公开(公告)号：KR1020090124693A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020080051047

申请日：2008-05-30

Applicant: 홍익대학교 산학협력단 ,  한국원자력연구원 ,  한국화학연구원

Inventor： 황진하 ,  이홍경 ,  이준영 ,  한영환 ,  이병철 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/66825

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing nano floating gate memory is provided to increase the charge trap or the interface trap by using additional electronic beam. CONSTITUTION: The semiconductor substrate(110) is introduced inside the atomic layer deposition reactor. The aluminum atom and oxygen atom are supplied on the semiconductor substrate and the tunneling layer(120) is formed. The nickel source person and oxygen atom are supplied on the tunneling layer and the charge storage layer(130) is formed. The electronic beam is researched in the surface of the charge storage layer. The aluminum atom and oxygen atom are supplied on the charge storage layer and the control layer(140) is formed. The electronic beam is irradiated in the surface of the control layer.

Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米浮动栅极存储器的方法，通过使用附加的电子束来增加电荷陷阱或接口陷阱。 构成：将半导体衬底（110）引入原子层沉积反应器内部。 在半导体衬底上提供铝原子和氧原子，形成隧道层（120）。 镍源人和氧原子被提供在隧道层上，形成电荷存储层（130）。 在电荷存储层的表面研究电子束。 在电荷存储层上供给铝原子和氧原子，形成控制层（140）。 电子束照射在控制层的表面。

公开(公告)号：KR1020090100583A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020080025858

申请日：2008-03-20

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  장세진

IPC: C07F7/22 ,  B82B3/00

CPC classification number: C07F7/2204

Abstract: PURPOSE: A novel tin amino-alkoxide compound is provided to ensure high volatility and thermal stability and use as a precursor which produces a tin nano particle. CONSTITUTION: A tin amino-alkoxide compound is denoted by the chemical formula 1, Sn[O-A-NR1R2]2. In the chemical formula 1, A is linear or branched (C2-C10) alkylene which is substituted or non-substituted with a halogen. R1 and R2 are independently linear or branched (C1-C7) alkyl group which is substituted or non-substituted with halogen.

Abstract translation: 目的：提供新的锡氨基 - 醇盐化合物，以确保高挥发性和热稳定性，并用作产生锡纳米颗粒的前体。 构成：锡氨基 - 醇盐化合物由化学式1表示，Sn [O-A-NR1R2] 2表示。 在化学式1中，A是被卤素取代或未取代的直链或支链（C 2 -C 10）亚烷基。 R1和R2独立地为被卤素取代或未被取代的直链或支链（C1-C7）烷基。

公开(公告)号：KR100860140B1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：KR1020070042805

申请日：2007-05-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  장세진

IPC: C07F7/30

CPC classification number: C07F7/30 ,  C01G17/00 ,  C01P2004/64 ,  C23C16/18 ,  C23C16/407

Abstract: A germanium compound is provided to show high volatility and thermo-stability, thereby being usefully used as a precursor material for preparing germanium nano-particles, germanium oxides, germanium chalcogenides and other material including germanium. A germanium amino-alkoxide compound is represented by a formula(1) and is prepared by reacting a germanium compound represented by a formula(2) of GeX2(dioxane) and an amino alkoxide alkali metal salt compound represented by a formula(3) of MOCR^1R^2(CH2)_mR^3R^4. In the formulae, each R1 and R2 is independently C1-7 linear or branched alkyl which may be substituted or unsubstituted with F; each R3 and R4 is independently H or C1-7 linear or branched alkyl which may be substituted or unsubstituted with F; X is Cl, Br or I; M is Li, Na or K; and m is an integer from 1 to 4.

