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公开(公告)号：KR100170485B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950050521
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 웨이퍼 측면파지를 위한 구동기구에 관한 것으로 종래의 웨이퍼 이송장치는 장비내에서 웨이퍼를 공정모듈에 이송할 때, 삼발이, 공압구동기 및 벨로우즈 등의 복잡한 부설장치가 공정모듈에 필요하게 되어, 진공배기 속도, 공정안정도 및 공정균일도가 나빠지게 되며 또한 웨이퍼 측면파지형 집게의 구조는 위와 같은 문제점을 개선하기는 하지만, 집게손가락이 웨이퍼를 잡을 때 각 집게손가락에 개별적으로 작동되는 인장스프링에 의한 탄성력에만 의존하여 개별적으로 작용하므로, 집게의 좌우방향에 대한 각도의 균형 및 강성이 작다는 문제점이 있어 웨이퍼의 파지가 실패할 우려가 있었으나 본 발명은 집게를 구동하는 두 회전축의 풀리(pulley) 주위에 인장강성이 높은 연동용 스틸 벨트(steel belt)를 8자 형태로 감아 � �� 개의 집게손가락의 회전운동이 연동되도록 하여 웨이퍼를 보다 안정하게 파지할 수 있고, 또한 집게의 측면방향에 대한 강성을 부여함으로써 웨이퍼의 이송속도를 증가시킬 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송용 집게(end effector)의 구동기구에 관한 것임.
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公开(公告)号：KR1019970004476B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930026310
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: The automatic horizontal balance measuring device for a wafer is composed of an automatic horizontal balance measurer(1-20,20), a stage(30) which has X,Y horizontal mobility, and a reduced projection lens(40) which ensures the image forming on the wafer. As a light source it uses the semiconductor laser(1), and as a light direction adjuster, it uses a sector polarizer(11). With the light reducer(12) which can adjust the light amount, it receives the laser beam and converts into a parallel light. It comes on the surface of the wafer at the incidence angle of 76 degree. And by incidence, the parallel beam at the surface of wafer at larger incidence angle, it can obtain the larger area measurement.
Abstract translation: 用于晶片的自动水平平衡测量装置由自动水平平衡测量器（1-20,20），具有X，Y水平移动性的平台（30）和确保图像的减小投影透镜（40）组成 在晶片上形成。 作为光源，使用半导体激光器（1），并且作为光方向调整器，其使用扇形偏振器（11）。 利用可以调节光量的减光器（12），它接收激光束并转换成平行光。 它以76度的入射角落在晶片的表面上。 并且通过入射，平行光束在晶圆表面的入射角较大时，可以获得较大的面积测量。
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公开(公告)号：KR1019960026076A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033475
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 노광장비인 웨이퍼 스테퍼의 웨이퍼 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 레이저 광원으로는 He-Ne 레이저 대신에 자기장에 의한 에너지 띄의 미세분리 효과를 이용한 제만(Zeeman) 레이저로서 두 광파가 수 MHz의 상이한 주파수 차를가지며 두 광파의 편광이 항상 수직을 유지하는 제만 주파수 안정화 레이저를 사용하여 정렬광의 위상과 레이저 기준신호의 위상을 비교함으로써 수십 KHz의 상이한 주파수 차를 가지는 두 광파로 분리하기 위해서 광-음향 변조기(acousto-optic modulator)를 사용해야 하는 종래의 He-Ne 레이저에 비해 비교적 간단한 광학계로 빠른 정렬과 높은 정렬 정밀도를달성할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960026075A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033474
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 스탭퍼에 있어서 반도체 미세회로 패턴을 지닌 마스크 패턴이 옮겨질 웨이퍼 사이를 정렬하는 정렬장치 및 그 방법에 관한 것으로 웨이퍼를 바로 노광위치에서 정렬을 수행하고 노광을 하며 또는 노광을 수행하는 동안에도 웨이퍼 정렬을 수행할 수 있으며 정렬광을 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법으로써 off-axis 정렬 방식에서 웨이퍼 스테이지 base-line 오차가 근본적으로 발생하지 않도록 하는 웨이퍼 스탭퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100347517B1
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：KR1019990054156
申请日：1999-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본발명은노광장비의조명광학계에있어서노광장비의초점심도와해상도를증가시키기위하여복굴절광학부품을사용한리소그래피장비의변형조명장치를제공하는데그 목적이있다. 본발명에따르면, 광원으로부터입사되는빛을일정한모양으로정형하기위한광속확대기와파리눈렌즈인터그레이터(Fly's Eye Integrator), 상기광속확대기로부터전달되는광을효율적으로상기파리눈렌즈인터그레이터에전달하기위한줌 렌즈및 변형조명(Modified Illumination)을위하여상기파리눈렌즈인터그레이터에삽입되어있는변형조명판을포함하여이루어진리소그래피(Lithography) 장비의변형조명장치에있어서, 상기광속확대기로부터입사된빛을변형조명으로생성하여상기파리눈렌즈인터그레이터에전달하고, 조명에너지의손실을감소시키기위한다수의복굴절광학부로이루어져있는복굴절광학유니트를포함하여이루어진것을특징으로하는리소그래피장비의변형조명장치가제공된다.
