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公开(公告)号：KR1019930003246A
公开(公告)日：1993-02-23
申请号：KR1019910011618
申请日：1991-07-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/285
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公开(公告)号：KR1020140083630A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153588
申请日：2012-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The present invention discloses a wire saw and an apparatus for cutting an ingot using the same. According to an embodiment of the present invention, the wire saw for cutting an ingot includes a hollow tube though which a liquid abrasive is supplied; one or more sawteeth located on one side of the tube; and an abrasive injection hole formed between the sawteeth on a surface of the tube.
Abstract translation: 本发明公开了一种线锯和使用其的切割锭的装置。 根据本发明的实施例，用于切割锭的线锯包括中空管，通过该中空管提供液体磨料; 位于管一侧的一个或多个锯齿; 以及形成在管的表面上的锯齿之间的研磨注入孔。
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公开(公告)号：KR1020130099589A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120021214
申请日：2012-02-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/16 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a phase change random access memory using laser interference lithography is provided to manufacture a uniform nanostructure by applying the laser interference lithography when a cell array structure of the phase change random access memory is manufactured. CONSTITUTION: An insulation layer (30), a first electrode layer (50), a phase change material layer (20), and a transfer material layer (40) are successively deposited on a substrate (10). An array pattern is formed on the transfer material layer by using a laser interference lithography process. A metal layer (60) is formed on the transfer material layer with the array pattern. A second electrode layer is formed by removing the transfer material layer. A phase change layer (90) is formed by etching the phase change material layer using the second electrode layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供使用激光干涉光刻制造相变随机存取存储器的方法，以便在制造相变随机存取存储器的单元阵列结构时，通过应用激光干涉光刻来制造均匀的纳米结构。 构成：在衬底（10）上依次沉积绝缘层（30），第一电极层（50），相变材料层（20）和转移材料层（40）。 通过使用激光干涉光刻工艺在转印材料层上形成阵列图案。 金属层（60）以阵列图案形成在转印材料层上。 通过去除转印材料层形成第二电极层。 通过使用第二电极层作为掩模蚀刻相变材料层来形成相变层（90）。
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公开(公告)号：KR101101374B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020090072760
申请日：2009-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 반사율을 저감시키는 표면 구조를 가지는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 태양 전지는 실리콘 기판을 포함한다. 실리콘 기판은, i) 광이 입사되는 제1 표면, 및 ii) 제1 표면과 반대 방향을 향하는 제2 표면을 포함한다. 제1 표면에는 제2 표면을 향하여 뻗은 하나 이상의 개구부가 형성되고, 제1 개구부가 뻗은 방향은 제1 표면에 대해 경사진다.
태양 전지, 에칭, 결함, 광반사 방지막, 실리콘 기판-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100625230B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020040118313
申请日：2004-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은, 스페이서 패터닝을 이용하여 전극의 선폭을 수 nm 범위까지 극소화시키고, 상기 극소화된 선폭을 갖는 전극의 측면에 상변화 물질을 증착시킴으로써, 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 극소화시킬 수 있는 상변화 메모리의 제조 방법, 및 전극의 증착 두께와 스페이서 패턴닝을 통하여 형성된 수 nm 범위의 선폭에 의하여 결정되는 극소화된 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 갖는 저전력, 초고집적 상변화 메모리에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明通过使用间隔体图案化将电极的线宽度最小化到几纳米范围来使电极和相变材料之间的接触面积最小化，并将相变材料沉积在具有最小线宽的电极侧上 制造相变存储器，和一个低功耗，超高密度的相变具有电极的沉积厚度和间隔图案的电极和最小化的相变材料，其可以通过由纳米范围内的线宽涉及确定的紧固形成之间的接触面积存储器的方法 。
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公开(公告)号：KR1020060079563A
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020040118313
申请日：2004-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L45/126
Abstract: 본 발명은, 스페이서 패터닝을 이용하여 전극의 선폭을 수 nm 범위까지 극소화시키고, 상기 극소화된 선폭을 갖는 전극의 측면에 상변화 물질을 증착시킴으로써, 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 극소화시킬 수 있는 상변화 메모리의 제조 방법, 및 전극의 증착 두께와 스페이서 패턴닝을 통하여 형성된 수 nm 범위의 선폭에 의하여 결정되는 극소화된 전극과 상변화 물질 간의 접촉 면적을 갖는 저전력, 초고집적 상변화 메모리에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100533647B1
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020027013109
申请日：2001-01-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M10/05
CPC classification number: H01M10/0565 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M2300/0091
Abstract: 본 발명은 A) 식 1을 갖는 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트
올리고머를 자외선 경화시켜 얻어진 기능-I 고분자;
CH
2 =CR
1 COO(CH
2 CH
2 O)
n COCR
2 =CH
2 (I)
식 I에서 R
1 및 R
2 는 독립적으로 수소 또는 메틸이며, n은 3-20의 정수이고,
B) 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 및 그 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 기능-II 고분자;
C) 폴리비닐리덴플루오라이드(PVdF), 폴리비닐클로라이드(PVC) 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 기능-III 고분자; 및
D) 리튬염이 유기 용매에 용해되어 있는 유기전해액을 포함하는, 자외선 경화형 다성분계 고분자 블렌드 전해질, 리튬이차전지 및 이들의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR100525798B1
公开(公告)日：2005-11-22
申请号：KR1020030056953
申请日：2003-08-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 기판에 다양한 크기를 갖는 산화막이 없는 영역을 형성한 후 그 산화막이 없는 영역에 선택적 에피택셜 성장법을 이용하여 삼각형 구조의 에피택셜층을 성장시켜서 단일 반도체 기판에 여러 가지 크기의 양자세선을 형성하는 것이다. 이와 같은 구조를 광소자 제작에 응용하면 한 기판에 다양한 파장을 갖는 광소자를 한 번에 제작할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR100455753B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020019017
申请日：2002-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A thin film depositing method using pulse plasma discharge is provided to be capable of effectively transforming reaction gas into plasma by using a pulse plasma production apparatus. CONSTITUTION: After transforming reaction gas A into the first plasma using a pulse plasma production apparatus, the first thin film is deposited at the upper portion of a wafer by flowing the first plasma into a thin film depositing apparatus. Then, the first plasma is exhausted by using purge gas. After transforming reaction gas B into the second plasma, the second thin film is deposited on the first thin film. Then, the second plasma is exhausted by using the purge gas. The pulse plasma production apparatus is provided with a power supply(21), a slide transformer(22) for decreasing the voltage supplied from the power supply, a high voltage transformer(23) for increasing the voltage supplied from the slide transformer, a load(25) for generating plasma by using the voltage supplied from the high voltage transformer, and a rotating spark gap switch(24) for connecting the high voltage transformer with the load.
Abstract translation: 目的：提供一种使用脉冲等离子体放电的薄膜沉积方法，能够通过使用脉冲等离子体生产设备将反应气体有效地转化为等离子体。 组成：使用脉冲等离子体生产装置将反应气体A转化为第一等离子体后，通过使第一等离子体流入薄膜沉积装置，将第一薄膜沉积在晶片的上部。 然后，通过使用吹扫气体排出第一等离子体。 在将反应气体B转化为第二等离子体之后，将第二薄膜沉积在第一薄膜上。 然后，通过使用吹扫气体来排出第二等离子体。 脉冲等离子体生成装置具备：电源（21）;降低从电源供给的电压的滑动变压器（22）;高压变压器（23），其使从滑动变压器供给的电压升压;负载 （25），用于通过使用从高压变压器提供的电压产生等离子体;以及旋转火花隙开关（24），用于将高压变压器与负载连接。
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