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公开(公告)号：KR1020060016679A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020040065201
申请日：2004-08-18
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M10/05
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/133 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0567
Abstract: 본 발명은 리튬이차전지용 비수전해액에 관한 것으로, 보다 상세하게는 0.8 내지 2 M의 리튬염 및 할로겐화 비닐렌카보네이트 0.1 내지 10중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 비수전해액에 관한 것이다.
상기 비수전해액은 음극 표면에 안정한 SEI를 형성함으로서 고온 및 상온에서 리튬이차전지의 수명특성을 향상시킨다.
비수전해액, 리튬이차전지, 할로겐화 비닐렌카보네이트-
42.发明公开비수계 전해질 2차 전지 양극 활물질용 리튬-니켈 복합산화물, 그 제조방법 및 그를 포함하는 양극 활물질 有权用于具有非水电解质的二次电池的阴极材料的锂镍复合氧化物，其制备方法和含有该电解质的阴极材料的方法
公开(公告)号：KR1020060008568A
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1020040056875
申请日：2004-07-21
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M4/58
Abstract: 본 발명은 비수계 전해질 2차 전지용 양극 활물질에 관한 것으로, 보다 상세히, Li
2 Ni
x M
a O
2 (단, M은 Al, Mg, Si, P 및 Ga로 이루어진 군으로부터 선택된 원소이며, x＋a = 1이고, 0 ≤ a ≤ 0.1이다.)로 나타내어지는 리튬-니켈 복합 산화물을 포함하는 것이다. 상기 리튬-니켈 복합 산화물은 단독으로, 또는 종래의 리튬화 전이 금속 산화물 재료와 조합하여 비수계 전해질의 2차 전지용 양극 활물질로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 양극 활물질은 비수계 전해질 2차 전지에 적용할 경우, 일반적으로 현재의 리튬 이온 배터리 중에 겪게 되는 비가역적 용량 손실을 극복하기에 적절한 리튬 이온 저장기 또는 여분의 리튬 이온 소스를 제공한다.-
43.发明公开개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权改性氢化聚硅氧烷，其中包含其的基于二氧化硅的绝缘层的组合物，用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的制造方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140087998A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
Applicant: 제일모직주식회사
Inventor： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: Provided is a modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from the group consisting of polysilane, polycyclosilane and a silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane has small molar ratio of nitrogen atoms with respect to silicon atoms, and can markedly decrease layer shrinkage ratio during manufacturing a silica-based insulating layer when applied in a composition for manufacturing the silica-based insulating layer.
Abstract translation: 本发明提供了一种通过氢化聚硅氧氮烷与选自聚硅烷，聚环硅烷和硅烷低聚物的硅烷化合物反应制备的改性氢化聚硅氧氮烷。 改性氢化聚硅氧氮烷相对于硅原子具有小的氮原子摩尔比，并且当在用于制造二氧化硅基绝缘层的组合物中时，在制造二氧化硅基绝缘层期间可以显着降低层收缩率。
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44.发明授权실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR101387740B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020110001802
申请日：2011-01-07
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 갖는 수소화 폴리실록사잔을 포함하고, 염소 농도 1ppm 이하인 실리카계 절연층 형성용 조성물이 제공된다.
상기 화학식 1 및 2에서, R
1 내지 R
7 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, R
1 내지 R
7 중 적어도 하나는 수소이다.-
公开(公告)号：KR101288574B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020090118751
申请日：2009-12-02
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , Y10S525/94
Abstract: 구조 중에 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지고 말단부에 하기 화학식 3으로 표현되는 부분을 가지는 수소화폴리실록사잔을 포함하고, 상기 수소화폴리실록사잔은 산소함유량이 0.2 내지 3 중량%이며, 하기 화학식 3으로 표현되는 부분은 구조 중의 Si-H 결합의 총 함량에 대하여 15 내지 35%로 포함되어 있는 갭필용 충전제 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다.
충전제, 수소화폴리실록사잔, 산소, 충전성, 평탄성-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130051759A
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：KR1020110117090
申请日：2011-11-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C11D7/50 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/31111
Abstract: PURPOSE: A rinse solution for a polyhydrosiloxazane is provided to sharply peel the interference of the polyhydrosiloxazane thin film. CONSTITUTION: A rinse solution for a polyhydrosiloxazane comprises an alcohol-based solvent, an ester-based solvent, a silanol-based solvent, an alkoxysilane-based solvent, an alkylsilazane-based solvent, and a combination thereof. The additives are selected from n-butanol, octanol, trimethylsilanol, triethylsilanol, hexamethyldisilazane, hexaethyldisilazane, tetraethoxysilane, tetraethoxysilane, tetramthoxysilane, and a combination thereof. [Reference numerals] (AA) Residual film observation; (BB) Film thickness: 500nm; (CC) About 3mm; (DD) About 10mm
Abstract translation: 目的：提供多羟基硅氮烷的漂洗溶液，以便清除多羟基硅氮烷薄膜的干扰。 构成：多羟基硅氮烷的漂洗溶液包括醇系溶剂，酯系溶剂，硅烷醇系溶剂，烷氧基硅烷系溶剂，烷基硅烷系溶剂及其组合。 添加剂选自正丁醇，辛醇，三甲基硅烷醇，三乙基硅烷醇，六甲基二硅氮烷，六乙基二硅氮烷，四乙氧基硅烷，四乙氧基硅烷，四甲氧基硅烷及其组合。 （附图标记）（AA）残留膜观察; （BB）膜厚：500nm; （CC）约3mm; （DD）约10mm
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公开(公告)号：KR1020130028587A
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020110092241
申请日：2011-09-09
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C11D7/5022 , C11D7/5009 , C11D11/0047
