公开(公告)号：KR1020170095757A

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020170020584

申请日：2017-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와부치요스케 ,  다치바나고우조우 ,  나카모리미츠노리 ,  오오이시고타로 ,  에가시라게이스케 ,  다나카고지 ,  이나도미히로아키 ,  야마시타마사미 ,  후쿠다요시테루 ,  야마시타고지 ,  츠리후네유 ,  마스즈미다쿠로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 기판의표면의발수화처리를행하면서, 기판의패턴내에존재하는순수나발수화제의제거를제거하여건조한기판을신속하게얻는것이가능한액 처리방법등을제공한다. 수평으로유지된기판(W)에대하여순수를공급한후, 기판(W)의건조를행하는데 있어서, 제1 용제공급공정에서는순수공급후의기판(W)의표면에제1 용제를공급하고, 그후의발수화제공급공정에서는기판(W)의표면에발수화제를공급한다. 제2 용제공급공정에서는발수화된후의기판(W)의표면에제2 용제를공급하고, 그후의건조공정에서기판(W)의표면의제2 용제를제거한다. 그리고제1 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다작고, 상기제2 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다크다.

Abstract translation: 液体处理方法等能够通过除去存在于基板图案中的纯水蒸发剂，同时对基板表面进行防水处理，从而迅速除去干燥的基板。 在第一溶剂供应步骤中供应纯水之后，将第一溶剂供应至基板W的表面，以便在将纯水供应至水平保持的基板W之后干燥基板W， 在随后的供应防水剂的步骤中，防水剂被供应到基板W的表面。 在第二溶剂供应步骤中，第二溶剂在防水之后供应到基板W的表面，并且在随后的干燥步骤中从基板W的表面去除第二溶剂。 第一溶剂的比重小于防水剂的比重，第二溶剂的比重大于防水剂的比重。

公开(公告)号：KR1020070074494A

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：KR1020070001565

申请日：2007-01-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  이이다나루아키 ,  이나도미히로아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D5/0037 ,  F27D15/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/139 ,  G03F7/168

Abstract: A heating apparatus and a method are provided to reduce the size of the heating apparatus itself by floating a substrate and transferring the floated substrate between a cooling plate and a heating plate. A heating apparatus includes a heating chamber(4) for heating a substrate in a process chamber, a heating plate(6) in the heating chamber, a cooling plate(3) adjacent to an opening side of the heating chamber in the process chamber, a gas projecting hole, a pressing member, and a driving mechanism. The gas projecting hole(6a) is formed at the cooling plate and the heating plate along a substrate moving path. The gas projecting hole is capable of floating the substrate. The pressing member(5) is used for pressing a front side or a rear side of the floated substrate. The driving mechanism is used for controlling the motion of the pressing member.

Abstract translation: 提供一种加热装置和方法，通过漂浮基板并将浮动的基板转移到冷却板和加热板之间来减小加热装置本身的尺寸。 加热装置包括用于加热处理室中的基板的加热室（4），加热室中的加热板（6），与处理室中的加热室的开口侧相邻的冷却板（3） 气体突出孔，按压构件和驱动机构。 气体突出孔6a沿着基板移动路径形成在冷却板和加热板上。 气体突出孔能够漂浮基板。 按压构件（5）用于按压浮动基板的前侧或后侧。 驱动机构用于控制按压部件的运动。

公开(公告)号：KR101900114B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020130143653

申请日：2013-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키 ,  이나도미히로아키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67

CPC classification number: B23H7/02 ,  B23H1/00 ,  B23H9/006 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67772

Abstract: 본발명은청정도가높은처리공간을형성할수 있는고압용기등을제공하는것을목적으로한다. 기판에대하여고압유체에의한처리가행해지는고압용기는, 금속으로이루어지는편평한직방체블록(5)의가장면적이넓은면 이외의한쪽면으로부터의가공에의해공동부를형성하고, 이공동부에면하고있는내벽면에귀금속도금(7)을형성하여용기본체가형성된다. 이공동부가관통구로서구성되어있는경우, 관통구의한쪽면에공동부를개폐하는덮개가설치되고, 다른쪽면에는공동부를기밀하게막는제2 블록이설치된다.

公开(公告)号：KR101437715B1

公开(公告)日：2014-10-13

申请号：KR1020100096437

申请日：2010-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지 ,  이나도미히로아키 ,  야마모토히데유키 ,  고미야히로시 ,  에가시라고지

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/12 ,  B08B3/048 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명에 따른 초음파 세정 장치는, 세정액을 저류하는 세정조와, 세정조 내에 삽입 가능하게 설치되고, 피처리체를 유지하여 세정액에 침지시키는 피처리체 유지 장치와, 세정조의 바닥부에 설치된 진동자와, 진동자에 초음파 진동을 발생시키는 초음파 발진 장치를 구비하고 있다. 세정조 내에는 피처리체를 유지하는 측부 유지 부재가 설치되어 있다. 또한, 피처리체 유지 장치는, 구동 장치에 의해 측방으로 이동하도록 되어 있다. 제어 장치는, 피처리체를 측부 유지 부재에 유지시킨 후, 피처리체 유지 장치를 측방으로 이동시키도록 구동 장치를 제어하고, 진동자에 초음파 진동을 발생시켜 진동자로부터의 초음파 진동을 피처리체에 전파시키도록 되어 있다.

