公开(公告)号：KR1020090061307A

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：KR1020070128278

申请日：2007-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤용선 ,  박건식 ,  박종문 ,  김보우 ,  강진영

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/107

Abstract: A CMOS based flat type avalanche photo diode and a manufacturing method thereof are provided to improve a leakage current property of a device and to reduce lattice damage by using a silicon epi layer and an ion implantation using low energy. A well layer(2-2) of a first conductive type is formed inside a substrate(2-1). An avalanche buried layer(2-3) is formed inside the well layer of the first conductive type through a low energy ion implanting process. A silicon epi layer(2-4) is formed in the avalanche buried layer. A p-n junction(2-5a) is formed by forming a doping region of a second conductive type between a partial surface of the well layer of the first conductive type and the avalanche buried layer. A positive electrode(2-7) and a negative electrode(2-8) are formed on the doping region of the second conductive type, and the well layer of the first conductive type of a position separated from the doping region of the second conductive type. An oxide film is formed on a whole surface except for a window in which the positive electrode and the negative electrode are formed.

Abstract translation: 提供一种基于CMOS的扁平型雪崩光电二极管及其制造方法，以提高器件的漏电流特性，并通过使用硅外延层和使用低能量的离子注入来减少晶格损伤。 第一导电类型的阱层（2-2）形成在衬底（2-1）内。 通过低能离子注入工艺在第一导电类型的阱层内部形成雪崩掩埋层（2-3）。 在雪崩掩埋层中形成硅外延层（2-4）。 通过在第一导电类型的阱层的部分表面和雪崩掩埋层之间形成第二导电类型的掺杂区域来形成p-n结（2-5a）。 在第二导电类型的掺杂区域上形成正极（2-7）和负极（2-8），并且第一导电类型的阱层与第二导电类型的掺杂区域分离的位置 类型。 除了形成正极和负极的窗口之外，在整个表面上形成氧化物膜。

公开(公告)号：KR1020090044181A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020070110150

申请日：2007-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박건식 ,  윤용선 ,  김보우 ,  강진영 ,  박종문 ,  유성욱

IPC: H01L31/101 ,  H01L29/70

CPC classification number: G01J5/20 ,  H01L21/762 ,  H01L27/1203

Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터 기반의 비냉각형 적외선 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판; 상기 기판으로부터 부유되도록 형성된 적어도 하나의 바이폴라 트랜지스터; 및 상기 적어도 하나의 바이폴라 트랜지스터의 상측면에 형성된 열 흡수층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 바이폴라 트랜지스터 각각은 상기 열 흡수층을 통해 흡수된 열에 따라 출력값을 가변하는 것을 특징으로 하며, 이에 의하여 CMOS 공정과 양립되면서도 보다 우수한 온도 변화 감지 특성을 제공할 수 있다.
적외선 센서, 비냉각형, 바이폴라 트랜지스터

公开(公告)号：KR100790760B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060050225

申请日：2006-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김호영 ,  조경익 ,  김보우 ,  남은수

IPC: H01P5/18 ,  H01P5/08

Abstract: 본 발명은 저온 세라믹 기판에 장착되는 50 GHz 이상의 초고주파 집적회로(MMIC)에서 발생되는 전기적인 신호를 효율적으로 전달하는 다중 도파로 구조를 이용한 대역 신호 전송기를 제공하기 위한 것으로, 기판과, 상기 기판 위에 초고주파 집적회로(MMIC)로부터 와이어링(wiring)되어 적어도 2개 이상 분리된 금속면이 그 폭과 길이 중 하나 이상을 달리하여 적어도 2단 이상으로 직렬 연결된 다단 도파로 형태의 신호 전송로를 포함하여 구성하여, 전기신호 전달의 성능을 향상시키고, 입출력 특성을 향상시킨다.
와이어링, 저온 세라믹 기판, 다중 도파로형, MMIC, 대역 신호 전송기

公开(公告)号：KR100670828B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020050121973

