公开(公告)号：KR100824294B1

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：KR1020060072741

申请日：2006-08-01

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 본 발명은 철 산화물 박막을 화학 증착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 기억 소자 중 하나인 ReRAM(Resistance Random Access Memory)용 철 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 제조된 철 산화물 박막이 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보여, 이를 ReRAM 소자에 적용할 경우 우수한 소자 특성을 나타낼 것으로 기대된다.
철 아미노알콕사이드, 철 선구물질, 철 산화물, 박막, MOCVD, ALD, ReRAM

公开(公告)号：KR100753997B1

公开(公告)日：2007-09-03

申请号：KR1020060012989

申请日：2006-02-10

Applicant: 황진하 ,  한국화학연구원

Inventor： 황진하 ,  김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막 형성 방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것으로 특히, 옹스트롱 단위의 평균 두께를 갖는 니켈 산화물 박막을 낮은 온도에서 비정질 실리콘 박막의 상면에 형성하여 비정질 실리콘 박막의 결정화 과정에서 비정질 실리콘 박막의 결정성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막 형성방법과 이를 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 니켈 산화물 박막을 이용하여 박막 트랜지스터의 비정질 실리콘 박막에 대한 결정화를 진행하며 드레인 영역과 비정질 실리콘 박막의 상면에 잔류하는 니켈 성분을 최소화하여 공정을 단축하고 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 니켈 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
니켈산화물 박막, 원자층 증착법, 비정질 실리콘 결정화, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR100704464B1

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：KR1020030012108

申请日：2003-02-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  박정우 ,  장홍석 ,  김민찬

IPC: C07F1/08

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1과 화학식 2로 표시한 신규의 구리 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 구리 선구 물질은 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 반도체 소자의 배선용 구리 도선의 화학 증착에 유용하게 사용할 수 있다.


상기 식에서,
m은 1 내지 3의 정수이고, n은 2 내지 4의 정수이며, R 및 R'은 플루오르를 포함하 거나 포함하지 않는 C
1-4 의 알킬기이다.

公开(公告)号：KR100666755B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020060006743

申请日：2006-01-23

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  정택모 ,  이선숙 ,  박민정

IPC: C07F15/02 ,  C07C215/10 ,  B82B3/00

CPC classification number: C07F15/02 ,  C01G49/02 ,  C01P2004/64 ,  C23C16/406

Abstract: Novel iron(III) amino-alkoxide compounds and a process for preparing thereof are provided to improve thermal stability and increase solubility in organic solvent, so that high quality of iron oxide thin film and nanoparticles are formed. The iron amino-alkoxide compounds represented by the formula(1): Fe[OCR'2(CH2)mNR2]3 are provided, wherein m is 1 to 3; and R and R' are each independently C1-C5 linear or branched alkyl with or without fluorine. The iron amino-alkoxide compounds are prepared by reacting iron(III) halogen compounds represented by the formula(2): FeX3 with amino alkoxide alkali metal salt compounds represented by the formula(3): MOCR'2(CH2)mNR2, wherein M is Li, Na or K. The iron oxide thin film and nanoparticles are formed by using the iron amino-alkoxide compounds as a precursor.

Abstract translation: 提供新的铁（III）氨基 - 醇盐化合物及其制备方法以改善热稳定性并增加在有机溶剂中的溶解度，从而形成高质量的氧化铁薄膜和纳米颗粒。 提供由式（1）表示的铁氨基醇盐化合物：Fe [OCR'2（CH2）mNR2] 3，其中m为1至3; 并且R和R'各自独立地为具有或不具有氟的C1-C5直链或支链烷基。 铁氨基醇盐化合物通过使由式（2）表示的铁（III）卤素化合物：FeX 3与由式（3）表示的氨基醇盐碱金属盐化合物：MOCR'2（CH2）mNR2反应制备，其中M 是Li，Na或K.通过使用铁氨基 - 醇盐化合物作为前体形成氧化铁薄膜和纳米颗粒。

公开(公告)号：KR100532030B1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：KR1020030067950

申请日：2003-09-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  오영우 ,  성기환

IPC: B01J31/12 ,  B82B1/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 신규의 팔라듐 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 팔라듐 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 외부 환원제 없이 나노 크기의 팔라듐 촉매를 제조하는 데 유용하게 사용할 수 있다.