公开(公告)号：KR101226830B1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：KR1020087032212

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마쓰네나가 ,  이나도미히로아키 ,  기무라요시오

IPC: F16K27/00 ,  B05C11/08 ,  H01L21/027 ,  B05C13/02

CPC classification number: F16K27/003 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178

Abstract: 본 발명에 있어서, 기체 공급 유닛은, 직방체 형상의 연결 블록을 가지며, 연결 블록의 하나의 측면에는, 복수의 전자밸브로 이루어진 전자밸브 블록과, 복수의 스피드 컨트롤러로 이루어진 스피드 컨트롤러 블록이 연결되어 있다. 연결 블록내에는, 대응하는 전자밸브와 스피드 컨트롤러를 연이어 통하게 하는 제1 유로와, 스피드 컨트롤러로부터 다른 측면으로 연이어 통하는 제2 유로가 형성되어 있다. 다른 측면의 제2 유로의 출력측에는, 접속 포트가 설치된다. 각 기압식 구동부에 통하는 복수의 급기관은, 멀티 코넥터를 개재하여 접속 포트에 접속된다. 본 발명에 의하면, 기판의 처리장치에 이용되는 복수의 기압식 구동부에 기체를 공급하는 기체 공급 설비의 품질을 안정시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120119995A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020120022230

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마미키오 ,  이나도미히로아키 ,  오카무라사토시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/6719

Abstract: PURPOSE: A processing device is provided to secure the airtightness of a processing container by installing a seal member to surround a transfer part of the processing container. CONSTITUTION: A processing chamber(2) includes a pressure resistant container with a flat rectangular parallelepiped shape. A wafer holder(21) forms a substrate holding unit to hold a wafer. An opening part(22) is formed on the front surface of the processing chamber to input the wafer. A transfer part(31) transfers the wafer to a processing space(20) of the processing chamber. A groove part is formed with a ring shape to surround the transfer part.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置，用于通过安装密封件来包围处理容器的转印部分来确保处理容器的气密性。 构成：处理室（2）包括具有平坦的长方体形状的耐压容器。 晶片保持器（21）形成用于保持晶片的基板保持单元。 在处理室的前表面上形成开口部分（22）以输入晶片。 传送部件（31）将晶片传送到处理室的处理空间（20）。 凹槽部分形成为围绕转印部分的环形。

公开(公告)号：KR101965455B1

公开(公告)日：2019-04-03

申请号：KR1020130063397

申请日：2013-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나도미히로아키

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR101589336B1

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：KR1020120022230

申请日：2012-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마미키오 ,  이나도미히로아키 ,  오카무라사토시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/6719

Abstract: 본발명은피처리기판에대하여고압유체를이용한처리를행하는처리용기를제공하며, 파티클의발생을억제하고, 처리용기내의기밀성을확보하는것을과제로한다. 처리챔버(2)의반송구(31)를둘러싸도록시일부재(62)를설치하고, 덮개(7)에의해반송구(31)를막고, 로크플레이트(15)에의해서처리챔버(2) 내의압력에의해덮개(7)가후퇴하는것을규제하면서, 처리챔버(2) 내에서웨이퍼(W)에대하여고압유체를이용한건조처리를행한다. 건조처리중에, 상기시일부재(62)가처리챔버(2)의내부분위기에의해가압되어덮개(7)측으로압박되기때문에, 상기덮개(7)와처리챔버(2) 사이의간극을기밀하게막을수 있다. 또한시일부재(62)가처리챔버(2)나덮개(7)에대하여슬라이드이동하는일이없기때문에, 파티클의발생이억제된다.

公开(公告)号：KR1020140070401A

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：KR1020130143653

申请日：2013-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키 ,  이나도미히로아키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67

CPC classification number: B23H7/02 ,  B23H1/00 ,  B23H9/006 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67772

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a high-pressure container which can form a process space having high cleanliness. A high-pressure container for performing a process using high pressure fluid on a substrate forms a hollow part by processing one surface except the widest surface of a flat rectangular parallelepiped block (5) made of metal. A container body is formed by forming a rare metal plating (7) on the inner wall surface facing the hollow part. When the hollow part functions as a through hole, a cover for opening/closing the hollow part is installed on one surface of the through hole. A second block for sealing the hollow part is installed on the other surface.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够形成具有高清洁度的工艺空间的高压容器。 用于在基板上进行使用高压流体的工序的高压容器通过加工由金属制成的扁平长方体块（5）的最宽表面以外的一个表面而形成中空部。 通过在面向中空部的内壁面上形成稀有金属电镀（7）而形成容器主体。 当中空部分用作通孔时，用于打开/关闭中空部分的盖安装在通孔的一个表面上。 用于密封中空部分的第二块安装在另一个表面上。

公开(公告)号：KR1020130138116A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：KR1020130063397

申请日：2013-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나도미히로아키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751

Abstract: The purpose of the present invention is to improve the throughput of a substrate processing apparatus and prevent the contamination of a cleaning solution on the surface of a substrate for a supercritical dry process. The present invention include a liquid process part (29-36) for processing the substrate, a transfer hole (75) for receiving a dry substrate, a supercritical dry process part (37-44) for processing a dry process on the substrate (7) by using a supercritical fluid, a first substrate transfer part (13,14) moving the dry substrate (7) to the transfer hole (75) of the liquid process part (29-36), and a second substrate transfer part (49-52) moving a wet substrate (7) from the transfer hole (75) of the transfer hole (29-36) to the supercritical dry process part (37-44).

Abstract translation: 本发明的目的是提高基板处理装置的生产量，并防止在超临界干法处理基板表面上的清洗液的污染。 本发明包括用于处理基材的液体处理部分（29-36），用于接收干燥基材的转移孔（75），用于在基材（7）上加工干法的超临界干法加工部分（37-44） ）通过使用超临界流体，使干燥基板（7）移动到液体处理部件（29-36）的传送孔（75）的第一基板传送部件（13,14）和第二基板传送部件 -52）将湿衬底（7）从传​​送孔（29-36）的传送孔（75）移动到超临界干法处理部件（37-44）。