公开(公告)号：KR1020010087296A

公开(公告)日：2001-09-15

申请号：KR1020010010887

申请日：2001-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  H01L28/90

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to connect to the storage electrode of a capacitor having a capacitor insulating film made of a metal oxide. CONSTITUTION: A film of titanium nitride or tungsten nitride or a metal film of ruthenium or the like is formed to a film thickness of about 10 to 100 nm on the capacitor insulating film(112). The formed metal film is patterned by known lithography and etching to form a plate electrode(113). An inter level insulating film(114) made of an insulating material such as a silicon oxide is formed to cover the plate electrode(113). Accordingly, a DRAM with one transistor and one capacitor is completed. The capacitor electrode is flat in the first embodiment, but is not limited to this and may have a cylindrical shape or stacked electrode structure. For a cylindrical capacitor electrode, a plate electrode, capacitor insulating film, storage electrode, capacitor insulating film, and plate electrode are sequentially formed from the outside on the side surface. For a stacked electrode structure, a storage electrode may be arranged on the uppermost layer.

Abstract translation: 目的：提供一种连接到具有由金属氧化物制成的电容绝缘膜的电容器的存储电极的半导体器件。 构成：在电容器绝缘膜（112）上形成氮化钛或氮化钨的膜或钌等的金属膜至约10〜100nm的膜厚。 通过已知的光刻和蚀刻对形成的金属膜进行图案化以形成平板电极（113）。 形成由诸如氧化硅的绝缘材料制成的层间绝缘膜（114）以覆盖板电极（113）。 因此，完成了具有一个晶体管和一个电容器的DRAM。 电容器电极在第一实施例中是平坦的，但不限于此，并且可以具有圆柱形或堆叠的电极结构。 对于圆柱形电容器电极，从侧面的外侧依次形成平板电极，电容器绝缘膜，存储电极，电容器绝缘膜和板电极。 对于堆叠的电极结构，可以在最上层布置存储电极。

公开(公告)号：KR1020010051216A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000062633

申请日：2000-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

Inventor： 가미야마사토시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: To increase a surface area by controlling the surface morphology of a storage node electrode at a capacity part. CONSTITUTION: A capacity part comprising at least a capacity insulating film 2 and a storage node electrode 1 contacting to the capacity insulating film 2 is provided. Here, a high melting-point metal nitride film is formed as the storage node electrode 1 into a form having a specified surface morphology, with the capacity insulating film 2 formed on the storage node electrode 1.

Abstract translation: 目的：通过控制存储节点电极在容量部分的表面形态来增加表面积。 构成：提供容量部分，其至少包括与电容绝缘膜2接触的电容绝缘膜2和存储节点电极1。 这里，将高熔点金属氮化物膜形成为具有特定表面形态的形式，其中容纳绝缘膜2形成在存储节点电极1上。

公开(公告)号：KR1019990006902A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019980021816

申请日：1998-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이즈카다케시 ,  호리우치다카시 ,  미즈카미마사미 ,  모치즈키다카시 ,  가와노유미코 ,  야마사키히데아키

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

Abstract: 본 발명의 목적은 Al/Cu 다층막을 형성하는데 사용하기 위한 화학 기상 증착(CVD) 장치 및 방법을 제공하는데 있다. Al/Cu 다층막은, 반도체 웨이퍼 W를 수용하기 위한 챔버와, 반도체 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 서셉터와, 기화된 Al 원료를 챔버로 도입하기 위한 Al 원료 공급 시스템과, 기화된 Cu 원료를 챔버로 도입하기 위한 Cu 원료 공급 시스템을 포함하는 CVD 장치에 의해 형성된다. Al/Cu 다층막은, Al 원료 가스를 챔버로 도입하는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Al 막을 증착하는 단계와, 그 후 Cu 원료 가스가 도입되는 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계와, CVD 방법에 의해 반도체 웨이퍼 W상에 Cu 막을 증착하는 단계로 구성되는 일련의 단계를 반복함으로써 형성된다. 따라서, 획득된 Al/Cu 다층막은 가열 처리(어닐링)되어, 원하는 Al/Cu 다층막을 형성하게 된다.