상기 식에서,
m은 1 내지 3의 정수이고,
R 및 R'은 각각 독립적으로 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 의
선형 또는 분지형 알킬 기이다.

公开(公告)号：KR1020050035606A

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：KR1020030071028

申请日：2003-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  윤종욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C07F15/045 ,  B82Y40/00 ,  C07F1/08

Abstract: 본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물로부터 나노크기의 기공을 가지는 물질을 주형체로 사용하여 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050031706A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020030067950

申请日：2003-09-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  오영우 ,  성기환

IPC: B01J31/12 ,  B82B1/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B01J37/088 ,  B01J23/44 ,  B82Y30/00

Abstract: Provided are a palladium aminoalkoxide compound in a solid state at room temperature and a process for preparation of palladium nano-catalyst using the same without external reduction agent to exhibit extremely high volatility and thermal stability and high catalytic activity in organic synthesis applications. The palladium(II) aminoalkoxide compound or hydrate thereof represented by following formula 1, wherein m is an integer of 1 to 3; R and R' include fluorine or not and are linear or branched alkyl groups having C1-C4. The compound is prepared reacting any one of bis(acetonitril)dihalogenated palladium(II) compound and alkali metal salt of aminoalkoxide, or halogenated palladium(II) compound and alkali metal salt of aminoalkoxide. The process for preparing palladium nano-particles comprises thermally decomposing the palladim(II) aminoalkoxide compound or hydrate thereof at 100 to 300 deg.C under an organic compound containing an electron donor element.

Abstract translation: 提供在室温下为固态的钯氨基烷氧化物化合物和使用其而没有外部还原剂的钯纳米催化剂的制备方法，在有机合成应用中表现出非常高的挥发性和热稳定性以及高催化活性。 由下式1表示的其中m为1至3的整数的氨基醇化合物（II）或其水合物; R和R'包括不是氟，并且是具有C 1 -C 4的直链或支链烷基。 制备化合物，使二（乙腈）二卤化钯（II）化合物和氨基烷氧化物的碱金属盐或卤化钯（II）化合物和氨基烷氧化物的碱金属盐中的任何一种反应制备。 制备钯纳米颗粒的方法包括在含有电子给体元素的有机化合物下在100至300℃下热分解帕拉米德（II）氨基烷氧基化合物或其水合物。

公开(公告)号：KR1020050006516A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020030046357

申请日：2003-07-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  이선숙 ,  안기석 ,  백재윤

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a hydroxyl monolayer on a substrate is provided to make a silicon wafer coated with only a hydroxide radical by making chlorine absorbed to the surface of the silicon wafer in a high vacuum atmosphere and by replacing the chlorine with the hydroxide radical while using water. CONSTITUTION: A halogen element of a gas state is absorbed to the surface of a substrate in a high vacuum atmosphere. Water is supplied to the surface of the substrate to which a halogen element is absorbed in a high vacuum atmosphere so that the halogen element is replaced with the hydroxide radical by reaction of water molecules and the halogen element to form a hydroxyl monolayer.

Abstract translation: 目的：提供在基板上形成羟基单层的方法，以通过在高真空气氛中将氯吸收到硅晶片的表面并通过用氢氧根自由代替氯来制造仅具有氢氧根的硅晶片 同时使用水。 构成：气体状态的卤素元素在高真空气氛中被吸收到衬底的表面。 在高真空气氛中将水供给到卤素元素被吸收的基板的表面，使得卤素元素被水分子与卤素元素反应形成羟基单层，由氢氧根自由而代替。

公开(公告)号：KR1020040076758A

公开(公告)日：2004-09-03

申请号：KR1020030012108

申请日：2003-02-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  박정우 ,  장홍석 ,  김민찬

