-
公开(公告)号：KR1020170011932A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150119100
申请日：2015-08-24
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/78 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 본발명은질화물반도체기판제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는화학기상식각에의한공극및 열응력차이를이용하여질화물반도체기판을예비기판으로부터자발적으로분리(self-separation)되도록하여저결함질화물반도체기판을제조하는방법에관한것이다. 저결함질화문반도체기판제조방법으로서, 예비기판의상부에질화물반도체템플레이트층을형성시키는단계; 상기예비기판및 상기질화물반도체템플레이트층을화학기상식각하여, 상기예비기판과상기질화물반도체템플레이트층의계면에공극(void)을형성시키는단계; 상기질화물반도체템플레이트층상부에질화물반도체를재성장시켜상기질화물반도체템플레이트층을포함하는질화물반도체기판을형성시키는단계; 상기예비기판과상기질화물반도체기판이열응력차이에의하여상기예비기판과상기질화물반도체기판이자가분리(self-separation)되는단계;를포함할수 있다. 나아가, 상기각 단계는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를이용하여인시추(in-situ) 방식으로수행되는방법을개시한다.
-
公开(公告)号：KR101394565B1
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020120091088
申请日：2012-08-21
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 사파이어 등 기판을 반구형의 마이크로 렌즈 어레이로 패턴(예, hemispherically patterned sapphire substrate(HPSS))하거나 사파이어 등 기판 위에 산화막(예, SiO
2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴을 형성한 후 질화물 반도체층을 형성하되 질화물 반도체층 간에 적어도 1회 이상 더 산화막(예, SiO
2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이를 형성한 템플레이트층 구조를 이용함으로써, 질화물 반도체층 간의 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴이 사파이어 등 기판에 형성된 패턴들 사이에서 생성되는 결함들의 상부로의 확장을 차단하여 질화물 반도체층의 결정성을 향상시키고, 이중 또는 다중 렌즈의 기능에 의해 광 추출효과를 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 에피 구조의 반도체 소자용 기판 및 템플레이트 제조 방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020140025045A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020120091088
申请日：2012-08-21
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L2933/0091
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a template and a substrate for a semiconductor device of a nitride semiconductor epitaxial structure which improves crystallizability of a nitride semiconductor layer by preventing defects formed between patterns in which a hemispherical micro-lens pattern between nitride semiconductor layers is formed on a substrate such as a sapphire from being expanded to the upper side by forming being expanded to the upper side using a template layer structure. The template layer structure patterns the substrate such as a sapphire with a hemispherical micro-lens array (for example, hemispherically patterned sapphire substrate (HPSS)) or forms a hemispherical micro-lens array pattern on the substrate such as a sapphire with an oxide film (for example, SiO2), and then forms a nitride semiconductor and forms a hemispherical micro-lens array between the nitride semiconductor layers with the oxide film (for example, SiO2) over 1 time.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体外延结构的半导体器件的模板和衬底的方法，该方法通过防止在氮化物半导体层之间形成半球形微透镜图案的图案之间形成的缺陷来改善氮化物半导体层的结晶性 形成在诸如蓝宝石的衬底上，通过使用模板层结构通过成形被扩展到上侧来扩展到上侧。 模板层结构对具有半球形微透镜阵列（例如，半球形蓝宝石衬底（HPSS））的蓝宝石衬底进行图案化，或者在具有氧化膜的蓝宝石衬底上形成半球形微透镜阵列图案 （例如SiO 2），然后形成氮化物半导体，并且在氮化物半导体层之间与氧化膜（例如SiO 2）一次形成半球形微透镜阵列。
-
公开(公告)号：KR101118268B1
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020090080058
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0062 , H01L33/16
Abstract: 본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 사파이어 기판을 요철 구조 패턴으로 식각하여 그 위에 템플레이트(template) 층을 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 사파이어 기판을 식각하여 요철 구조 패턴을 형성한 후, 상기 요철 구조 패턴이 형성된 상기 사파이어 기판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 방법을 개시한다.