Abstract translation: 提供锗化合物以显示高挥发性和热稳定性，从而有效地用作制备锗纳米颗粒，氧化锗，锗硫族化合物和包括锗的其它材料的前体材料。 锗烷氧基化合物由式（1）表示，通过GeX 2（二恶烷）的式（2）表示的锗化合物和式（3）表示的氨基醇盐碱金属盐化合物与式 MOCR ^ 1R ^ 2（CH 2）_mR ^ 3R ^ 4。 在该式中，R 1和R 2各自独立地为可以被F取代或未被取代的C 1-7直链或支链烷基; 每个R 3和R 4独立地是H或可以被F取代或未取代的C 1-7直链或支链烷基; X是Cl，Br或I; M为Li，Na或K; m为1〜4的整数。

公开(公告)号：KR100824294B1

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：KR1020060072741

申请日：2006-08-01

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 본 발명은 철 산화물 박막을 화학 증착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 기억 소자 중 하나인 ReRAM(Resistance Random Access Memory)용 철 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 제조된 철 산화물 박막이 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보여, 이를 ReRAM 소자에 적용할 경우 우수한 소자 특성을 나타낼 것으로 기대된다.
철 아미노알콕사이드, 철 선구물질, 철 산화물, 박막, MOCVD, ALD, ReRAM

公开(公告)号：KR100753997B1

公开(公告)日：2007-09-03

申请号：KR1020060012989

申请日：2006-02-10

Applicant: 황진하 ,  한국화학연구원

Inventor： 황진하 ,  김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막 형성 방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것으로 특히, 옹스트롱 단위의 평균 두께를 갖는 니켈 산화물 박막을 낮은 온도에서 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성하여 비정질 실리콘 박막의 결정화 과정에서 비정질 실리콘 박막의 결정성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 니켈 산화물 박막을 이용하여 박막 트랜지스터의 비정질 실리콘 박막에 대한 결정화를 진행하며 드레인 영역과 비정질 실리콘 박막의 상면에 잔류하는 니켈 성분을 최소화하여 공정을 단축하고 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
니켈산화물 박막, 원자층 증착법, 비정질 실리콘 결정화, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR100695492B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020050038683

申请日：2005-05-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  성기환 ,  이상현

IPC: B01J13/02 ,  C01G5/00 ,  B01J13/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 유기 용매에 단분산된 나노 크기의 은 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상세하게는 a) 유기용매에 용해된 덮개 리간드에 은염 또는 은염 수용액을 혼합시키는 단계; b) 환원제를 천천히 적가하는 단계; c) 극성유기용매에서 은 나노입자를 침전시키고, 분리하는 단계; d) 제조된 은 나노입자를 비극성 유기용매에서 분산시키는 단계; 를 특징으로 하는 단분산된 나노 은 콜로이드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 제조된 유기 용액에 분산된 은 나노 콜로이드는 넓은 산업범위에서 응용성을 가질 수 있다.
은, 콜로이드

公开(公告)号：KR100592793B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040063129

申请日：2004-08-11

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  장홍석

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV) [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), Hf(mp)
4 ]를 단일 선구 물질로 사용하여 금속 유기물 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 선구 물질은 기존의 Hf(O
t Bu)
4 (hafnium tetra-
tert -butoxide)와 견줄 때 증기압이 높아 MOCVD 공정에 적합하고 안정성이 더 뛰어나 보관과 사용에 유리하며 산소 원을 따로 공급하지 않고 이를 단독으로 사용하여 질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 제조하는 데에 유용하다.

公开(公告)号：KR1020060015063A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063890

申请日：2004-08-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  조원태 ,  장홍석 ,  전형탁 ,  김석훈

IPC: C01G27/02

Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100532030B1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：KR1020030067950

申请日：2003-09-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  오영우 ,  성기환

IPC: B01J31/12 ,  B82B1/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 신규의 팔라듐 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 팔라듐 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 외부 환원제 없이 나노 크기의 팔라듐 촉매를 제조하는 데 유용하게 사용할 수 있다.

상기 식에서,
m은 1 내지 3의 정수이고,
R 및 R'은 각각 독립적으로 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 의
선형 또는 분지형 알킬 기이다.

公开(公告)号：KR1020050035606A

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：KR1020030071028

申请日：2003-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  윤종욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C07F15/045 ,  B82Y40/00 ,  C07F1/08

Abstract: 본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물로부터 나노크기의 기공을 가지는 물질을 주형체로 사용하여 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.