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公开(公告)号：KR101529660B1
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130098713
申请日：2013-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/02 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1126 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/09
Abstract: 본발명의일 측면에따른광 검출기는전기전도가능한기판과, 상기기판상에형성된제1 전극과, 상기제1 전극에서이격배치된제2 전극, 및상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하며표면플라즈몬공명을갖는플라즈모닉나노구조물을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140080757A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120147963
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1695 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03K19/017581 , H03K19/16 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: Provided is a non-volatile configurable logic device which performs a logic operation and a memory function and is controlled by a magnetic field at the same time. A reconfigurable logic device includes i) one or more semiconductor devices, and ii) a pair of magnetic control devices which is separated from the semiconductor device at both sides of the semiconductor device and generates a magnetic leakage field to control the semiconductor device. The semiconductor device includes i) a first semiconductor layer and ii) a second semiconductor layer which is located on the first semiconductor layer. One of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is a p-type. The other is an n-type.
Abstract translation: 提供了一种非易失性可配置逻辑器件，其执行逻辑操作和存储功能，并且同时由磁场控制。 可重构逻辑器件包括i）一个或多个半导体器件，以及ii）一对磁性控制器件，其在半导体器件的两侧与半导体器件分离，并产生磁场以控制半导体器件。 半导体器件包括i）第一半导体层，以及ii）位于第一半导体层上的第二半导体层。 第一半导体层和第二半导体层中的一个是p型。 另一个是n型。
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公开(公告)号：KR101388523B1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020130018424
申请日：2013-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L21/02466 , H01L21/02381 , H01L21/02502 , H01L21/02546
Abstract: Disclosed are a manufacturing method for a compound semiconductor substrate using a silicon-based lattice mismatching elimination layer, which includes a step of forming an AlAsSb layer on a silicon substrate; a step of forming an AlAs on the AlAsSb layer; and a step of forming a GaAs layer on the AlAs, and a compound semiconductor substrate manufactured by the same.
Abstract translation: 公开了一种使用硅基晶格失配消除层的化合物半导体衬底的制造方法，其包括在硅衬底上形成AlAsSb层的步骤; 在AlAsSb层上形成AlAs的步骤; 以及在AlAs上形成GaAs层的工序，以及由其制造的化合物半导体基板。
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公开(公告)号：KR1020100091773A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090011125
申请日：2009-02-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the self assembling half - quantum structure water diversifies the temperature of substrate and injection amount of non-metal. In that way the size of the half - quantum structure water and form and density can be controlled easily. CONSTITUTION: The half - quantum structure water having the band gap bigger in the top of the substrate than the band gap of substrate is formed. Metal and the non-metal comprising the compound semiconductor having the band gap biging than the band gap of substrate are respectively selected. The metal selected in pressure less than 1×10-9torr is injected into substrate and the metal droplet is formed.
Abstract translation: 目的：自组装半量子结构水的制造方法使基体的温度和非金属的注入量多样化。 以这种方式，可以容易地控制半量子结构水的尺寸和形状和密度。 构成：形成具有衬底顶部带隙大于衬底带隙的半量子结构水。 分别选择包含具有比基板的带隙大的带隙的化合物半导体的金属和非金属。 将压力小于1×10-9torr的金属注入衬底中，形成金属液滴。
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公开(公告)号：KR1020090041062A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020070106577
申请日：2007-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L29/205
Abstract: A method for manufacturing In(As)Sb semiconductor on a lattice mismatched substrate and a semiconductor device using the same are provided to reduce the defect due to the lattice mismatch between the semiconductor layer and the semiconductor substrate by using a quantum dot layer. An oxide film formed in a surface of the semiconductor substrate(10) for preventing the oxidation is removed. The semiconductor substrate removing the oxide film is provided to a vacuum chamber. The semiconductor substrate is fixed in a holder inside the vacuum chamber. Before forming the quantum dot layer on the semiconductor substrate, a buffer layer(20) made of the same material as the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate. The temperature of a semiconductor substrate maintains the optimum growth temperature of each semiconductor substrate material in forming a buffer layer. The quantum dot layer(30) is formed on the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供了在晶格失配衬底上制造In（As）Sb半导体的方法和使用其的半导体器件，以通过使用量子点层来减少由于半导体层和半导体衬底之间的晶格失配引起的缺陷。 形成在用于防止氧化的半导体衬底（10）的表面中的氧化膜被去除。 去除氧化膜的半导体衬底被提供到真空室。 半导体衬底固定在真空室内的保持器中。 在半导体衬底上形成量子点层之前，在半导体衬底上形成由与半导体衬底相同材料制成的缓冲层（20）。 半导体衬底的温度在形成缓冲层时保持每个半导体衬底材料的最佳生长温度。 量子点层（30）形成在半导体衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100721479B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060000244
申请日：2006-01-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 양자점 구조를 가지는 반도체 장치 제작시, 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하기 위한 발명에 관한 것으로서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하고, 소정의 시간 동안 증착을 멈추고 대기하는 단계; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c)를 반복하는 단계; 및 e) 상기 양자점 상에 덮개층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법을 제공함으로써 저밀도 양자점을 갖는 반도체 장치를 구현할 수 있다.
저밀도 양자점, 화합물 반도체, InAs, MBE, 단일 광자 광원Abstract translation: 本发明涉及在制造具有量子点结构的半导体器件中用于制造具有低密度量子点结构的半导体器件的发明，其包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成缓冲层; c）按元素沉积化合物半导体元件的组成元素，停止并等待沉积预定时间; d）重复步骤c）预定次数直至产生所需厚度的量子点结构; e）在量子点上形成盖层，通过提供一种制造具有量子点结构的化合物半导体器件的方法，可以实现具有低密度量子点的半导体器件。
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公开(公告)号：KR100644970B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050003016
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함-
公开(公告)号：KR1020060082495A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050002871
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3408 , H01L29/0688 , H01S5/2228 , H01S5/34333
Abstract: 본 발명은 양자점의 상·하에 비대칭적 반도체층들을 형성하여 광통신에 이용되는 1.3 내지 1.5 ㎛ 대역의 장파장을 얻을 수 있는, 양자점 상하에 비대칭 반도체 양자우물층을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판과, 기판 위에 형성되는 제 1 양자우물층과, 제 1 양자우물층 위에 형성되는 다수의 양자점과, 다수의 양자점을 덮으며 상기 제 1 양자우물층과 비대칭을 이루는 제 2 양자우물층을 포함하는 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 양자점 상하에 비대칭 반도체층을 형성시킴으로써, 밴드갭 구조가 이상적인 0차원 양자점에 근접하게 된다. 또한 바람직한 구체적인 실시예로서, InAs 양자점 및 InGaAs 양자우물을 GaAs 기판에 성장시킨 경우, 본 발명은 InGaAs 양자우물층의 두께가 종래보다 얇게 되어 다층의 InAs 양자점을 성장시킬 수 있고, 이로 인해 광 이득이 증가되어 소자를 동작시키기 위한 전력을 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 광통신에 이용되는 1.3 ㎛ 대역 이상의 장파장을 GaAs 기판으로부터 얻을 수 있다.
반도체 양자점, InGaAs, InAs, 장파장, 양자우물, 비대칭, 격자 부정합-
公开(公告)号：KR1020050039911A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030074986
申请日：2003-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02518 , H01L21/02617
Abstract: 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.
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