申请日：2005-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  홍선의 ,  오명숙 ,  김용원 ,  김호영 ,  김보우

IPC: H01L31/101

CPC classification number: H01L27/14694 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14687

Abstract: A photo-detector for an image signal of an infrared laser radar and a method of manufacturing the same are provided to acquire a flat upper surface from a substrate structure by using an Fe ion implanted region as an isolation region. A multilayer compound semiconductor layer is formed on a semi-insulating compound semiconductor substrate(100). A plurality of PN junction diodes are arranged within a selected region of the compound semiconductor layer. A ion implanted region(170) is formed in the compound semiconductor layer to isolate the plurality of PN junction diodes from each other. The ion implanted region is used as an isolation region. The ion implanted region is implanted with Fe ions.

Abstract translation: 提供了用于红外激光雷达的图像信号的光检测器及其制造方法，以通过使用Fe离子注入区域作为隔离区域从基板结构获取平坦的上表面。 在半绝缘化合物半导体基板（100）上形成多层化合物半导体层。 多个PN结二极管被布置在化合物半导体层的选定区域内。 在化合物半导体层中形成离子注入区（170），以将多个PN结二极管彼此隔离。 离子注入区域用作隔离区域。 离子注入区域注入Fe离子。

公开(公告)号：KR100584697B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040080344

申请日：2004-10-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김호영 ,  남은수 ,  조경익 ,  김보우 ,  오명숙

IPC: G02B6/293

CPC classification number: H01S3/067 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/07 ,  H01S3/0809 ,  H01S3/082 ,  H01S3/1055

Abstract: 본 발명은 차세대(~5세대) 초고속 무선 인터넷 서비스를 위한 밀리미터파 무선 가입자 통신 시스템의 기지국에서 무선 가입자에게 전송되는 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 수 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 루프 거울의 입/출력포트에 각각 광섬유 증폭기 및 광섬유 격자 거울을 병렬로 연결하여 각각의 파장에 적합한 레이저 모드 두 개가 동시에 발진할 수 있는 이중 모드 레이저 공진기를 형성함으로써, 두 개의 레이저 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 초고주파(60㎓ 이상)로 변조되는 광원을 얻을 수 있다.
광 발진기, 루프 거울, 광증폭 광섬유, 광섬유 격자 거울, 이중 모드

Abstract translation: 本发明涉及一种可以用作下一代毫米波波段频率的光学振荡器（1-5代）的毫米波的振荡频率信号将被发送到在用于高速无线互联网服务人的毫米波无线用户通信系统的基站无线用户 通过连接各光纤放大器和光纤光栅镜在平行屋顶镜的输入/输出端口，以形成双模式激光谐振器的两个合适的激光模式的狗可以在每个波长的同时摆动，两个激光模式之间的差拍现象 可以通过其与非常高的频率（以后60㎓）调制的光源来获得。

公开(公告)号：KR100572853B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020030097048

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박건식 ,  유성욱 ,  박종문 ,  윤용선 ,  김상기 ,  김보우 ,  배윤구 ,  임병원 ,  구진근

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 계면전하 또는 포획전하를 가지는 투광성의 비전도성 물질을 증착하여, 반도체 표면을 공핍시키고, 이 공핍영역을 빛의 감지영역으로 사용하는 광센서를 제작함으로서, 자외선 및 푸른색 영역 파장의 빛에 대한 감지 능력을 향상시키고, 가시광 및 적외선 영역의 광을 여과할 수 있으며, 일반적인 실리콘 CMOS 공정과도 양립할수 있는 광센서를 제작하는 것이다.
광센서, 포획전하, 계면전하, 공핍영역

公开(公告)号：KR100531012B1

公开(公告)日：2005-11-28

申请号：KR1020030050042

申请日：2003-07-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유성욱 ,  구진근 ,  박건식 ,  박종문 ,  김보우 ,  윤용선 ,  김상기