반도체 광소자, 비극성, 반극성, 사파이어 기판, 요철, PSS, LED-
公开(公告)号：KR101082788B1
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020090098521
申请日：2009-10-16
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은비극성/반극성질화물반도체층성장이가능한사파이어결정면위에질화물반도체결정을형성하여극성질화물반도체의활성층에서발생하는압전현상(piezoelectric effect)을제거하고, 사파이어기판위에다공성(porous) 질화물반도체층(예를들어, GaN 층)을형성한후 그위로질화물반도체층(예를들어, InAlGaN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층)을재성장시켜 GaN 층의결함밀도를줄이고내부양자효율과광추출효율을향상시킨고품질비극성/반극성반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일면에따라비극성또는반극성질화물반도체층의성장을위한결정면을갖는사파이어, SiC, 또는Si기판상에템플레이트층과반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법에서, 상기기판위에질화물반도체층을형성하고상기질화물반도체층을다공성으로표면개질한 후, 상기표면개질된질화물반도체층위로질화물반도체층을재성장한상기템플레이트층을형성하고, 상기템플레이트층위에상기반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법을개시한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110082886A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002818
申请日：2010-01-12
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/145 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A high efficient semiconductor optical device formed by an epitaxial structure and a manufacturing method thereof are provided to insert diffusion preventing layers into the upper/lower parts of each barrier layer of an MWQ(Multi-Quantum Well) structure, thereby increasing quantum efficiency. CONSTITUTION: An active layer(30) is formed on an N type nitride semiconductor layer(20). An electron blocking layer(40) is formed on the active layer. A P type nitride semiconductor layer(50) is formed on the electron blocking layer. The transparent conductive film(52) is formed on the P-type nitride semiconductor layer. The P-type contact metal electrode(54) is formed on the transparent conductive film.
Abstract translation: 目的：提供一种通过外延结构形成的高效半导体光学器件及其制造方法，以将扩散防止层插入MWQ（多量子阱）结构的每个势垒层的上/下部分，从而提高量子效率 。 构成：在N型氮化物半导体层（20）上形成有源层（30）。 在有源层上形成电子阻挡层（40）。 在电子阻挡层上形成P型氮化物半导体层（50）。 透明导电膜（52）形成在P型氮化物半导体层上。 P型接触金属电极（54）形成在透明导电膜上。
-
公开(公告)号：KR1020110076256A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090132916
申请日：2009-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/2011 , H01L33/32 , H01S5/32341
Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar semiconductor device including a substrate surface nitride layer and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of the semiconductor device by lowering the crystalline defect density of a nitride semiconductor layer. CONSTITUTION: A template layer(120) and a photo-element structure are formed on a sapphire substrate with a crystalline surface. In a temperate forming process, a nitrided layer(121) forming process, a nitride semiconductor layer forming process, and a GaN layer forming process are included. The nitrided layer is formed by nitriding the surface of the sapphire substrate. The nitride semiconductor layer is formed on the nitrided layer. The GaN layer is formed on the nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括衬底表面氮化物层的高质量非极性半导体器件及其制造方法，以通过降低氮化物半导体层的晶体缺陷密度来提高半导体器件的可靠性。 构成：在具有结晶表面的蓝宝石衬底上形成模板层（120）和光电元件结构。 在温带形成工艺中，包括氮化层（121）形成工艺，氮化物半导体层形成工艺和GaN层形成工艺。 氮化层通过氮化蓝宝石衬底的表面而形成。 氮化物半导体层形成在氮化层上。 GaN层形成在氮化物半导体层上。
-
公开(公告)号：KR1020100129048A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090047797
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A highly efficient light emission diode structure is provided to improve the light efficiency even in the low forward voltage by forming the structure of a contact metal electrode of P type and N type in finger type. CONSTITUTION: A n-type contact metal electrode(22) is electrically connected to a n-type nitride semiconductor layer(20). The n-type contact metal electrode is made of Ni, Au, or their alloy. A transparent conductive film(52) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A p-type contact metal electrode(54) is formed on the partial area of the transparent conductive film.
Abstract translation: 目的：提供高效率的发光二极管结构，通过形成手指型P型和N型接触金属电极的结构，即使在低正向电压下也能提高光效。 构成：n型接触金属电极（22）与n型氮化物半导体层（20）电连接。 n型接触金属电极由Ni，Au或它们的合金制成。 在p型氮化物半导体层上形成透明导电膜（52）。 p型接触金属电极（54）形成在透明导电膜的局部区域上。
-
公开(公告)号：KR102230458B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020190088718
申请日：2019-07-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/324
Abstract: 본발명은다이아몬드기판제조방법에관한것으로서, 본발명의다이아몬드기판제조방법은, 사파이어(Al2O3) 등의기판상에포토레지스트패턴및 에어갭형성막물질을열처리등을이용하여하부기판과의결정적상관성을갖는에어갭구조를형성한후 다이아몬드를성장시키는방법이다. 이방법을통해대면적/대구경단결정다이아몬드를이종성장시 공정을간단하게하고비용을낮추며, 이종기판과다이아몬드사이의격자상수및 열팽창계수차이로인한응력을완화시키고온도하강시에도결함이나크랙발생을감소시켜고품질의단결정다이아몬드기판을제작하고, 이종기판으로부터다이아몬드기판의자가분리가용이하게이루어질수 있다.
-
公开(公告)号：KR101919353B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160028407
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 및상기버퍼층에형성된나노막대층을포함하는질화물반도체나노막대장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.022 seconds)
