公开(公告)号：KR101282908B1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020110039227

申请日：2011-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면 거칠기의 정밀도를 더욱 개선할 수 있어, 진전되는 콘택트 홀이나 라인 등의 미세화에 대응 가능한 어모퍼스 실리콘의 성막 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 하지(2)를 가열하고, 가열한 하지(2)에 아미노실란계 가스를 흘려 하지(2)의 표면에 시드층(3)을 형성하는 공정과, 하지(2)를 가열하고 가열한 하지(2)의 표면의 시드층(3)에 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하여, 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에 어모퍼스 실리콘막을 형성하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020130047594A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020120118473

申请日：2012-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  이케우치토시유키 ,  사토준 ,  모로즈미유이치로 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxide layer is provided to secure a desired surface roughness or a desired interface roughness. CONSTITUTION: A seed layer is formed on a silicon substrate(step 1). A silicon layer is formed on the seed layer(step 2). The silicon layer and the seed layer are oxidized to form a silicon oxide layer on the silicon substrate(step 3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Form a seed layer on a silicon substrate; (CC) Form a silicon layer on the seed layer; (DD) Form a silicon oxide layer on the silicon substrate by oxidizing the silicon layer and the seed layer; (EE) End; (FF) Step 1; (GG) Step 2; (HH) Step 3

Abstract translation: 目的：提供形成氧化硅层的方法以确保所需的表面粗糙度或所需的界面粗糙度。 构成：在硅衬底上形成种子层（步骤1）。 在种子层上形成硅层（步骤2）。 硅层和籽晶层被氧化以在硅衬底上形成氧化硅层（步骤3）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）在硅衬底上形成晶种层; （CC）在种子层上形成硅层; （DD）通过氧化硅层和种子层在硅衬底上形成氧化硅层; （EE）结束; （FF）步骤1; （GG）步骤2; （HH）步骤3

公开(公告)号：KR1020130007430A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120064087

申请日：2012-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a silicon film are provided to completely prevent voids from being generated in a groove by forming a non-doped Si film on the groove. CONSTITUTION: A method for forming a silicon film is as follows. A non-doped silicon film which does not have impurities is formed. The formed non-doped silicon film is etched. Impurities are doped on the etched non-doped silicon film. A silicon film doped with impurities is formed to bury the doped silicon film therein. [Reference numerals] (a) Temperature(°C); (AA) Loading process; (b) Input(Pa); (BB) Stabilizing process; (CC) First film forming process; (DD,GG) Purge stabilizing process; (EE) Etching process; (FF) Doping process; (HH) Second film forming process; (II) Purge process; (JJ) Unloading process

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的方法和装置，以通过在槽上形成未掺杂的Si膜来完全防止在沟槽中产生空隙。 构成：形成硅膜的方法如下。 形成不含杂质的非掺杂硅膜。 蚀刻形成的非掺杂硅膜。 杂质掺杂在蚀刻的非掺杂硅膜上。 形成掺杂有杂质的硅膜以将掺杂的硅膜埋入其中。 （附图标记）（a）温度（℃）; （AA）装载过程; （b）输入（Pa）; （BB）稳定过程; （CC）第一成膜工艺; （DD，GG）净化稳定过程; （EE）蚀刻工艺; （FF）兴奋剂过程; （HH）第二次成膜工艺; （二）清洗工艺; （JJ）卸载过程

公开(公告)号：KR101217778B1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020117021227

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 개시되는패터닝방법은, 기판상에제 1 막을형성하는공정과, 제 1 막상에제 1 레지스트막을형성하는공정과, 제 1 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 1 레지스트패턴으로가공하는공정과, 유기실리콘을포함하는제 1 가스와, 활성화된산소종을포함하는제 2 가스를해당기판으로교대로공급하여, 제 1 레지스트패턴및 제 1 막상에실리콘산화막을형성하는공정과, 실리콘산화막상에제 2 레지스트막을형성하는공정과, 제 2 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 2 레지스트패턴으로가공하는공정과, 제 1 레지스트패턴및 제 2 레지스트패턴을마스크로이용하여제 1 막을가공하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101101785B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020117004101

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110139107A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020110058469

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  하세베카즈히데 ,  야마모토카즈야 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키다이스케