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서 열산화, 열확산, 각종 어닐과 같은 웨이퍼 프로세스에 사용되는 횡형 확산로에 관한 것이다. 원통 형태의 석영 튜브에는 비스듬히 절재된 모양의 경사진 개구부가 형성되어 보트가 내부에 위치된 상태에서 개구부를 통해 웨이퍼를 보트에 용이하게 적재할 수 있으며, 개구부를 밀폐하기 위한 튜브 덮개에는 다수의 가스 유출공을 갖는 가스 주입구가 형성되어 반응가스가 석영 튜브 내부로 균일하게 공급됨으로써 두께가 균일한 박막을 성장시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 튜브 덮개가 개구부에 덮힌 상태에서 석영 튜브가 반응실로 이동하기 때문에 외부로부터 대기가스의 유입이 차단되어 자연산화막의 성장이 최소화된다.

公开(公告)号：KR1020050065888A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097048

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박건식 ,  유성욱 ,  박종문 ,  윤용선 ,  김상기 ,  김보우 ,  배윤구 ,  임병원 ,  구진근

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 계면전하 또는 포획전하를 가지는 투광성의 비전도성 물질을 증착하여, 반도체 표면을 공핍시키고, 이 공핍영역을 빛의 감지영역으로 사용하는 광센서를 제작함으로서, 자외선 및 푸른색 영역 파장의 빛에 대한 감지 능력을 향상시키고, 가시광 및 적외선 영역의 광을 여과할 수 있으며, 일반적인 실리콘 CMOS 공정과도 양립할수 있는 광센서를 제작하는 것이다.

公开(公告)号：KR100485129B1

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020020070288

申请日：2002-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박건식 ,  유성욱 ,  권성구 ,  백규하 ,  윤용선 ,  김보우 ,  구진근

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 케소드를 형성하기 위해 도전층을 건식식각하는 과정에서 식각된 도전물의 재증착을 이용하여 케소드 측벽에 케소드 팁을 형성한다. 도전물의 재증착에 의해 형성된 케소드 팁의 선단은 선형으로 이루어지기 때문에 점 형상을 갖는 종래의 케소드 팁에 비해 높은 방전효율을 갖는다. 또한, 식각물질과 반응가스에 따라 건식식각 시 재증착이 일어나는 다양한 금속물질을 이용하여 케소드를 형성할 수 있으므로 방전수명이 양호한 금속을 사용하면 특성이 개선된 케소드 팁을 형성할 수 있으며, 저온에서 공정이 진행되므로 유리 기판의 사용도 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020050010661A

公开(公告)日：2005-01-28

申请号：KR1020030050042

申请日：2003-07-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유성욱 ,  구진근 ,  박건식 ,  박종문 ,  김보우 ,  윤용선 ,  김상기

IPC: H01L21/22

Abstract: PURPOSE: A lateral diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device is provided to load easily a wafer on a boat in a quartz tube by using a tilted opening of the quartz tube and to grow a uniform thin film and minimize the growth of a native oxide layer by preventing an atmospheric gas from permeating into the tube using a tube lid having a gas injection port with a plurality of gas outlet holes. CONSTITUTION: A lateral diffusion furnace includes a reaction chamber(11) with a heating coil(13), a boat(14) for loading wafers(15), a tube and a tube lid. The tube(12) includes a tilted opening(B) for exposing the boat to the outside. The tube lid(20) is used for sealing the tube by covering the opening of the tube. The tube lid includes a gas injection port(17) with a plurality of gas outlet holes(21).

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的横向扩散炉，通过使用石英管的倾斜开口容易地在石英管中的船上加载晶片，并且生长均匀的薄膜并使天然氧化物层的生长最小化 通过使用具有具有多个气体出口孔的气体注入口的管盖来防止大气气体渗透到管中。 构成：横向扩散炉包括具有加热线圈（13）的反应室（11），用于装载晶片（15）的船（14），管和管盖。 管（12）包括用于将船暴露到外部的倾斜开口（B）。 管盖（20）用于通过覆盖管的开口来密封管。 管盖包括具有多个气体出口孔（21）的气体注入口（17）。