公开(公告)号：KR101787806B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020140007139

申请日：2014-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  오카베신야 ,  야마모토다케시 ,  오니시도루

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76856

Abstract: 플라즈마 CVD법에의해 TiN막을성막할때, 성막매수가증가해도파티클의발생을억제할수 있는 TiN막의성막방법을제공한다. 처리용기내에피처리기판을반입하고, Ti 함유가스및 질화가스를처리용기내에공급함과아울러, 이들가스의플라즈마를생성해서피처리기판의표면에 TiN막을성막하는공정을, 복수의피처리기판에대해반복해서행하는 TiN막의성막방법에있어서, 소정매수의피처리기판에대해 TiN막을성막한후, 처리용기내에피처리기판이존재하지않는상태에서, 처리용기내에 Ti 함유가스를포함하는처리가스를공급함으로써 Ti막을형성하는 Ti막형성공정을 1회이상행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种TiN膜的形成方法，即使通过等离子体CVD法形成TiN膜时膜的个数增加，也能够抑制粒子的产生。 向处理容器内供给外延基板，向处理容器内供给含Ti气体和氮化气体，通过产生这些气体的等离子体，在被处理基板的表面形成TiN膜的工序， 在预定数量的待处理衬底上形成TiN膜，然后在处理容器中不存在epi处理器板的状态下向处理容器中供应含有含Ti气体的处理气体 用于形成Ti膜的Ti膜形成步骤至少执行一次。

公开(公告)号：KR101739631B1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020147021757

申请日：2012-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  야마모토다케시

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274

Abstract: 피처리기판에형성된에칭대상막을에칭하기위한메탈하드마스크로서성막되는 TiN막을성막함에있어서, 피처리기판을처리용기내에반입하고, 처리용기내를감압상태로유지한상태에서, TiCl가스및 질화가스를처리용기내에공급하고, 이들가스의플라즈마를생성하여 TiN 단위막을형성하는공정(단계 1)과, 처리용기내에질화가스를공급하고, 그가스의플라즈마를생성하여 TiN 단위막에플라즈마질화처리를실시하는공정(단계 2)을번갈아복수회반복하고, 막응력이저감된 TiN막을성막한다.

公开(公告)号：KR1020140094464A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020140007139

申请日：2014-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  오카베신야 ,  야마모토다케시 ,  오니시도루

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28088

Abstract: Provided is a TiN film forming method in which the generation of particles can be suppressed during the formation of TiN films using a plasma CVD scheme even if the number of substrates subjected to the TiN film formation is increased. The TiN film forming method repeatedly performs, for a plurality of substrates to be processed, a step of loading each substrate into a processing chamber, supplying Ti-containing gas and nitriding gas into the processing chamber, and forming the TiN film on a surface of the substrate by generating plasma of the supplied gas, wherein the method includes a Ti film forming step of forming the Ti film by supplying processing gas containing the Ti-containing gas into the processing chamber in a state where no substrate exists in the processing chamber after the TiN films are formed on a predetermined number of the substrates, and the method performs the Ti film forming step at least once.

Abstract translation: 提供一种TiN膜形成方法，其中即使经历TiN膜形成的基板的数量增加，也可以使用等离子体CVD方法在形成TiN膜期间抑制颗粒的产生。 对于多个待处理基板，TiN膜形成方法重复执行将各基板加载到处理室中的步骤，将含Ti气体和氮化气体供给到处理室中，并且在该表面上形成TiN膜 通过产生供给气体的等离子体的方法，其中该方法包括通过在处理室中不存在基板的状态下将含有含Ti气体的处理气体供给到处理室来形成Ti膜的Ti膜形成步骤， 在预定数量的基板上形成TiN膜，该方法至少进行一次Ti膜形成工序。

公开(公告)号：KR101217980B1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020117028190

