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    Verfahren für die spannungsreduzierte Herstellung von Halbleiterbauelementen
    41.
    发明专利
    Verfahren für die spannungsreduzierte Herstellung von Halbleiterbauelementen 未知

    公开(公告)号：DE102013112646B4

    公开(公告)日：2020-12-31

    申请号：DE102013112646

    申请日：2013-11-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/8258 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30

    Abstract: Verfahren für das spannungreduzierte Ausbilden eines Halbleiterbauelements, umfassend:- Bereitstellen eines Halbleiterwafers, der eine Oberseite (16) und eine erste Halbleiterschicht (1) aus einem ersten Halbleitermaterial an der Oberseite (16) umfasst;- Ausbilden, in einem vertikalen Querschnitt, der im Wesentlichen orthogonal zu der Oberseite (16) verläuft, mehrerer erster vertikaler Gräben (50) und mehrerer zweiter vertikaler Gräben (51) zwischen benachbarten ersten vertikalen Gräben (50) an der Oberseite (16), so dass die ersten vertikalen Gräben (50) im vertikalen Querschnitt eine größere horizontale Ausdehnung als die zweiten vertikalen Gräben (51) aufweisen; und- Ausbilden mehrerer dritter Halbleiterschichten (3) an der Oberseite (16), die im vertikalen Querschnitt voneinander durch Spalte beabstandet sind, von denen jeder im vertikalen Querschnitt bei Betrachtung von oben einen jeweiligen ersten vertikalen Graben überlappt, wobei mindestens eine der dritten Halbleiterschichten (3) ein Halbleitermaterial umfasst, das von dem ersten Halbleitermaterial verschieden ist, wobei das Verfahren weiter mindestens einen der folgenden Schritte umfasst:- Ausbilden einer Diode in mindestens einer der dritten Halbleiterschichten (3);- Ausbilden einer LED in mindestens einer der dritten Halbleiterschichten (3);- Ausbilden eines Bipolartransistors in mindestens einer der dritten Halbleiterschichten (3);- Ausbilden einer Feldeffektstruktur in mindestens einer der dritten Halbleiterschichten (3);- Ausbilden mindestens einer ersten Metallisierung auf mindestens einer der dritten Halbleiterschichten (3);- Ausbilden einer zweiten Metallisierung, die gegenüber der ersten Metallisierung angeordnet ist, auf mindestens einer der dritten Halbleiterschichten (3);- Montieren der ersten Metallisierung an einem Trägerwafer;- Entfernen der ersten Halbleiterschicht (1); und- Dünnen der ersten Halbleiterschicht (1) auf einer Oberfläche (15) der ersten Halbleiterschicht (1), die der Oberseite (16) gegenüberliegt.

    Halbleitervorrichtung, enthaltend eine Wärmesenkenstruktur
    42.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung, enthaltend eine Wärmesenkenstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102015122804B4

    公开(公告)日：2020-10-15

    申请号：DE102015122804

    申请日：2015-12-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAHLER JOACHIM ,  ZUNDEL MARKUS ,  RUHL GÜNTHER ,  IRSIGLER PETER

    IPC: H01L23/373 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine Driftstruktur (120), die in einem Halbleiterkörper (100) ausgebildet ist, wobei die Driftstruktur (120) erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115) von Transistorzellen (TC) bildet;Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) in die Driftstruktur (120) erstrecken; undWärmesenkenstrukturen (170), die sich zwischen den Gatestrukturen (150) von der ersten Oberfläche (101) in die Driftstruktur (120) erstrecken, wobei eine Wärmekapazität der Wärmesenkenstrukturen (170) höher als eine Wärmekapazität der Gatestrukturen (150) ist, wobeidie Wärmesenkenstrukturen (170) ein Material mit einer spezifischen thermischen Kapazität aufweisen, die eine spezifische thermische Kapazität einer in den Gatestrukturen (150) enthaltenen Gateelektrode (155) um mindestens das Zweifache übertrifft.

    Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
    44.
    发明专利
    Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben 未知

