公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102017108541A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108541

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN

IPC: H01L21/283

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten einer elektronischen Komponente, die wenigstens ein elektrisch leitfähiges Kontaktgebiet enthält, Folgendes enthalten: Bilden einer Kontaktstelle, die ein selbstsegregierendes Gemisch enthält, über dem wenigstens einen elektrisch leitfähigen Kontaktgebiet, um die elektronische Komponente elektrisch zu kontaktieren (101); und Bilden einer Segregationsunterdrückungsstruktur zwischen der Kontaktstelle und der elektronischen Komponente, wobei die Segregationsunterdrückungsstruktur mehr keimbildungsinduzierende Topographiemerkmale enthält als das wenigstens eine elektrisch leitfähige Kontaktgebiet, zum Stören einer chemischen Segregation des selbstsegregierenden Gemisches durch kristallographische Grenzflächen der Kontaktstelle, die durch die keimbildungsinduzierenden Topographiemerkmale definiert sind (103).

公开(公告)号：DE102015120547A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102015120547

申请日：2015-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK THOMAS ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KONRATH JENS PETER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/43

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement (100) Folgendes enthalten: einen Schichtenstapel, der auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist, wobei der Schichtenstapel aufweist: eine Metallisierungsschicht (106), die ein erstes Metall oder eine erste Metalllegierung enthält; eine Schutzschicht (108), die die Metallisierungsschicht (106) abdeckt, wobei die Schutzschicht (108) ein zweites Metall oder eine zweite Metalllegierung enthält, das weniger edel als das erste Metall oder die erste Metalllegierung ist.

公开(公告)号：DE102015109192A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015109192

申请日：2015-06-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HECHT CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/18 ,  H01L21/30 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: Repräsentative Implementierungen von Vorrichtungen und Techniken stellen eine optimierte Schicht für ein Halbleiterbauelement bereit. In einem Beispiel kann ein dotierter Bereich eines Wafers, der eine Substratsschicht (102) bildet, von dem Wafer zu einem Akzeptor oder Handhabungswafer übertragen werden. Eine Bauelementschicht (104) kann auf die Substratsschicht (102) aufgebracht werden. Der Akzeptorwafer (106) wird von der Substratsschicht (102) getrennt. In manchen Beispielen kann eine weitere Bearbeitung mit Bezug auf die Substrat- und/oder Bauelementschicht (104) durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102014116628A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102014116628

申请日：2014-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Junction-Feldeffekttransistorzelle (TC) einer Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Oberseiten-Gatebereich (150), einen lateralen Kanalbereich (115) und einen vergrabenen Gatebereich (140), die längs einer vertikalen Richtung angeordnet sind. Der laterale Kanalbereich (115) umfasst erste Zonen (115a) eines ersten Leitfähigkeitstyps und zweite Zonen (115b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die einander längs einer lateralen Richtung senkrecht zu der vertikalen Richtung abwechseln. Eine Abschnürspannung der Junction-Feldeffekttransistorzelle (TC) hängt nicht oder nur in geringem Maß von der vertikalen Ausdehnung des lateralen Kanalbereiches (115) ab.

公开(公告)号：DE102014107172A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102014107172

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338

Abstract: Es ist eine Feldeffekt-Halbleitervorrichtung vorgesehen, die einen Halbleiterkörper (40) mit einer Hauptfläche (101) aufweist. Der Halbleiterkörper (40) umfasst, in einem vertikalen Querschnitt im Wesentlichen orthogonal zur Hauptfläche (101), eine Driftschicht (1a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Halbleitermesa (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an die Driftschicht (1a) angrenzt, sich im Wesentlichen zur Hauptfläche (101) erstreckt und zwei Seitenwände aufweist, und zwei zweite Halbleitergebiete (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die benachbart zu der Halbleitermesa (1b) angeordnet sind. Jedes der beiden zweiten Halbleitergebiete (2) bildet einen pn-Übergang wenigstens mit der Driftschicht (1a). Ein Gleichrichterübergang (18) ist wenigstens an einer der beiden Seitenwände der Mesa gebildet. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung einer Heteroübergangs-Halbleitervorrichtung vorgesehen.