Abstract:
PURPOSE: An epoxy resin composition having an improved adhesive strength with a lead frame, lowered moisture absorbing rate, thermal expansion coefficient and improved mechanical strength is provided. CONSTITUTION: A sealing composition comprises 3.0-12.0 weight % of epoxy resin compound, wherin the ratio of formula 1 and formula 2 is 2:8 to 6:4, 0.1-10 weight % of amine-modified silicone oil having 600-700 g/mol equivalent weight of functional group to the 100 weight parts of epoxy resin, 80-89 weight % of inorganic filler, 2.0-6.5 weight % of curing agent such as phenol-novolac resin, cresol-novolac resin or dicyclopentadiene resin and 0.1-0.3 weight % of curing accelerator such as benzyl dimethyl amine, tert-amines, imidazoles, organic phosphines or tetraphenyl borate.
Abstract:
본 발명은 오르소 노볼락계 에폭시 수지와 나프탈렌계 구조를 가지는 바이펑셔널계 에폭시 수지를 중량비율 2 : 8 내지 6 : 4로 혼합한 혼합물을 사용하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 나프탈렌 구조를 가진 저점도형 에폭시 수지와 오르소 크레졸 노볼락계 에폭시 수지의 적절한 혼합물을 도입함으로써 경화특성을 향상시키고, 무기 충전제를 고충전화 함으로써 흡습율 및 열팽창계수를 감소시키며 기계적 강도를 향상시킴과 동시에 반도체 소자 성형시 발생하는 보이드 발생을 억제함으로써 성형특성과 신뢰성이 우수한 반도체 소자 성형용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
Abstract:
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 (1) 하기 화학 구조식(I)의 디시클로로펜타디엔계 에폭시 수지와 하기의 화학 구조식(II)의 바이페닐계 에폭시 수지가 중량비 5:5~9:1의 범위로 혼합된 에폭시 수지 3.5~10.0 중량%; (I) 상기 화학 구조식(I)에서 n은 중합도를 나타내며 0, 1 또는 2임 (II) (2) 두 개 이상의 수산기를 갖고 수산기 당량이 100~200인 경화제 2.0~7.5 중량%; (3) 경화 촉진제 0.1~0.5 중량%; (4) 변성 실리콘 오일 0.5~1.5 중량%; 및 (5) 무기 충전제 80~90 중량%로 이루어진다.
Abstract:
본 발명은 반도체용 리드프레임, 특히 구리 리드프레임과의 접착강도가 우수하고 수분 흡습률이 낮아 반도체 패케이지의 크랙 발생을 억제할 수 있는 우수한 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로써, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제, 무기 충전제 및 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole:MBI)을 필수 성분으로 하며, MBI의 함량이 에폭시 100 중량부에 대해 0.5~3.0 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명을 이용하여 48 리드의 QFP 반도체 패케이지를 성형한 후 접착강도, 흡습률 및 크랙 발생률을 측정한 결과, MBI를 적용하게 되면 크랙 발생률이 감소하였으며, 구리 리드프레임의 경우에 그 효과가 더욱 크다는 것도 밝힐 수 있었다.
Abstract:
본 발명은 산소, 질소, 황 또는 인 원자를 반복적으로 함유하는 올리고머 또는 폴리머 첨가제를 포함하여 금속 이온과 결합되거나, 금속 이온을 산화 또는 환원시켜 금속의 이동도를 현저히 감소시켜, 반도체 공정 중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화시킬 수 있는 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름을 제공하는 것이다.
Abstract:
본 발명은 반도체용 접착 조성물의 바인더가, 금속 이온 포착 기능기로 시안기를 갖는 제1 모노머, 및 금속 이온 포착 기능기로 카르복실산기, 수산기, 아민기 및 인 함유기 중 어느 하나의 기를 갖는 제2 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물, 상기 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름, 및 상기 반도체용 접착 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
Abstract:
The present invention relates to an adhesive film for semiconductor which has low contents of non-reactive small molecules and high heat resistance, thereby thermal decomposition of compositions at high temperature is inhibited; and has enhanced reliability, thereby being used under high temperature bonding condition. Specifically, the present invention relates to an adhesive film for semiconductor which comprises an acryl binder, an epoxy resin, a phenol resin and poly(phenylene ether), and includes an adhesive layer which has 1% or less of weight reduction rate by thermogravimetric analysis at 300°C; and to a semiconductor device with enhanced reliability using the adhesive film.
Abstract:
PURPOSE: An epoxy resin composition is provided to improve fluidity, warp, soldering resistance, and a curing reaction. CONSTITUTION: An epoxy resin composition for sealing semiconductor devices comprises an epoxy resin, a hardening agent, a hardening accelerator, and an inorganic filling. The epoxy resin comprises a naphthalene epoxy resin. The hardening agent comprises a modified triphenolmethane hardening agent. The hardening accelerator comprises an imidazole hardening accelerator. The naphthalene epoxy resin comprises a naphthalene epoxy resin represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R is C1-6 alkylene and n and m are 0 or 1, respectively.