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리팬톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본발명은 SFD(sequential flow deposition)를사용하여양호한표면형태를가지는금속층을성막하는방법을제공한다. 이방법은, 처리챔버내의기판을금속카르보닐전구체가스와환원가스에번갈아노출시키는것을포함한다. 금속카르보닐전구체가스에노출되는동안, 열분해에의해상기기판에얇은금속층이성막되고, 후속해서상기금속층을상기환원가스에노출시키는것은, 상기금속층으로부터반응부산물을제거하는것을돕는다. 원하는두께의금속층이얻어질때까지상기금속카르보닐전구체및 환원가스에노출시키는단계는반복될수 있다. 예컨대, 상기금속카르보닐전구체는 W(CO), Ni(CO), Mo(CO), Co(CO), Rh(CO), Re(CO), Cr(CO), Ru(CO)로부터선택될수 있다.

公开(公告)号：KR101176708B1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020097020555

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  하세가와도시오 ,  야마사키히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402

Abstract: 성막 처리시에 용기내나 도입관내로부터 파티클이 유출하는 것을 방지할 수 있는 분체상 소스 공급계의 세정 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(10)은 분체형상 소스 공급계(12)와 성막 처리 장치(11)를 구비한다. 분체형상 소스 공급계(12)는 분체형상 소스(13)(텅스텐 카르보닐)를 수용하는 앰플(14)과, 해당 앰플(14)내에 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급 장치(16)와, 앰플(14) 및 성막 처리 장치(11)를 접속하는 분체형상 소스 도입관(17)과, 해당 분체형상 소스 도입관(17)으로부터 분기하는 퍼지관(19)과, 분체상 소스 도입관(17)을 개폐하는 개폐 밸브(22)를 갖는다. 성막 처리에 앞서, 개폐밸브(22)가 닫히고 또한 퍼지관(19)내를 배기할 때에, 캐리어 가스 공급 장치(16)가, 캐리어 가스에 의해서 파티클에 작용하는 점성력이 성막 처리시에 있어서의 캐리어 가스에 의해서 파티클에 작용하는 점성력보다도 커지도록 캐리어 가스를 공급한다.

公开(公告)号：KR101012959B1

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：KR1020087007208

申请日：2006-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

Abstract: 피처리 기판을 유지하고 가열수단을 갖는 유지대와, 상기 유지대를 내부에 구비한 처리용기를 갖는 성막장치에 의한 기판 처리 방법으로서, 상기 처리용기에 성막가스를 공급하여 상기 피처리 기판에 성막을 실행하는 성막 공정과, 상기 성막 공정 후에, 플라즈마 여기된 클리닝가스를 상기 처리용기에 공급하여 상기 처리용기 내의 클리닝을 하는 클리닝 공정과, 상기 클리닝 공정 후에 상기 처리용기 내에 코팅 성막을 실행하는 코팅 공정을 갖고, 상기 클리닝 공정에서는 플라즈마 여기된 상기 클리닝가스 중의 래디컬이 재결합된 분자에 의한 클리닝이 지배적으로 되도록 상기 처리용기 내의 압력이 제어되는 고압 공정을 포함하고, 상기 코팅 공정에서는 상기 성막 공정의 상기 피처리 기판으로의 성막의 경우보다 상기 유지대의 온도를 내려 상기 코팅 성막이 실행되는 저온 성막 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

公开(公告)号：KR101011867B1

公开(公告)日：2011-01-31

申请号：KR1020087030958

申请日：2007-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/42 ,  H01L29/49

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517

Abstract: 처리용기내에 기판을 배치하고, 상기 처리용기에 Ta=N 결합을 갖는 유기Ta화합물 가스와, Si함유 가스와, N함유 가스를 도입해서 CVD에 의해 TaSiN막을 성막할 때에, 처리용기내의 Si함유 가스의 분압, 처리용기내의 전체압력, 성막온도 및 N함유 가스의 분압의 적어도 1개를 제어하는 것에 의해 막중 Si농도를 제어한다. 특히, Si함유 가스로서 SiH
4 가스를 이용할 때, 소정의 프로세스 조건하에 있어서 원하는 막중 Si농도가 SiH
4 가스의 분압의 대수의 일차함수로서 표현할 수 있는 것을 이용하여, SiH
4 가스의 분압을 결정한다.