公开(公告)号：KR101061925B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020070082273

申请日：2007-08-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마즈네나가 ,  기시타나오후미 ,  하야시신이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 본 발명은 이동시의 배관 길이의 변화에 의한 액의 온도 변화를 억제하는 동시에, 요동이나 팽창 등에 의한 먼지의 발생을 억제하는 복합 배관 및 복합 배관을 구비하는 도포·현상 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
적어도 액체용 관체(61)와 전기용 관체(62)를 포함하는 복수의 관체(61, 62)가 병렬형태로 고착되고, 일단이 고정 설비측에 접속되며, 타단이 이동체측의 노즐 헤드에 접속되는 복합 배관(60)에 있어서, 복수의 관체(61, 62)를 가요성을 갖는 피복 부재(63)로써 일체 결합하며, 액체용 관체(61) 내에 공간을 비워 액 공급관이 삽입되고, 액체용 관체(61)와 액 공급관의 공간부 내에 온도 조정용 유체(65)를 개재 가능하게 형성한다.
복합 배관, 도포 현상 처리 장치, 관체

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种显影装置;将本发明应用于＆middot包括复合管和抑制粉尘的产生，由于在同一时间，以抑制液体的温度变化，由于在移动的管长变化的复合管，摆动或膨胀 它应。

公开(公告)号：KR101061651B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020070001565

申请日：2007-01-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  이이다나루아키 ,  이나도미히로아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D5/0037 ,  F27D15/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/139

Abstract: 본 발명은 가열장치 및 가열방법에 관한 것으로서 가열 장치 (2)에서는 냉각 플레이트 (3) 및 열판 (6)에 웨이퍼 (W)의 이동로에 따라서 웨이퍼 (W)의 이동로의 냉각 플레이트 (3) 측에 향하여 윗쪽 비스듬하게 기판 부상용의 기체를 토출출 구멍 (3a, 6a)를 형성하고 상기 토출구멍 (3a, 6a)로부터의 기체의 토출에 의해 웨이퍼 (W)가 가동하려고 하는 누르는 힘에 저항하여 누름 부재 (51)에 의해 웨이퍼 (W)의 이동시의 후방측을 눌러 기체의 토출 방향과는 반대측인 열판 (6) 측에 웨이퍼 (W)를 이동시키고 또 상기 토출구멍 (3a, 6a)로부터의 기체의 토출에 의해 웨이퍼 (W)의 이동시의 전방측이 누름 부재 (51)을 누르는, 그리고, 상기 누름 부재 (51)을 기체의 토출 방향과 동일한 방향인 냉각 플레이트 (3)측에 이동시키는 냉각 플레이트와 열판을 구비한 가열 장치에 있어서 기체에 의해 기판을 냉각 플레이트 및 열판으로부터 부상시켜 기판을 수평 방향으로 이동시키는 것으로, 냉각 플레이트판과의 사이에 기판을 이동시켜 가열 장치의 박형화를 도모하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明根据在冷却板3上的晶片（W）的运动和加热板涉及的加热装置和加热方法的加热装置2，冷却板3，以将晶片（W）的移动（6） 形成用于气体的土壤饿孔（3α，6α）用于朝向对晶片（W）由气体的排出的挤压力的一侧斜上方基板部分从所述排出口（3α，6α）尝试操作 并从在晶片（W）的移动后侧的压和气体的排出方向被按压部件51移动在加热板（6）侧，并且还排出口（3α，6α）的相对侧上的晶片（W） 通过气体的放电移动晶片（W）的前侧按压按压构件的51，而且，对于在相同的冷却板3，方向和气体的排出方向侧的按压部件51移动 在具有冷却板和加热板的加热装置中 它被示出为向上通过气体从冷却板和热板移动在水平方向上的基板中出现的衬底，并且提供了一种技术，通过移动冷却板和板之间的衬底，以降低所述加热装置的厚度。

公开(公告)号：KR1020110074657A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：KR1020100108072

