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公开(公告)号：KR1019970051605A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053673
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019960026990A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035163
申请日：1994-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 표시장치 및 광 모듈레이터용 수평이동형 광개폐소자의 구조와 제조방법에 관한 것으로, 빛의 사용효율을 높이고 생산단가를 낮추기 위하여 마이크로 머시닝 기술을 이용하여 3차원 미소 기계 구조체를 형성하며, 하부전극 및 상부전극 그리고 이동전극 사이의 인가전압 차이에 의해 발생하는 정전력을 구동원으로 하여 수평이동자가 움직이며, 최상부의 마스크 및 빗살무늬로 형성된 창을 빛의 차단 및 통과를 제어하며, 마이크로 머시닝 기술의 약점인 회생층 제거 시의 상층과 기판과의 고착을 방지하기 위한 지지빔으로 구성됨을 특징으로 하는 미소 기계 구조체 수평이동형 광개폐소자 및 그 제조방법.
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公开(公告)号：KR1019950021796A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028481
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 기판접합기술을 이용한 압력센서 감지부 제조방법에 관한 것으로서, 종래 기술은 수압부의 크기에 의해 다이어-프램의 크기가 결정되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 결정방향이 다른 두 기판을 산화막을 개재시켜 접합시키고, 한 기판을 박막화하여 다이러프램 두께로 만들고, 다른 기판에 수압부를 구현하며, 이 수압부를 통해 산화막을 제거시키면 수압부의 크기와 관계없이 다이어프램의 면적을 임의로 조절할 수 있는 제조방법을 제공함으로써 수압부와 다이 어프램을 독립적으로 구현하여 수압부 면적보다 면적이 넓은 다이어프램의 압력센서 감지부를 제작할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950003957B1
公开(公告)日：1995-04-21
申请号：KR1019920006001
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: The Josephson junction device is manufactured by (a) semiconductors with low and gap on the insulating substrate in sequence and forming a two dimensional electromagnetic device with a certain density on the interface of semiconductors having low and high band gaps, (b) coating the photoresist on it first, mesa etching it after patterning by lithography and removing the photoresist, (c) coating the photoresist on it second, eliminating the photoresist on the two dimensional electromagnetic device selectively, forming the superconducting thin film layer on the side of photoresist, and removing the residual photoresist.
Abstract translation: 约瑟夫逊连接装置由（a）依次在绝缘基板上具有低间隙的半导体制造，并在具有低和高带隙的半导体的界面上形成具有一定密度的二维电磁装置，（b）涂覆光致抗蚀剂 首先，台面在通过光刻进行图案化之后蚀刻并除去光致抗蚀剂，（c）在其上第二次涂覆光刻胶，有选择地消除二维电磁装置上的光致抗蚀剂，在光致抗蚀剂的侧面形成超导薄膜层，以及 去除残留的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR1019950003956B1
公开(公告)日：1995-04-21
申请号：KR1019920011451
申请日：1992-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: The Josephson device is manufactured by (a) growing GaAs with low band gap AlGaAs with high band gap and silicon-doped AlGaAs on the insulating GaAs substrate, repeatedly in sequence, (b) mesa etching it to be the superlattice mesa after coating the photoresist on the grown layer and forming the device shape, and removing the phoresist, (c) etching selectively both sides of superlattice mesa to build up the electrodes and forming the superconducting thin film layer on it.
Abstract translation: 约瑟夫逊器件通过以下方式制造：（a）在绝缘GaAs衬底上生长具有高带隙的低带隙AlGaAs和掺杂硅的AlGaAs的GaAs，（b）在涂覆光致抗蚀剂之后，将其蚀刻成为超晶格台面 在生长层上形成器件形状并去除光刻胶，（c）选择性地蚀刻超晶格台面的两面以形成电极并在其上形成超导薄膜层。
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公开(公告)号：KR1019940011744B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019910008667
申请日：1991-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: This invent is about the sample holder for CBE/ALE systems which is able easily to heat samples, to move toward all directions, and to rorate by 360 degree. The suggested sample holder is composed of a long manipulator (1) moving by 100 cm, a sample carrier holder (3), a sample fixing board (2), a heating plate (9), a reflecting plate (10), a fixed screws(11), a bearing (12), and a bevel gears (13) as shown in the figure, and is designed to increase the temperature of the sample fixing board to 200 through 1100 deg.C. This sample holder is useful especially when the compound semiconductor is grown epitaxially by CBE/ALE systems.
Abstract translation: 本发明涉及用于CBE / ALE系统的样品架，其能够容易地加热样品，向各个方向移动，并且360度旋转。 建议的样品架由100cm移动的长操纵器（1），样品载体保持架（3），样品固定板（2），加热板（9），反射板（10），固定 螺钉（11），轴承（12）和锥齿轮（13），并且被设计成将样品固定板的温度提高到200至1100℃。 当化合物半导体由CBE / ALE系统外延生长时，该样品保持器是有用的。
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公开(公告)号：KR1019930006987A
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：KR1019910016477
申请日：1991-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: 본 발명은 종래의 병렬형 게이트 단자를 가지는 양자간섭 트랜지스터 보다 우수한 간섭현상을 나타내기 위한 다기능 수직형 게이트의 양자간섭 트랜지스터의 제작에 관한 것이다.
게이트 금속 단자면을 전자의 한쪽 통로 위에 소자의 성장면과 평행하게 올려놓음으로써, 전자가 게이트 밑을 통과할때 보다 일정한 전압의 영향을 받게하여, 여러가지 전자통로에 대한 게이트 전압의 파동(fluctuation)으로 부터 발생하는 효과를 줄이고, 게이트 임계전압을 낮추고 트랜지스터의 상호 콘덕턴스(transconductance)를 높인다. -
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