公开(公告)号：CN107039228A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710149550.3

申请日：2017-01-11

Applicant: FEI公司

Inventor： C·D·钱德勒

IPC: H01J37/305

CPC classification number: H01J37/32522 ,  C23F4/00 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02689 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L39/2477 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/006

Abstract: 本发明涉及带电粒子束诱导刻蚀。一种显微机械加工工艺，包括：将工件表面暴露于前驱气体，该前驱气体包括具有酸性卤化物官能团的化合物；以及在前驱气体存在的情况下用射束照射工件表面，所述前驱气体在粒子束存在的情况下发生反应以从工件表面去除材料。

公开(公告)号：CN104508174B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380039732.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  阿德金·沙拉积历

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。

公开(公告)号：CN105645423A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610004212.6

申请日：2011-08-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  E·E·琼斯 ,  邹鹏 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·S·雷

IPC: C01B35/06

CPC classification number: C01B35/061 ,  C01P2006/88 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  Y02P20/134

Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。

公开(公告)号：CN102439683B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080020420.6

申请日：2010-04-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  提摩太·J·米勒

IPC: H05H1/24 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0456 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/31701 ,  Y10S438/961

Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。

公开(公告)号：CN104822482A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380063847.8

申请日：2013-10-07

Applicant: FEI公司

Inventor： S.斯通 ,  S.H.李 ,  J.布莱克伍德 ,  M.施米德特

IPC: B23K15/08 ,  B23K15/00 ,  C23F4/04

CPC classification number: H01J37/3005 ,  G01N1/32 ,  G01N23/2255 ,  G01N2223/104 ,  G01N2223/611 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/31 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2813 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 为了减少通过聚焦离子束暴露以供查看的表面中的伪像，靠近感兴趣的区域铣削沟槽，并且填充沟槽以创建隔板。离子束被引导通过隔板以暴露感兴趣的区域的一部分以供查看。沟槽例如是通过带电粒子束感应沉积来填充的。沟槽典型地被自顶向下铣削和填充，并且然后，离子束关于样本表面成角度以暴露感兴趣的区域。

公开(公告)号：CN104795302A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410583821.2

申请日：2014-10-28

Applicant: FEI公司

Inventor： A.巴克斯鲍姆

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/222 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G01N1/44 ,  H01J37/261 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/262 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/31745

Abstract: 本发明涉及具有用于横切应用的过程自动化的图案识别的差分成像。一种方法，用于通过允许操作者在过程期间拍摄多个图像来将差分成像用于涉及TEM样本的应用，所述过程涉及聚焦离子束过程并且覆盖多个图像以创建清楚地示出研磨步骤之间的差异的差分图像。该方法还涉及生成被研磨区域的实时图像，以及使用差分图像的覆盖来示出每个图像中的小改变，并因此加亮离子束研磨位置。该方法还涉及自动化创建差分图像并使用该差分图像来自动研磨后继切片的过程。

公开(公告)号：CN103456588A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310211268.5

申请日：2013-05-31

Applicant: FEI公司

Inventor： T.米勒 ,  S.克罗格 ,  S.张 ,  M.马佐斯 ,  A.格劳佩拉

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/026 ,  H01J37/10 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/188 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31749

Abstract: 申请人已发现，使用等离子体源的离子束系统中由高能离子与中性气体分子之间的电荷交换性相互作用产生的活跃中性粒子到达样本。这些活跃中性粒子产生了离开束冲击点的二次电子。解决这个问题的方法包括在该等离子源下方的多个差分泵送室以减少使这些离子与气体相互作用的机会。

公开(公告)号：CN103229271A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055586.6

申请日：2011-11-17

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  谢泽仁

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

Abstract: 提供的是用于增加离子注入器中的离子源寿命的系统、设备和方法。通过采用氢助气控制由含碳和氧的源气导致的离子源氧化和离子源室中毒，所述氢助气与自由氧原子反应以形成氢氧化物和水。

公开(公告)号：CN103151233A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210514925.9

申请日：2012-12-05

Applicant: FEI公司

Inventor： A.格劳佩拉 ,  C.奥迪斯

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/305 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/049 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及结合具有可选择离子的聚焦离子束柱使用的感应耦合等离子体离子源。在等离子体腔中具有多种气体的感应耦合等离子体源向聚焦的柱提供多个离子种类。滤质器允许选择特定离子种类以及在各个种类之间快速地改变。

公开(公告)号：CN102881546A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210240654.2

申请日：2012-07-12

Applicant: FEI公司

Inventor： A.格劳佩拉 ,  S.克罗格 ,  M.W.乌特劳特 ,  N.W.帕克

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3002 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0827

Abstract: 本发明涉及电感耦合等离子体（ICP）离子源中不同处理气体之间快速切换的方法和结构。可打开的气体通道实现在带电粒子束系统中的电感耦合等离子体源中的处理气体或热烘气体的快速泵出。阀，通常定位在源电极中或形成为气体入口的一部分，在打开以泵空等离子体腔时增加气体流导并且在操作等离子体源期间关闭。