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公开(公告)号：KR100296980B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019990011966
申请日：1999-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/207
Abstract: 본발명은리소그래피장비에서사진전사하고자하는원본인마스크의상을광학계를사용하여기판위에도포된감광제층에맺히게함에있어서상이맺히는위치를광학계의광축과동일한방향으로어느정도의범위에걸쳐서형성되게함으로써광학계의초점심도를확장하고그 범위를조절할수 있는복굴절물질을이용한광학계의초점심도확장범위조절방법및 장치에관한것으로복굴절물질로평행평판과같은광학부품을제작하여광학계내에설치하면입사한빛의편광방향에따라서그 굴절률에차이가나타나게되어빛이지나가게되는경로가달라지게되고, 그결과광학계의광축방향을따라상을맺는위치가달라지게되어일정한범위에서연속적으로상을맺게됨으로써이 범위에서원하는해상도의상을얻을수 있게된다. 따라서복굴절물질로만들어진광학부품의방향조절과두께변화를통하여원하는해상도를유지하면서초점의위치를조절하므로서초점심도의확장과정확한초점위치를유지하고자하는리소그래피장비등의광학계에장착되어반도체나디스플레이소자등을사진전사적방법에의해제작할때 원하는해상도의상이맺히는범위를광축방향으로확장하고정확한초점위치의구현과유지에사용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010048980A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990053887
申请日：1999-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28593 , H01L29/42316
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gamma gate of a high electron mobility transistor(HEMT) is provided to remarkably reduce device noise, by sufficiently increasing the head of the gamma gate in area. CONSTITUTION: The first resist is applied on a GaAs substrate. After an exposure and development process, the first resist is hardened to form the first resist pattern. The second resist is applied on the GaAs substrate and the first resist pattern. After an exposure and development process, the second resist is hardened to form the second resist pattern. A portion of the GaAs substrate not covered by the first and second resist patterns is defined as a region(103) where the footprint of the gamma gate is formed. A portion of the GaAs substrate not covered by the second resist pattern but covered by the first resist pattern is defined as a region(102) where the head of the gamma gate is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的伽马栅的方法，通过充分增加伽马门的头部区域，显着降低器件噪声。 构成：将第一抗蚀剂施加在GaAs衬底上。 在曝光和显影处理之后，第一抗蚀剂被硬化以形成第一抗蚀剂图案。 将第二抗蚀剂施加在GaAs衬底和第一抗蚀剂图案上。 在曝光和显影处理之后，第二抗蚀剂被硬化以形成第二抗蚀剂图案。 未被第一和第二抗蚀剂图案覆盖的GaAs衬底的一部分被定义为形成伽马栅的覆盖区的区域（103）。 GaAs衬底的未被第二抗蚀剂图案覆盖但被第一抗蚀剂图案覆盖的部分被定义为形成伽马栅的头部的区域（102）。
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公开(公告)号：KR100276688B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980052528
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 형성되며, 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다
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