公开(公告)号：DE102005024879A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：DE102005024879

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRANIG WOLFGANG ,  ZIMMER JUERGEN ,  HAMMERSCHMIDT DIRK

IPC: G01B7/30 ,  B62D15/02 ,  G01B7/02 ,  G01D5/20

Abstract: Multiple first pairs of variates are generated (2410) for multiple swing angle values. Each pair of variates in the multiple first pairs of variates has a swing angle value and an allocated test/measurement signal value for a first test/measurement signal. A first sinusoidal matching function is determined (2420) with its course adapted to the multiple first pairs of variates. An independent claim is also included for a method for reducing a residual angle error.

公开(公告)号：FR2952175B1

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：FR1004265

申请日：2010-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUSSERLECHNER UDO ,  WERTH TOBIAS ,  SLAMA PETER ,  ZIMMER JUERGEN ,  RABERG WOLFGAN ,  SCHMITT STEPHAN ,  ORASCH MARTIN

IPC: G01D5/12

Abstract: Elément (10) magnétique formant codeur, comprenant un capteur de champ magnétique pour mesurer une position le long d'une première direction, l'élément étant caractérisé en ce qu'il comprend une première piste (15) comprenant un matériau procurant une configuration magnétique le long de la première direction, la configuration magnétique étant formée par un vecteur d'aimantation rémanente, qui a une amplitude variable en fonction d'une position le long de la première direction, le vecteur d'aimantation rémanente ne changeant pas d'orientation le long de la première direction.

公开(公告)号：DE102016215040A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102016215040

申请日：2016-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEGEDUS AKOS ,  JOST FRANZ ,  KAPSER KONRAD ,  KÜMMEL HANSJOERG ,  WITSCHNIG HARALD ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: G01B7/30 ,  G01R17/00 ,  G01R33/09

Abstract: Ein magnetischer Winkelsensor, der eine erste Wheatstone-Brückenschaltung mit mehreren ersten magnetoresistiven Elementen; und eine zweite Wheatstone-Brückenschaltung mit mehreren zweiten magnetoresistiven Elementen aufweist, wobei die mehreren zweiten magnetoresistiven Elemente Diversität in Bezug auf die mehreren ersten magnetoresistiven Elemente aufweisen.

公开(公告)号：DE102016204886A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102016204886

申请日：2016-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PRÜGL KLEMENS ,  RABERG WOLFGANG ,  STRASSER ANDREAS ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: Eine magnetoresistive Einrichtung kann eine erste magnetische Schichtstruktur mit einer ersten Länge, eine Barrierenschicht, die auf der ersten magnetischen Schichtstruktur angeordnet ist, eine zweite magnetische Schichtstruktur, die auf der Barrierenschicht angeordnet ist und eine zweite Länge besitzt, die kleiner ist als die erste Länge, enthalten.

公开(公告)号：DE102009050427B4

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102009050427

申请日：2009-10-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: G01D5/16 ,  G01B7/30 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

Abstract: Sensorsystem (100, 300), das folgende Merkmale aufweist: einen ersten, magnetoresistiven Sensorwiderstand (301), der eine festgelegte Magnetschicht (202) mit einer festen Orientierung in einer Referenzmagnetisierungsrichtung (204) umfasst und derart konfiguriert ist, dass der Widerstandswert des ersten Sensorwiderstands (301) sich ansprechend auf einen Winkel ändert, der zwischen der Referenzmagnetisierungsrichtung (204) und einem Magnetfeld definiert ist; eine Mehrzahl von zweiten, magnetoresistiven Sensorwiderständen (302a, 302b, 302c, 302d), die konfiguriert sind, um ein Differenzsignal zu liefern, wobei jeder eine festgelegte Magnetschicht mit einer festen Orientierung in der Referenzmagnetisierungsrichtung (204) umfasst, wobei die feste Orientierung der festgelegten Magnetschicht aller Sensorwiderstände, die konfiguriert sind, um das Differenzsignal zu liefern, in der Referenzmagnetisierungsrichtung (204) ist, und einen drehbaren Magneten (110; 111), der ein Magnetfeld einrichtet, wobei der erste, magnetoresistive Sensorwiderstand in einem homogenen Abschnitt des Magnetfeldes positioniert ist; und die zweiten, magnetoresistiven Sensorwiderstände in einem inhomogenen Abschnitt des Magnetfeldes positioniert sind.

公开(公告)号：DE102011086488A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：DE102011086488

申请日：2011-11-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf xMR-Sensoren, Sensorelemente und Strukturen, und Verfahren. Bei einem Ausführungsbeispiel weist ein Sensorelement eine nicht längliche xMR-Struktur auf; und eine Mehrzahl von Kontaktregionen, die auf der xMR-Struktur gebildet sind, derart voneinander beabstandet, dass eine nicht homogene Stromrichtung und Stromdichteverteilung in der xMR-Struktur induziert wird, wenn eine Spannung zwischen der Mehrzahl von Kontaktregionen angelegt ist.

公开(公告)号：DE102011085955A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102011085955

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUEHN OLAF ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHLEDZ RALF ,  STRASER ANDREAS DR ,  THYSSEN NORBERT ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf xMR-Sensoren, die eine sehr ausgeprägte Formanisotropie aufweisen. Ausführungsbeispiele beziehen sich außerdem auf neuartige Strukturierungsprozesse von xMR-Stapeln, um sehr ausgeprägte Formanisotropien zu erzielen, ohne das für die Leistungsfähigkeit relevante magnetfeldempfindliche Schichtsystem chemisch zu beeinflussen und dabei gleichzeitig vergleichsweise einheitliche Strukturbreiten über einen Wafer hinweg bereitzustellen, bei Ausführungsbeispielen bis auf etwa 100 nm. Ausführungsbeispiele können auch xMR-Stapel liefern, die Seitenwände des für die s aufweisen, die glatt sind und/oder eine definierte laterale Geometrie aufweisen, was wichtig ist, um ein homogenes magnetisches Verhalten über den Wafer hinweg zu erzielen.

公开(公告)号：DE102006050833B4

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：DE102006050833

申请日：2006-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  ALTIS SEMICONDUCTOR SNC

Inventor： ZIMMER JUERGEN ,  KLOSTERMANN ULRICH ,  ALOF CHRISTIAN

IPC: H01L43/08 ,  G01R17/00 ,  G01R33/09 ,  H01L43/12

公开(公告)号：DE102009038257A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：DE102009038257

申请日：2009-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L27/22 ,  G01R33/09

Abstract: An integrated circuit including a first magneto-resistive sensing element, magnetic material and a spacer. The magnetic material is situated laterally to the first magneto-resistive sensing element. The spacer is situated between the first magneto-resistive sensing element and the magnetic material. The magnetic material is magnetically coupled to the first magneto-resistive sensing element.

公开(公告)号：DE102006062750A1

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：DE102006062750

申请日：2006-09-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZIMMER JUERGEN

IPC: G01D5/16 ,  G01F1/68 ,  G01R17/00 ,  G01R33/09

Abstract: An apparatus for detecting a change of a physical quantity by means of a conductor structure having a processor for applying a defined supply signal to the conductor structure so as to effect a current flow through the conductor structure, the current flow being changeable by the physical quantity, and a detector for detecting a magnetic field caused by the current flow through the conductor structure by means of a magnetoresistive element allocated to the conductor structure, a change of the physical quantity being associated with a change of the detected magnetic field.