Abstract:
PURPOSE: A small helicopter in tandem rotor type is provided to manufacture conveniently and precisely with an angle of a curved face and the shape, and to reduce the cost and the manufacturing time. CONSTITUTION: A diagonal line is drawn in an outer curved face of a cylinder having a smooth face. A blade is cut and manufactured completely. A pitch angle for contacting a blade to air is reduced from the root of the blade to the end to obtain constant lift value in the entire faces in rotating the blade of the helicopter. The blade is distorted with processing to incline spirally in the cylinder. The length of the blade is shortened, and the angle with the circle on the lower part of the cylinder is reduced to bend the curved face much in the small helicopter.
Abstract:
본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl 4 또는 CBr 4 를 특정공정조건에서 주입하여, CCl 4 또는 CBr 4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract:
A method for manufacturing a graphene electronic element includes: a step of forming a graphene layer on a metal substrate; a step of forming a metal protection layer by depositing a first metal onto the graphene layer; a step of forming an imaging support layer on the metal protection layer; a step of removing the metal substrate from the graphene layer; a step of imaging a graphene imaging layer made up of the graphene layer, the metal protection layer, and the imaging support layer onto a target substrate; a step of exposing the metal protection layer by removing the imaging support layer; a step of forming an electrode by depositing a second metal onto the metal protection layer; and a step of forming a metal protection pattern only on the bottom of the electrode by removing only the exposed part of the metal protection layer. Therefore, the features of a graphene electronic element are enhanced as the surface of the graphene layer is protected. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S11) Form a graphene layer on a metal substrate; (S13) Form a metal protection layer by depositing first metal onto the graphene layer; (S15) Form an imaging support layer on the metal protection layer; (S17) Remove the metal substrate from the graphene layer; (S31) Image a graphene imaging layer onto a target substrate; (S33) Expose the metal protection layer by removing the imaging support layer; (S35) Form an electrode by depositing second metal onto the metal protection layer; (S37) Form a metal protection pattern only on the bottom of the electrode by removing only the exposed part of the metal protection layer
Abstract:
태양전지 표면 전체에 균일한 집광이 되도록 하는 면 집광용 본체를 갖는 태양광 집광장치를 제공한다. 태양광 집광장치는 ⅰ) 태양전지의 집광면과 대향하는 일면을 포함하는 원판 형상을 가진 본체, 및 ⅱ) 일면에 형성된 복수의 프리즘들을 포함한다. 복수의 프리즘들은 본체의 중심을 기준으로 원주방향을 따라 동일한 간격으로 구획된 집광영역들에 형성되며, 복수의 프리즘들은 각 집광영역별로 상이한 굴절각을 가지고, 각 집광영역에 형성된 프리즘에 입사된 광들은 상호 동일한 각도로 굴절되어 집광면에 조사되도록 적용되고, 집광면이 실질적으로 균일한 광세기 분포를 가지도록 적용된다. 태양, 집광, 프레넬 렌즈, 집광장치, 태양전지
Abstract:
본 발명은 기판, 하부 전극, 상변화 물질, 상부 전극 및 열방출층을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 열방출층으로서 열전도도가 높은 AlN 열방출층 및 하부 전극으로서 열전도도가 낮으면서 적은 전류량으로 다량의 열을 발생시키는 TiN 전극을 포함하여, 상변화 물질과 전극 간에 발생한 열이 소자 내부로 이동하지 않고 신속하게 외부로 방출되어, 저전류 고속 동작이 가능하고 신뢰성이 향상된 상변화 메모리에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 기판, 하부 전극, 상변화 물질, 상부 전극 및 열방출층을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 열방출층으로서 열전도도가 높은 AlN 열방출층 및 하부 전극으로서 열전도도가 낮으면서 적은 전류량으로 다량의 열을 발생시키는 TiN 전극을 포함하여, 상변화 물질과 전극 간에 발생한 열이 소자 내부로 이동하지 않고 신속하게 외부로 방출되어, 저전류 고속 동작이 가능하고 신뢰성이 향상된 상변화 메모리에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 실리콘 기판과 강유전체층 사이에 식각 선택비가 높은 버퍼층을 삽입한 적층구조를 형성하고, 이 적층구조에서 소오스 및 드레인이 형성되는 부분에 대하여 식각을 수행하다가 버퍼층에서 식각을 정지시킴으로써 실리콘 기판의 손상없이 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터를 제작하여 칩의 집적도를 높일 수 있는 식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.