Abstract: PURPOSE: A rinse solution for a hydrogenated polysiloxazane thin film is provided to sharply separate the edge cutting portion of a hydrogenated polysiloxazane thin film. CONSTITUTION: A rinse solution for hydrogenated polysiloxazane thin film comprises a first solvent which is selected from a ketone-based solvent, ether-based solvent, ester-based solvent, and combination thereof; and a second solvent which is selected from a terpene-based solvent and combination thereof, and does not have an alcohol group. The first solvent is selected from propylene glycol monomethyl ether acetate, di-n-butylether, cyclohexanone, n-butyl acetate, methyl-i-butyl ketone, anisole, and a combination thereof. [Reference numerals] (AA) Residual film observation; (BB) Film thickness: 500nm; (CC) About 3mm; (DD) About 10mm
Abstract translation: 目的：提供氢化聚硅氧烷氮化物薄膜的冲洗溶液，以锐化分离氢化聚硅氧氮烷薄膜的边缘切割部分。 构成：氢化聚硅氧烷氮化物薄膜的冲洗溶液包括选自酮系溶剂，醚系溶剂，酯系溶剂及其组合的第一溶剂; 和选自萜烯系溶剂及其组合的第二溶剂，不具有醇基。 第一溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯，二正丁基醚，环己酮，乙酸正丁酯，甲基异丁基酮，苯甲醚及其组合。 （附图标记）（AA）残留膜观察; （BB）膜厚：500nm; （CC）约3mm; （DD）约10mm
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公开(公告)号：KR101107004B1
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020090100776
申请日：2009-10-22
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/108 , H01L21/8242
Abstract: 말단에 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함하는 반도체 캐패시터용 충전제를 제공한다. 또한 반도체 기판 위에 갭(gap)을 가지는 몰드를 형성하는 단계, 상기 반도체 기판 및 상기 몰드 위에 도전층을 형성하는 단계, 상기 갭 및 상기 도전층 위에 충전제를 도포하여 충전층을 형성하는 단계, 상기 충전층을 열처리하는 단계, 상기 충전층의 일부를 현상하여 상기 갭에 채워진 충전 패턴을 형성하는 단계, 상기 도전층의 일부를 제거하여 복수의 제1 전극으로 분리하는 단계, 상기 몰드 및 상기 충전 패턴을 제거하는 단계, 상기 제1 전극 위에 유전체층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유전체층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 캐패시터의 제조 방법을 제공한다. 여기서, 상기 충전제는 말단에 화학식 1로 표현되는 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함한다.
반도체 캐패시터, 충전제, 현상성, 충전성, 보관 안정성-
49.发明公开레지스트 하층막용 조성물, 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 집적회로 디바이스 无效耐冲击组合物，使用其制造集成电路装置的方法和由该方法生产的半导体装置
公开(公告)号：KR1020110075688A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090132209
申请日：2009-12-28
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , C07C33/26 , C08G77/50 , C08L83/06 , G03F7/091 , G03F7/092 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0332
Abstract: PURPOSE: A composition for a resist sub-layer, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the same, and the semiconductor integrated circuit device manufactured by the same are provided to control the refractive index and the absorbance in a wavelength range which is lower than or equal to 250nm. CONSTITUTION: A composition for a resist sub-layer includes organic silane-based polycondensate and a solvent. The organic silane-based polycondensate is generated from a group represented by chemical formulas 1 or 2 under acidic catalyst and alkaline catalyst. In the chemical formulas, the R1 is halogen, hydroxyl group, alkoxy group, carboxylic group, ester group, cyano group, haloalkyl sulfite group, alkylamine group, alkylsilyl amine group, or alkylsilyloxy group. The Ar1 is substituted or non-substituted C6 to C12 arylene group. The Ar2 and the Ar3 are identical or different and substituted or non-substituted C6 to C12 aryl group. The m and the n are identical or different and are respectively 0 or the integer of 1 to 5.
Abstract translation: 目的：提供一种抗蚀剂子层用组合物，使用该组合物的半导体集成电路器件的制造方法以及由其制造的半导体集成电路器件，以控制折射率和波长范围内的吸光度， 低于或等于250nm。 构成：抗蚀剂亚层的组合物包括有机硅烷基缩聚物和溶剂。 有机硅烷类缩聚物由酸式催化剂和碱性催化剂由化学式1或2表示的基团生成。 在化学式中，R1为卤素，羟基，烷氧基，羧基，酯基，氰基，卤代烷基亚硫酸酯基，烷基胺基，烷基甲硅烷基胺基或烷基甲硅烷氧基。 Ar 1是取代或未取代的C6至C12亚芳基。 Ar2和Ar3是相同或不同的取代或未取代的C6至C12芳基。 m和n相同或不同，分别为0或1〜5的整数。
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公开(公告)号：KR1020110062158A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090118751
申请日：2009-12-02
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , Y10S525/94
Abstract: PURPOSE: A filler for filling a gap and a method for manufacturing a semiconductor capacitor using the same are provided to fill a fine gap without air voids. CONSTITUTION: A mold oxide film(3) with a gap is formed on a semiconductor substrate(1). A conductive layer is formed on the semiconductor substrate and the mold oxide film. A filler is applied on the gap and the conductive layer to form a filing layer. The mold oxide film and a charging pattern are eliminated. A dielectric layer is formed on a first electrode. A second electrode is formed on the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供用于填充间隙的填充物和使用其的制造半导体电容器的方法以填充没有空气空隙的细小间隙。 构成：在半导体基板（1）上形成具有间隙的模具氧化膜（3）。 在半导体衬底和模制氧化物膜上形成导电层。 在间隙和导电层上施加填料以形成填充层。 消除了模具氧化膜和充电图案。 在第一电极上形成电介质层。 在电介质层上形成第二电极。
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