Al
x Ga
1-x N 결정(0 x Ga
1-x N 결정(10)의 성장 방법으로서, 결정 성장 시, Al
x Ga
1-x N 결정(10)의 주성장 평면(11)에 복수의 패싯(facet)(12)을 갖는 피트(10p)를 적어도 1개 형성하며, 피트(10p)가 적어도 1개 존재하고 있는 상태에서 Al
x Ga
1-x N 결정(10)을 성장시킴으로써, Al
x Ga
1-x N 결정(10)의 전위를 저감시키는 것을 특징으로 한다.