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: PURPOSE: A film formation method and a film formation apparatus are provided to suppress deformation of an unevenness pattern which is formed on the surface of a target by forming a silicon oxide film in the surface of the target. CONSTITUTION: In a film formation method and a film formation apparatus, an exhaust pipe opened to the ceiling of the treatment basin is installed. . A plurality of exhaust-nozzles(18) bent in traverse direction are installed. An exhaust system(24) processes the atmosphere inside the treat basin. The bottom of the treatment basin is supported by a manifold of a cylinder shape. A seal member(30) is arranged between the lower end of the treatment basin and the upper end of the manifold.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜装置，以通过在靶的表面形成氧化硅膜来抑制形成在靶表面上的凹凸图案的变形。 构成：在成膜方法和成膜装置中，安装有向处理盆的天花板开口的排气管。 。 安装沿横动方向弯曲的多个排气喷嘴（18）。 排气系统（24）处理处理池内的气氛。 处理盆的底部由圆柱形的歧管支撑。 密封构件（30）设置在处理盆的下端和歧管的上端之间。

公开(公告)号：KR1020110128145A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020110046713

申请日：2011-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  아리가쥰지 ,  기무라노리후미 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a silicon film are provided to control property deterioration as an electrode of a Si film which is formed by eliminating a native oxide film which is formed in the bottom part of a groove before a first deposition process. CONSTITUTION: A method for forming a silicon film(54) is composed of a first deposition process, an etching process, and a second deposition process. The silicon film is layered in order to bury the groove of a processed body in the first deposition process. An opening of the groove widens by etching the silicon film which is layered by the first deposition process in the etching process. The groove is layered in order to bury the silicon film in the groove in which the opening widens in the second deposition process. The silicon film is formed in the groove of the processed body.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的方法和装置，以控制作为通过消除在第一沉积工艺之前形成在凹槽的底部中的自然氧化膜形成的Si膜的电极的性能劣化。 构成：形成硅膜（54）的方法由第一沉积工艺，蚀刻工艺和第二沉积工艺组成。 层叠硅膜以便在第一沉积工艺中埋入加工体的凹槽。 通过在蚀刻工艺中蚀刻通过第一沉积工艺层叠的硅膜来扩大凹槽的开口。 为了将硅膜埋入其中开口在第二沉积工艺中变宽的凹槽中，将该沟槽分层。 硅膜形成在加工体的槽中。

公开(公告)号：KR1020110119581A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：KR1020110039227

申请日：2011-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a thin film of an amorphous silicon layer is provided to improve the precision of surface roughness. CONSTITUTION: A seed layer(3) is formed on a base(2) by flowing aminosilane based gas on the heated base. Silane based gas without amino group is supplied to the seed layer. Silane group gas without amino group is pyrolyzed. An amorphous silicon layer(4) is formed on the seed layer. The thickness of the amorphous silicon layer is 50 nm to 100 nm.

Abstract translation: 目的：提供一种形成非晶硅层薄膜的方法和装置，以提高表面粗糙度的精度。 构成：通过在加热的基底上流动氨基硅烷基气体，在基底（2）上形成种子层（3）。 将无氨基的无硅烷基气体供给种子层。 没有氨基的硅烷基气体被热解。 在种子层上形成非晶硅层（4）。 非晶硅层的厚度为50nm〜100nm。

公开(公告)号：KR101073858B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020097005569

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 개시되는패터닝방법은, 기판상에제 1 막을형성하는공정과, 제 1 막상에제 1 레지스트막을형성하는공정과, 제 1 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 1 레지스트패턴으로가공하는공정과, 유기실리콘을포함하는제 1 가스와, 활성화된산소종을포함하는제 2 가스를해당기판으로교대로공급하여, 제 1 레지스트패턴및 제 1 막상에실리콘산화막을형성하는공정과, 실리콘산화막상에제 2 레지스트막을형성하는공정과, 제 2 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 2 레지스트패턴으로가공하는공정과, 제 1 레지스트패턴및 제 2 레지스트패턴을마스크로이용하여제 1 막을가공하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020110036129A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：KR1020117004101

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3065

Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

Abstract translation: 在此公开的构图方法包括以下步骤：在基板上形成第一膜，在第一膜上形成第一抗蚀剂膜，通过光刻将第一抗蚀剂膜处理成具有预定间距的第一抗蚀剂图案 将包含有机硅的第一气体和包含活性氧物质的第二气体交替地供给至基板以在第一抗蚀剂图案和第一膜上形成氧化硅膜的步骤， ，在氧化硅膜上形成第二抗蚀剂膜，使用第一抗蚀剂图案和第二抗蚀剂图案作为掩模，通过光刻法将第二抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第二抗蚀剂图案 并处理第一部电影。