公开(公告)号：KR1020160121182A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020150050825

申请日：2015-04-10

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  소회섭

IPC: F21V33/00 ,  F21V8/00 ,  F21V5/00 ,  F21V1/02

Abstract: 광원및 상기광원에서출사된광을안내하는도광부와미세패턴이형성된광추출부가부착된도광판을포함하는투명조명창에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160118595A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020150046951

申请日：2015-04-02

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  소회섭 ,  권진혁

IPC: G02F1/1335 ,  F21V8/00 ,  G02B6/10

Abstract: 선형광원및 상기선형광원을포함하는백라이트유닛에관한것이다.

Abstract translation: 线性光源和线性光源。

公开(公告)号：KR1020160118549A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020150046836

申请日：2015-04-02

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  소회섭

IPC: G01T1/20

Abstract: 엑스선검출기용섬광소자및 상기엑스선검출기용섬광소자의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101482174B1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：KR1020130099260

申请日：2013-08-21

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이현정 ,  천재은 ,  이재갑

IPC: H01L31/118

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L21/30604 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 소수성 고분자를 이용한 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 및 상기 방법으로 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 고가의 특정 장비 사용, 고온처리 조건, 장시간 공정을 요구하지 않으면서도 반사율이 최소화된 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用疏水性聚合物和硅晶片的硅晶片的纹理化方法。 根据本发明的方法，可以在不使用高价格的特定设备，高温处理条件和长时间的制造工艺的情况下制造具有最小反射率的织构化硅晶片。

公开(公告)号：KR101462207B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020130147842

申请日：2013-11-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이현정 ,  천재은 ,  이재갑

IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L31/042

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 방법 및 상기 방법으로 텍스처링된 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 고가의 특정 장비 사용, 고온처리 조건, 장시간 공정을 요구하지 않으면서도 반사율이 최소화된 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于纹理化硅晶片的方法和由此形成的硅晶片。 通过根据本发明的方法，制造的是具有最小反射率的纹理硅晶片，而不需要昂贵的特定设备，高温处理条件和长期工艺。

公开(公告)号：KR101326711B1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020120002726

申请日：2012-01-10

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 주영창 ,  연한울 ,  이영주 ,  이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.

Abstract translation: 对于可靠性，本发明是改进的半导体器件及其制造方法，所述下部结构的方法，其包括形成在其下的结构，包括形成在所述阻挡层中，半导体器件及其制造的方法上的导电层的MPTMS（巯基丙基）的势垒层 等等。

公开(公告)号：KR101268458B1

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020110093980

申请日：2011-09-19

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 본 발명은 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)을 이용하여 금속소재와의 강한결합을 형성하고, 기존의 확산 방지막에 비해 두께가 얇은 것은 물론 신뢰성이 향상된 반도체 소자와 확산 방지막의 형성을 위하여, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 일단에는 티올(thiol)기를 포함하고, 타단에는 작용기로서 카르복실(carboxyl)기, 카르보닐(carbonyl)기 및 수산기(hydroxyl)기 중 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어지는, 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립단분자막 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체소자의 형성 방법을 제공한다.

Abstract translation: 用于膜的自组装单层（自组装单层，自组装膜）来使用，以形成与所述金属材料强键的形成本发明中，它有一个厚度比传统的扩散阻挡更薄以及可靠性提高半导体元件和所述扩散 提供半导体衬底; 其中半导体衬底包括一端的硫醇基和另一端的羧基，羰基和羟基作为官能团的混合物， 形成单分子膜; 并在自组装单分子层上形成金属层。

公开(公告)号：KR101195550B1

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：KR1020090039825

申请日：2009-05-07

Applicant: 국민대학교산학협력단 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  최덕균 ,  김현호 ,  조영제

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 자기조립단분자층을 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체 활성층 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 산화물 반도체 활성층 상에 자외선을 조사한 후 소스/드레인 전극의 패턴에 대응하는 개구 패턴을 포함하는 소수성 자기조립단분자층을 형성하고, 상기 소수성 자기조립단분자층을 마스크로서 이용하여 상기 개구 패턴을 통하여 상기 산화물 반도체 활성층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 포함하는, 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
자기조립단분자층, 산화물 반도체 활성층, 자외선, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR101155108B1

公开(公告)日：2012-06-11

申请号：KR1020090038534

申请日：2009-04-30

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이장식 ,  손병혁 ,  김용무 ,  권정화 ,  신현정 ,  이재갑

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881

Abstract: Provided is a charge trapping layer which has excellent memory characteristics, a method of forming the charge trapping layer, a nonvolatile memory device using the charge trapping layer, and a method of fabricating the nonvolatile memory device, in which a hybrid nanoparticle which is obtained by mixing a nanoparticle having an excellent programming characteristic with a nanoparticle having an excellent erasing characteristic is used as the charge trapping layer. The charge trapping layer for use in the nanoparticle is discontinuously formed between a tunneling oxide film and a control oxide film, and includes at least two different kinds of numerous nanoparticles.

公开(公告)号：KR1020110121573A

公开(公告)日：2011-11-07

申请号：KR1020110040495

申请日：2011-04-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  김아라

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: PURPOSE: A floating gate which includes hetero metal nano crystal, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device which includes the floating gate are provided to control the particle size and density of the metal nano crystal, thereby easily controlling charge capacity. CONSTITUTION: A floating gate for a semiconductor device stores charge by being arranged between a tunneling oxide film and control oxide film. A plurality of first metal nano crystals(30) is arranged in the tunneling oxide film. A first self-assembled monolayer(SAM,40) is arranged in the tunneling oxide film in which the first metal nano crystal is arranged. A plurality of second metal nano crystals(50) is arranged in the first self-assembled monolayer.

Abstract translation: 目的：提供包括异质金属纳米晶体的浮栅，其制造方法和包括浮置栅极的半导体器件，以控制金属纳米晶体的粒度和密度，从而容易控制充电容量。 构成：用于半导体器件的浮动栅极通过布置在隧道氧化物膜和控制氧化物膜之间来存储电荷。 多个第一金属纳米晶体（30）布置在隧道氧化膜中。 在其中布置有第一金属纳米晶体的隧道氧化膜中布置第一自组装单层（SAM，40）。 多个第二金属纳米晶体（50）布置在第一自组装单层中。