-
公开(公告)号：DE102020113646A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：DE102020113646
申请日：2020-05-20
Applicant: INTEL CORP
Inventor： HECK JOHN , FRISH HAREL , KAU DERCHANG , DENNISON CHARLES , RONG HAISHENG , DRISCOLL JEFFREY , DOYLEND JONATHAN K , GHIURCAN GEORGE A , FAVARO MICHAEL
Abstract: Ausführungsformen enthalten Einrichtungen, Verfahren und Systeme, die eine Halbleiterphotonikvorrichtung enthalten, die ein Substrat, einen Wellenleiter, der oberhalb des Substrats angeordnet ist, eine Phasenänderungsschicht, die oberhalb des Wellenleiters angeordnet ist, und ein Heizelement, das oberhalb der Phasenänderungsschicht angeordnet ist, aufweist. Der Wellenleiter weist einen Brechungsindex auf, der basierend wenigstens teilweise auf einem Zustand eines Phasenänderungsmaterials, das in der Phasenänderungsschicht enthalten ist, modifiziert werden kann. Das Phasenänderungsmaterial der Phasenänderungsschicht ist in einem ersten Zustand aus einer Menge von Zuständen, und der Wellenleiter weist einen ersten Brechungsindex auf, der basierend auf dem ersten Zustand des Phasenänderungsmaterials bestimmt ist. Das Heizelement dient zum Erzeugen von Wärme, um das Phasenänderungsmaterial in einen zweiten Zustand aus der Menge von Zuständen zu transformieren, und der Wellenleiter weist einen zweiten Brechungsindex auf, der basierend auf dem zweiten Zustand des Phasenänderungsmaterials bestimmt ist. Andere Ausführungsformen können ebenfalls beschrieben und beansprucht sein.
-
公开(公告)号：DE112017004324T5
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：DE112017004324
申请日：2017-07-28
Applicant: INTEL CORP
Inventor： KIM WOOSUNG , HECK JOHN , RONG HAISHENG , DRISCOLL JEFFREY B , NGUYEN KIMCHAU N
Abstract: Vorrichtungen, Verfahren und Speichermedien, die einem optischen Iso-Modulator zugeordnet sind, sind hierin offenbart. In Ausführungsformen kann eine Vorrichtung einen optischen Wellenleiter enthalten, der auf einer oder mehreren Schichten, wie etwa einer Isolationsschicht und einer Handhabungsschicht, ausgebildet ist. Ein Modulatortreiber kann mit einer ersten Seite der einen oder der mehreren Schichten gekoppelt sein. Ein magnetooptisches (MO) Die kann mit einer zweiten Seite der einen oder der mehreren Schichten, die der ersten Seite gegenüberliegt, gekoppelt sein. Andere Ausführungsformen können offenbart und/oder beansprucht werden.
-
公开(公告)号：GB2527440B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：GB201515760
申请日：2012-03-17
Applicant: INTEL CORP
Inventor： HECK JOHN , BAR HANAN , JONES RICHARD , PARK HYUNDAI
Abstract: Described herein is a hybrid III-V Silicon laser comprising a first semiconductor region including layers of semiconductor materials from group III, group IV, or group V semiconductor to form an active region; and a second semiconductor region having a silicon waveguide and bonded to the first semiconductor region via direct bonding at room temperature of a layer of the first semiconductor region to a layer of the second semiconductor region.
-
公开(公告)号：GB2512522A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：GB201411009
申请日：2011-12-23
Applicant: INTEL CORP
Inventor： HECK JOHN , JONES RICHARD , RONG HAISHENG
IPC: G01C19/5684
Abstract: A system having an optomechanical gyroscope device. An optomechanical disk acts as an optical ring resonator and a mechanical disk resonator. A drive laser generates an optical drive signal. A drive channel acts as a waveguide for the optical drive signal and includes drive electrodes in a first proximity with respect to the optomechanical disk. The drive electrodes to excite the ring by evanescent coupling. A drive photodetector is configured to receive an output optical signal from the drive channel. A sense laser generates a optical sense signal. A sense channel acts as a waveguide for the optical sense signal and includes sense electrodes in a second proximity with respect to the optomechanical disk. A sense photdetector is configured to receive an output optical signal from the sense channel.