IPC: C07F1/08

CPC classification number: C07F1/08 ,  C23C16/18

Abstract: PURPOSE: Copper aminoalkoxide complexes, a preparation method thereof and a process for formation of the copper thin film using the same complexes are provided. The complexes have high volatility and thermal stability, and are reduced into copper without any reducing agent. Therefore, the complexes can be useful for formation of the high quality copper thin film. CONSTITUTION: A copper aminoalkoxide complex is represented by the formula(1), wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-4 alkyl optionally containing fluor. A copper aminoalkoxide complex is represented by the formula(2), wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-4 alkyl optionally containing fluor. The method for preparing the copper aminoalkoxide complex of the formula(1) comprises reacting copper alkoxide or copper halogenide with amino alkoxide compound of alkali metals(MOCR'2(CH2)mNR2), wherein M is Li or Na. The method for preparing the copper aminoalkoxide complex of the formula(2) comprises reacting copper alkoxide or copper halogenide with amino alkoxide compound of alkali metals(MOC(R')2(CH2)mO(CH2)nNR2), wherein M is Li or Na.

Abstract translation: 目的：提供氨基烷氧基铜络合物及其制备方法和使用相同复合物形成铜薄膜的方法。 络合物具有高挥发性和热稳定性，并且在没有任何还原剂的情况下还原成铜。 因此，该复合物可用于形成高质量铜薄膜。 构成：铜氨基烷氧基络合物由式（1）表示，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是任选地含氟的C 1-4烷基。 铜氨基醇氧化物配合物由式（2）表示，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是任选地含氟的C 1-4烷基。 制备式（1）的氨基亚烷基氧化物络合物的方法包括使烷氧基铝或卤化铜与碱金属的烷氧基化合物（MOCR'2（CH2）mNR2）反应，其中M为Li或Na。 制备式（2）的氨基烷氧基铜络合物的方法包括使烷氧基铝或卤化铜与碱金属（MOC（R'）2（CH2）mO（CH2）nNR2）的氨基醇盐化合物反应，其中M为Li或 娜。

公开(公告)号：KR1020040074754A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：KR1020030010148

申请日：2003-02-18

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  이선숙 ,  오영우 ,  장홍석

IPC: C07F7/00

CPC classification number: C07F7/006 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: A precursor of zirconium dioxide, a preparation method thereof and a method for forming thin film using the same are provided, which zirconium dioxide precursor has thermal stability and improved volatility, so that high quality of zirconium thin film can be formed. CONSTITUTION: The precursor of zirconium dioxide represented by formula (1) is provided, wherein R is C1-4 alkyl optionally containing fluor; and R' is C1-4 alkyl optionally containing fluor or SiR'3. The method for preparing the precursor of zirconium dioxide of formula (1) comprises reacting zirconium complex of formula (2) with alkali metal salt of alcohol of formula (3), wherein X is chlorine, bromine or iodine; and M is Li, Na or K. The method for preparing the precursor of zirconium dioxide of formula (1) comprises reacting zirconium complex of formula (2) with alcohol of formula (4) in the presence of tertiary amine. The method for forming thin film comprises carrying out MOCVD system(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Systems) or ALD(atomic layer deposition) using the precursor of zirconium dioxide of formula (1).

Abstract translation: 目的：提供二氧化锆的前体，其制备方法和使用其制备薄膜的方法，其中二氧化锆前体具有热稳定性和改善的挥发性，从而可以形成高质量的锆薄膜。 构成：提供由式（1）表示的二氧化锆的前体，其中R是任选含氟的C 1-4烷基; 并且R'是任选地含有氟或SiR'3的C 1-4烷基。 制备式（1）二氧化锆前体的方法包括使式（2）的锆络合物与式（3）的醇的碱金属盐反应，其中X是氯，溴或碘; M是Li，Na或K.制备式（1）二氧化锆前体的方法包括在叔胺存在下使式（2）的锆络合物与式（4）的醇反应。 形成薄膜的方法包括使用式（1）的二氧化锆前体进行MOCVD系统（金属有机化学气相沉积系统）或ALD（原子层沉积）。