申请日：2010-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마츠네나가 ,  하야시신이치 ,  후지모토아키히로 ,  오오쿠보다카히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: B05C5/0237 ,  B05C5/0225 ,  B05C13/02 ,  G03F7/162 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A chemical liquid supply nozzle and a chemical liquid supply method are provided to suppress a drying effect of a chemical liquid by using a low cost. CONSTITUTION: A nozzle body(51) is connected to a front end part of a flow path member for transferring a chemical liquid. A chemical liquid flow path(52) is installed at the nozzle body. The chemical liquid flow path is used for circulating the chemical liquid supplied from the flow path member. A cutoff valve(62) is installed at the chemical liquid flow path. The cutoff valve is used for closing or opening the chemical liquid flow path.

Abstract translation: 目的：提供化学液体供应喷嘴和化学液体供应方法，以便通过低成本抑制化学液体的干燥效果。 构成：喷嘴体（51）连接到用于输送药液的流路部件的前端部。 化学液体流动路径（52）安装在喷嘴体上。 化学液体流动路径用于循环从流路构件供应的化学液体。 截止阀（62）安装在药液流路上。 截止阀用于关闭或打开化学液体流动路径。

公开(公告)号：KR1020110036019A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：KR1020110014015

申请日：2011-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/70691

Abstract: PURPOSE: A coating and developing system is provided to properly restrain the height and the length of the apparatus while obtaining the transferring efficiency within the apparatus. CONSTITUTION: A carrier(20) accepts 13 wafers(W) in close state. A carrier block(S1) carries the carrier in to and out of the coating and developer. A processing block(S2) and an interface block(S3) implement the spreading process and the developing process on the wafer. A placement table(21) is mounted on the carrier block to place a plurality of carriers.

Abstract translation: 目的：提供一种涂层和显影系统，以在获得设备内的转印效率的同时适当地限制设备的高度和长度。 构成：载体（20）在接近状态下接受13个晶片（W）。 载体块（S1）承载载体进出涂层和显影剂。 处理块（S2）和接口块（S3）在晶片上实现扩展处理和显影处理。 放置台（21）安装在载体块上以放置多个载体。

公开(公告)号：KR1020060116156A

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020060040610

申请日：2006-05-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시신이치 ,  이나도미히로아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67109

Abstract: A substrate heating apparatus and a method, and a coating and developing system are provided to reduce remarkably the size of the substrate heating apparatus itself without the degradation of a cooling efficiency by using an improved suction structure including a first suction path. A substrate heating apparatus(2) includes a casing(20), a heating plate for heating a substrate in the casing, a cooling plate(33) for supporting and cooling the substrate in the casing, a cooling plate driving unit for moving the cooling plate from a first position to a second position, a substrate support member for supporting temporarily the substrate, a substrate support member driving unit for moving the substrate support member, a heat pipe connected to the cooling plate through a first end portion, a pin structure, and a first suction path. The pin structure(35) is connected to the cooling plate. The pin structure has a cooling pin thermally connected to a second end portion of the heat pipe. The first suction path is used for cooling the cooling plate through the heat pipe by using a gas flow.

Abstract translation: 提供了一种基板加热装置和方法以及涂覆和显影系统，以通过使用包括第一吸入路径的改进的吸入结构，而不会降低冷却效率，从而显着降低基板加热装置本身的尺寸。 基板加热装置（2）包括壳体（20），用于加热壳体中的基板的加热板，用于支撑和冷却壳体中的基板的冷却板（33），用于使冷却 板，从第一位置到第二位置，用于暂时支撑基板的基板支撑构件，用于移动基板支撑构件的基板支撑构件驱动单元，通过第一端部连接到冷却板的热管，销结构 和第一吸入路径。 销结构（35）连接到冷却板。 销结构具有与热管的第二端部热连接的冷却销。 第一吸入路径用于通过使用气流通过热管冷却冷却板。