    公开(公告)号：DE102015213756B4

    公开(公告)日：2018-10-25

    申请号：DE102015213756

    申请日：2015-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

    Abstract: Mikromechanische Struktur (10, 20, 30), umfassend:ein Substrat (12); undeine funktionelle Struktur (14), die auf dem Substrat (12) angeordnet ist;wobei die funktionelle Struktur (14) ein funktionelles Gebiet (16) umfasst, das ausgelegt ist, in Bezug auf das Substrat (12) ansprechend auf eine Kraft (18), die auf das funktionelle Gebiet (16) einwirkt, ausgelenkt zu werden;wobei die funktionelle Struktur (14) eine leitfähige Basisschicht (22; 22a-b) umfasst;wobei die funktionelle Struktur (14) eine Versteifungsstruktur (24; 24a-e) mit einem Versteifungsstrukturmaterial umfasst, die auf der leitfähigen Basisschicht (22; 22a-b) angeordnet ist und die leitfähige Basisschicht (22; 22a-b) in dem funktionellen Gebiet (16) nur teilweise bedeckt; undwobei das Versteifungsstrukturmaterial ein Silicium-Material und wenigstens ein Kohlenstoff-Material umfasstwobei das Versteifungsstrukturmaterial eine Mehrzahl von Konzentrationswerten in Bezug auf die Kohlenstoff-Konzentration entlang einer Dickenrichtung (26) der Versteifungsstruktur umfasst; undwobei die Materialkonzentration entlang der Dickenrichtung (26) variiert.

    Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelemente
    45.
    发明专利
    Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelemente 未知

    公开(公告)号：DE102016111321B4

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：DE102016111321

    申请日：2016-06-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SEIDER-SCHMIDT MARTINA ,  HELLMUND OLIVER ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT SEBASTIAN

    IPC: H01L21/28 ,  H01L23/482 ,  H01L29/30 ,  H01L29/41

    Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Bilden (110) einer Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats;Bilden (120) von Halbleitermaterial auf der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten innerhalb von Halbleitermaterial zu vergraben;Entfernen (130) von zumindest einem Abschnitt des Halbleitersubstrats von einer zweiten Seite des Halbleitersubstrats, um die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten an einer Rückseite des Halbleiterbauelements freizulegen;Bilden (140) einer rauen Oberfläche an der Rückseite des Halbleiterbauelements durch Entfernen von zumindest einer Teilmenge der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten, während zumindest ein Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, verbleibt, oder durch Entfernen von zumindest einem Teil eines Halbleitermaterials, der sich lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befindet, während die Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten verbleibt; undBilden (150) einer Rückseitenmetallisierungsstruktur an der rauen Oberfläche in Kontakt mit zumindest Abschnitten des Halbleitermaterials, die sich zumindest während des Bildens der rauen Oberfläche lateral zwischen der Mehrzahl von Nicht-Halbleitermaterial-Abschnitten befinden.

    Bondpadstruktur
    48.
    发明专利
    Bondpadstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102017110938A1

    公开(公告)日：2017-11-23

    申请号：DE102017110938

    申请日：2017-05-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA

    IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

    Abstract: Eine Bondpadstruktur beinhaltet eine erste Oxidschicht, die über einem Substrat liegt. Mehrere Haftungstrukturen sind über der ersten Oxidschicht gebildet. Eine zweite Oxidschicht ist über den mehreren Haftungsstrukturen und der ersten Oxidschicht gebildet. Jede von mehreren Kontaktöffnungen, die innerhalb eines Oberflächengebiets der zweiten Oxidschicht gebildet sind, beinhaltet eine oder mehrere Seiten und ist über dem wenigstens einen Teil einer oberen Oberfläche einer entsprechenden der mehreren Haftungsstrukturen ausgerichtet. Eine Barriereschicht ist innerhalb des Oberflächengebiets, das sich über der zweiten Oxidschicht befindet, und innerhalb der mehreren Kontaktöffnungen und über dem wenigstens einen Teil der oberen Oberfläche der entsprechenden der mehreren Haftungsstrukturen gebildet. Eine Metallschicht ist über der Barriereschicht gebildet.

    Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
    50.
    发明专利
    Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben 未知

    公开(公告)号：DE102015213757B4

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：DE102015213757

    申请日：2015-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

    Abstract: Mikromechanische Struktur, umfassend: ein Substrat; und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist; wobei die funktionelle Struktur ein funktionelles Gebiet umfasst, das in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, auslenkbar ist; wobei die funktionelle Struktur eine leitfähige Basisschicht umfasst, die ein leitfähiges Basisschichtmaterial aufweist; und wobei das leitfähige Basisschichtmaterial sektional in einer Versteifungssektion ein Kohlenstoff-Material umfasst, so dass eine Kohlenstoff-Konzentration des Kohlenstoff-Materials im leitfähigen Basisschichtmaterial wenigstens 1014 Teilchen pro cm3 beträgt und wenigstens um einen Faktor von 103 höher ist als im leitfähigen Basisschichtmaterial angrenzend an die Versteifungssektion; wobei die Versteifungssektion ein integraler Bestandteil der leitfähigen Basisschicht ist, so dass die Versteifungssektion dieselbe Dicke aufweist wie die leitfähige Basisschicht angrenzend an die Versteifungssektion innerhalb eines Toleranzbereichs, so dass eine relative Dickenvariation kleiner ist, als 10%.

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