公开(公告)号：KR1020090126520A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：KR1020080052649

申请日：2008-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재화 ,  백종민 ,  최길현 ,  박희숙

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/6653

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device manufactured thereby are provided to improve an electrical characteristic and the reliability of a device by preventing the substrate or the gate insulating layer from being damaged by the hydro plasma. CONSTITUTION: A gate insulating layer is formed on the substrate. A gate pattern is formed on the gate insulating layer. The gate pattern includes the polysilicon layer and the metal layer(150). The nitride film(220) covers the whole sidewall of the gate pattern, the upper side of the gate pattern and the top of the substrate in which the gate pattern does not locate. The oxide films(311, 312) are formed by anisotropic oxidizing the nitride film by the plasma. The plasma contains the oxygen but does not contain the hydrogen.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法及其制造的半导体器件，以通过防止衬底或栅极绝缘层被水力等离子体损坏来改善器件的电特性和可靠性。 构成：在基板上形成栅极绝缘层。 栅极图案形成在栅极绝缘层上。 栅极图案包括多晶硅层和金属层（150）。 氮化物膜（220）覆盖栅极图案的整个侧壁，栅极图案的上侧和栅极图案未定位的基板的顶部。 通过等离子体对氮化膜进行各向异性氧化来形成氧化物膜（311,312）。 等离子体含有氧，但不含氢。

公开(公告)号：KR1020080111710A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：KR1020070060012

申请日：2007-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정성희 ,  최길현 ,  차태호 ,  박희숙 ,  백종민

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

Abstract: A contact structure of a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent leakage current from flowing into a semiconductor substrate as a titanium silicide layer is formed with uniform thickness in a impurity region due to the conductivity shock-absorbing pattern. An insulating layer(23) is formed on a semiconductor substrate(21). A contact hole patterning the insulating layer and exposing the fixed region of the semiconductor substrate is formed. A conductivity shock-absorbing pattern(27) is formed on the side wall of the contact hole and the exposed semiconductor substrate. A barrier metal pattern is formed on the conductivity shock-absorbing pattern. A conductive plug(35) filling up encapsulated space is formed into the barrier metal pattern.

Abstract translation: 提供半导体器件的接触结构及其制造方法，以防止漏电流流入半导体衬底，因为由于导电性吸震图案，在杂质区域中形成均匀厚度的硅化钛层。 绝缘层（23）形成在半导体衬底（21）上。 形成图案化绝缘层并暴露半导体衬底的固定区域的接触孔。 在接触孔的侧壁和暴露的半导体衬底上形成导电性减震图案（27）。 在导电性吸震图案上形成阻挡金属图案。 填充密封空间的导电塞（35）形成为阻挡金属图案。

公开(公告)号：KR100703505B1

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020050022870

申请日：2005-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백종민

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W84/08 ,  H04W4/10 ,  H04W72/005 ,  H04W76/45

Abstract: 본 발명은 무전 통신이 가능한 이동 통신 단말이 통화중이거나 무전 통신 중에도 다른 무전 통신 채널이나 이동 통신 페이징 채널을 주기적으로 검색하여, 채널 인증 코드를 가지는 무전 페이징 신호가 수신되거나 호가 착신되면 이를 사용자에게 알려, 사용자 선택에 따라 다른 무전 통신을 수행하거나 통화 연결하여 이동 통신을 수행함으로써, 다수의 무전 채널 또는 이동 통신 채널 관리를 효율적으로 할 수 있으며, 불특정 다수의 무선 신호중 특정 무전 채널 인증 코드를 포함하는 무전 신호만을 수신하여 처리함으로써, 이동 통신 단말의 전력 소비를 감소시킬 수 있다.
무전 통신, 페이징 주기, 무전 채널 인증 코드

公开(公告)号：KR1020070006521A

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：KR1020050061925

申请日：2005-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종희 ,  이승배 ,  김기석 ,  백종민 ,  양성은 ,  진성현 ,  황현철

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  H01L21/67248

Abstract: A thermocouple connection apparatus of CVD equipment for fabricating a semiconductor device is provided to prevent thermocouple from being damaged and eliminate the necessity of replacing a heater by varying a coupling structure of a connection port and a thermocouple guide bar to which a thermocouple is fixed wherein the connection part protrudes from a side of the lower part of the heater. A connection port(170) is formed under a heater(45), having a first thermocouple insertion hole(178) into which a thermocouple(210) for detecting the temperature of the heater is inserted. A thermocouple guide bar(180) is connected to the connection part, having a second thermocouple insertion hole(188) into which the thermocouple is inserted. The connection part is connected to the thermocouple guide bar by a coupling member(190). A fix unit for fixing the thermocouple is formed on the thermocouple guide bar.