公开(公告)号：KR100634122B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020000061066

申请日：2000-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  하야시신이치 ,  아이다나루아키 ,  마츠야마유지 ,  데케치요이치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67161 ,  G07C9/00103 ,  G07C9/00111 ,  G08G3/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/14

Abstract: 본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 제 1 주 웨이퍼 반송부 및 제 2 주 반송부의 주위에 10단의 각 열처리유니트부, 5단의 각 도포처리유니트부를 각각 배치하고, 열처리유니트부에 있어서는 온도조정·반송장치에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 조절하면서 웨이퍼(W)의 반송을 수행함으로써, 기판의 온도조정처리에 필요한 시간이 스루풋의 저하에 끼치는 영향을 극력히 감소시킬 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法中，第一主晶片传输部分和所述第一和每批2主输送部，所述10个单位的每个热处理单元周围，五个部分每个涂层单元，热处理 通过尽可能多地您好进行晶片（W）的晶片（W），同时控制通过转印装置中的温度，对所述衬底的温度调节处理所需的时间的效果对吞吐量下降的转移减少;在单位区间温度调节＆middot 技术呈现。

公开(公告)号：KR1020060085188A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：KR1020060005910

申请日：2006-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3042 ,  G03F7/70716

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101125340B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020110014021

申请日：2011-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치에 관한 것으로서 복수의 단위 블럭의 집합체로부터 되는 도포?현상 장치가 제공된다. 제 1의 단위 블럭 적층체와 제 2의 단위 블럭 적층체가 전후방향이 다른 위치에 배치된다. 노광 후의 현상 처리를 실시하는 현상 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 현상용 단위 블럭이 최하단에 배치된다. 노광전의 도포 처리를 실시하는 도포 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 도포용 단위 블럭은 현상용 단위 블럭 위에 배치된다. 도포용 단위 블럭은 제 1의 단위 블럭 적층체 및 제 2의 단위 블럭 적층체의 양쪽 모두에 배치된다. 반사 방지막과 레지스트막의 적층 위치 관계에 따라 도포?현상 장치내에 있어서 노광전의 웨이퍼나 경유하는 도포용 단위 블럭을 결정한다. 노광 후의 웨이퍼는 도포용 단위 블럭을 통과하는 일 없이 현상용 단위 블럭만을 통과하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101121314B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020070036386

申请日：2007-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카노부아키 ,  하야시다야스시 ,  하야시신이치

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67178

Abstract: 본 발명은 도포 현상 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체로서, 복수의 처리 유니트 및 반송 기구 (A3, A4)를 포함하는 도포막형성부 (B3)과 복수의 처리 유니트 (31) 및 반송 기구 (A1)을 포함하는 현상 처리부 (B1)을 상하에 중복하여 처리 블럭 (S2)에 배치한다. 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판 W의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트 (TRS)로서 상하에 중복하여 배치된 복수의 수수 유니트 (TRS)와 각 수수 유니트의 사이에 기판을 수수하는 승강 자유로운 수수 유니트용 반송 기구 (D1)이 처리 블럭 (S2)의 캐리어블럭 (S1)측에 설치된다. 도포막형성부현상 처리부중 적어도 어느 한쪽은 해당부의 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 검사를 실시하는 기판 검사 유니트 (43)을 가지는 기판 검사 유니트를 구성함에 점유 면적이 좁고 불리한 레이아웃을 피할 수가 있는 도포 현상 장치를 제공하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101126865B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020060005910

申请日：2006-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种涂布显影装置及其方法，其包括作为用于在处理块（S2）上形成涂膜的单位块的TCT层（B3）; COT层B4; 作为用于显影处理的单位块的BCT层B5和DEV层B1（B2）彼此堆叠。 在TCT层B3中也包括形成防反射膜的情况和未形成防反射膜的情况; COT层B4; 通过选择在BCT层（B5）中使用的单位块响应，并且抑制传输程序的复杂性时，它能够实现软件的简化。