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公开(公告)号：CN105908137B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610087850.9
申请日：2016-02-16
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 馆野谕
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 本发明涉及溅射靶，其目的在于，在将多个靶部件接合于基材而得的分割溅射靶中，有效地防止在从靶部件之间的间隙(分割部)露出的基材的构成材料中或衬板的构成材料混入于所形成的薄膜。在与以具有规定的间隔的方式配置靶部件而成的分割部相对应的区域中的基材的表面的凹凸部的凹部的表面主要插入In或In合金，在利用EPMA对基材的与分割部相对应的区域的表面进行分析的情况下，使In或In合金的区域相对于观察面积的面积比率为40％以上且80％以下。
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公开(公告)号：CN111989425A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026041.9
申请日：2019-04-22
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明是一种表面处理铜箔1，其具有：铜箔2及形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。该表面处理铜箔1的第一表面处理层3于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1～15.0atm％。另外，覆铜积层板10具备表面处理铜箔1及附着于表面处理铜箔1的第一表面处理层3的绝缘基材11。
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公开(公告)号：CN111971412A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201880042653.2
申请日：2018-09-28
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 荻野真一
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F9/08 , C22C1/05 , C22C29/00 , C22C29/16 , C22C32/00 , C23C14/06 , G11B5/851
Abstract: 本申请提供一种颗粒的产生少、且含有Fe、Co、Cr、Pt中的一种以上的金属和C、BN中的一种以上的溅射靶的制造方法。一种溅射靶，其包含选自由Fe、Co、Cr和Pt构成的组中的一种以上的金属相和选自由C和BN构成的组中的一种以上的非金属相，A≤40，A/B≤1.7。其中，A为组织照片中的沿垂直方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量，B为组织照片中的沿水平方向划出的长500μm的线段上的金属相与非金属相的边界的数量。
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公开(公告)号：CN111763970A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010599248.X
申请日：2017-02-09
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 辻江健太
Abstract: 本发明提供一种与软钎料的粘结性优异，相对于高温多湿环境、酸液或碱液其耐变色性高、而且蚀刻加工性能优异的钛铜箔。一种钛铜箔，其母材的组成为，含有1.5～5.0重量％的Ti，余量由铜和不可避免的杂质构成，母材的厚度为0.018～0.1mm，在母材表面具有按Cu底镀层和Sn镀层的顺序进行层叠的镀层，按照说明书定义的钛铜箔在软钎料粘结强度试验中的粘结强度为1N以上。
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公开(公告)号：CN111655900A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010640.1
申请日：2019-03-12
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 大理友希
Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔，其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层。该表面处理铜箔于通过TOF-SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。
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公开(公告)号：CN111364011A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910746078.0
申请日：2019-08-13
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。
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公开(公告)号：CN109072417B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201780021081.5
申请日：2017-10-31
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 梶山纯
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种抑制电弧的IGZO溅镀靶。本发明的IGZO溅镀靶含有In、Ga、Zn、O，其特征在于：以原子比计为0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36，相对密度为96％以上，溅镀靶表面的晶粒的平均粒径为30.0μm以下，且溅镀靶表面的粒径的差异为20％以下(1.0≦Dmax/Dmin≦1.2)。
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公开(公告)号：CN105813378B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201610028013.9
申请日：2016-01-15
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。本发明提供一种能够形成极微细的电路且能够良好地抑制电路断线的附载体铜箔。本发明是一种附载体铜箔，所述附载体铜箔在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，且极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的极薄铜层的厚度为1.5μm以下，且极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下。
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