Abstract translation: 提供了用于制造半导体器件的CVD设备的热电偶连接装置，以防止热电偶被损坏，并且消除了通过改变连接端口和固定有热电偶的热电偶引导杆的耦合结构来更换加热器的必要性，其中， 连接部从加热器的下部侧突出。 连接端口（170）形成在加热器（45）下方，具有第一热电偶插入孔（178），用于检测加热器温度的热电偶（210）插入其中。 热电偶引导杆（180）连接到连接部分，具有插入热电偶的第二热电偶插入孔（188）。 连接部分通过联接构件（190）连接到热电偶引导杆。 用于固定热电偶的固定单元形成在热电偶导杆上。

公开(公告)号：KR102229206B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020140041160

申请日：2014-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 라상호 ,  백종민 ,  유우경 ,  안상훈 ,  이내인

IPC: H01L21/768

Abstract: 본발명은반도체장치및 이의제조방법을제공한다. 이반도체장치에서는에어갭 영역의바로위와바로아래에는다른에어갭 영역이존재하지않아기계적특성이향상될수 있다.

公开(公告)号：KR102146705B1

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：KR1020130161485

申请日：2013-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백종민 ,  라상호 ,  유우경 ,  안상훈 ,  이내인 ,  김기철 ,  이전일

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR102129602B1

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：KR1020140058402

申请日：2014-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유우경 ,  백종민 ,  안상훈 ,  라상호 ,  이내인

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/764

公开(公告)号：KR101841199B1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR1020110129985

申请日：2011-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍종원 ,  박인선 ,  김회승 ,  백종민

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C25D3/38 ,  C25D5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은반도체장치의제조방법및 이에의해제조된반도체장치를제공한다. 이제조방법에서는, 셀패턴영역들과주변회로영역사이에더미패턴영역들을형성한다. 이로써, 상기더미패턴영역이도금액에포함된억제제의농도구배를완화시키는역할을하여, 셀패턴영역내에서균일한억제제농도를제공한다. 또한, 상기더미패턴영역에의해상기셀 패턴영역으로의전류공급이원할해질수 있다. 이로써, 셀패턴영역내에서보이드없이균일한도금막을형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170090018A

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020160010200

申请日：2016-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안상훈 ,  김태수 ,  백종민 ,  유우경 ,  오스진다,토마스 ,  김병희 ,  이내인

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 반도체소자가배치된기판상에배치되는제1 배선들, 제1 배선들의사이에배치되며, 제1 배선들사이에서균일한농도분포를갖는탄소를함유하는제1 절연층, 제1 배선들보다상부에배치되는제2 배선들, 및제2 배선들의사이에배치되며, 제2 배선들사이에배치되는에어갭 영역을갖는제2 절연층을포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的半导体装置中，第一布线被设置在配置于基板的半导体元件中，设置在第一布线之间，包含具有所述第一布线之间的密度分布均匀的碳 第一设置在绝缘层之间，所述第一布线比第二配线被布置mitje第二布线的上顶端，设置在所述第二布线之间具有空气间隙区域的第二绝缘层。

公开(公告)号：KR1020160120891A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020150050024

申请日：2015-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진남 ,  김락환 ,  김병희 ,  백종민 ,  안상훈 ,  이내인 ,  이종진 ,  전호윤 ,  정은지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/764 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211

Abstract: 반도체장치는기판상에형성되며상부로돌출된복수개의돌출부들을갖는확산방지절연막패, 확산방지절연막패턴의돌출부들상에각각형성되며기판상면에대해 80도내지 135도의경사로기울어진측벽을갖는복수개의도전패턴들, 각도전패턴들의상면및 측벽을커버하는배리어막, 및확산방지절연막패턴및 배리어막상에형성되어서로인접하는도전패턴들사이에에어갭(air gap)을갖는층간절연막을포함한다.

Abstract translation: 半导体器件可以包括扩散防止绝缘图案，多个导电图案，阻挡层和绝缘中间层。 扩散防止绝缘图案可以形成在基板上，并且可以包括从其向上突出的多个突起。 每个导电图案可以形成在防扩散绝缘图案的每个突起上，并且可以具有相对于基板的顶表面倾斜约80度至约135度范围内的角度的侧壁。 如果导电图案，阻挡层可以覆盖每个的顶表面和侧壁。 绝缘中间层可以形成在防扩散绝缘图案和阻挡层上，并且可以在相邻的导电图案之间具有气隙。