-
公开(公告)号：DE112011106020T5
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：DE112011106020
申请日：2011-12-23
Applicant: INTEL CORP
Inventor： HECK JOHN , RONG HAISHENG , JONES RICHARD
IPC: G01C19/66 , G01C19/5719 , G01C19/72
Abstract: Ein System mit einem optomechanischen Gyroskop-Gerät. Eine optomechanische Scheibe agiert als ein optischer Ringresonator und ein mechanischer Scheibenresonator. Ein Drivelaser generiert ein optisches Drivesignal. Ein Drivekanal agiert als ein Wellenleiter für das optische Drivesignal und schließt Driveelektroden in einer ersten Nähe in Bezug auf die optomechanische Scheibe ein. Die Driveelektroden, erregen den Ring durch evaneszente Kopplung. Ein Drivefotodetektor ist konfiguriert, ein optisches Ausgangssignal vom Drivekanal zu empfangen. Ein Abtastleser generiert ein optisches Abtastsignal. Ein Abtastkanal agiert als ein Wellenleiter für das optische Abtastsignal und schließt Abtastelektroden in einer zweiten Nähe in Bezug auf die optomechanische Scheibe ein. Ein Abtastfotodetektor ist konfiguriert, ein optisches Ausgangssignal vom Abtastkanal zu empfangen.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：GB2502473A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：GB201314802
申请日：2012-03-17
Applicant: INTEL CORP
Inventor： HECK JOHN , BAR HANAN , JONES RICHARD , PARK HYUNDAI
IPC: H01S5/02
Abstract: Described herein is a hybrid III-V Silicon laser comprising a first semiconductor region including layers of semiconductor materials from group III, group IV, or group V semiconductor to form an active region; and a second semiconductor region having a silicon waveguide and bonded to the first semiconductor region via direct bonding at room temperature of a layer of the first semiconductor region to a layer of the second semiconductor region.
-
公开(公告)号：MY138751A
公开(公告)日：2009-07-31
申请号：MYPI20030546
申请日：2003-02-18
Applicant: INTEL CORP
Inventor： MA QING , RAO VALLURI , HECK JOHN , WONG DANIEL , BERRY MICHELE
Abstract: A MEMS DEVICE (14) MAY BE FORMED IN A HERMETIC CAVITY (42) BY SEALING A PAIR OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES (22. 32) TO ONE ANOTHER, ENCLOSING THE MEMS DEVICE (12). THE TWO STRUCTURES (22. 32) MAY BE COUPLED USING SURFACE MOUNT TECHNIQUES AS ONE EXAMPLE. SO THAT THE TEMPERATURES UTILIZED MAY BE COMPATIBLE WITH MANY MEMS APPLICATIONS. ELECTRICAL INTERCONNECTION LAYERS (40) IN ONE OR THE OTHER OF THESE STRUCTURES MAY BE UTILIZED TO ALLOW ELECTRICAL INTERCONNECTIONS FROM THE EXTERIOR WORLD TO THE MEMS COMPONENTS (14) WITHIN THE CAVITY (42).
-
公开(公告)号：DE60318283T2
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：DE60318283
申请日：2003-07-24
Applicant: INTEL CORP
Inventor： WANG LI-PENG , BAR-SADEH EYAL , RAO VALLURI , HECK JOHN , MA QING , TRAN QUAN , TALALYEVSKY ALEXANDER , GINSBURG EYAL
Abstract: A film bulk acoustic resonator filter (10) may be formed with a plurality of interconnected series and shunt film bulk acoustic resonators (38) formed on the same membrane (35). Each of the film bulk acoustic resonators (38) may be formed from a common lower conductive layer which is defined to form the bottom electrode (32) of each film bulk acoustic resonator (38). A common top conductive layer may be defined to form each top electrode (36) of each film bulk acoustic resonator (38). A common piezoelectric film layer (34), that may or may not be patterned, forms a continuous or discontinuous film.
-
公开(公告)号：HK1060660A1
公开(公告)日：2004-08-13
申请号：HK04103550
申请日：2004-05-19
Applicant: INTEL CORP
Inventor： WANG LI-PENG , BAR-SADEH EYAL , RAO VALLURI , HECK JOHN , MA QING , TRAN QUAN , TALALYEVSKIY ALEXANDER , GINSBURG EYAL
Abstract: A film bulk acoustic resonator filter (10) may be formed with a plurality of interconnected series and shunt film bulk acoustic resonators (38) formed on the same membrane (35). Each of the film bulk acoustic resonators (38) may be formed from a common lower conductive layer which is defined to form the bottom electrode (32) of each film bulk acoustic resonator (38). A common top conductive layer may be defined to form each top electrode (36) of each film bulk acoustic resonator (38). A common piezoelectric film layer (34), that may or may not be patterned, forms a continuous or discontinuous film.
-
公开(公告)号：AU2003298535A8
公开(公告)日：2004-05-04
申请号：AU2003298535
申请日：2003-08-01
Applicant: INTEL CORP
Inventor： TRAN QUAN , GINSBURG EYAL , RAO VALLURI , WANG LI-PENG , TALALYEVSKY ALEXANDER , MA QING , BAR-SADEH EYAL , HECK JOHN
Abstract: A film bulk acoustic resonator filter (10) may be formed with a plurality of interconnected series and shunt film bulk acoustic resonators (38) formed on the same membrane (35). Each of the film bulk acoustic resonators (38) may be formed from a common lower conductive layer which is defined to form the bottom electrode (32) of each film bulk acoustic resonator (38). A common top conductive layer may be defined to form each top electrode (36) of each film bulk acoustic resonator (38). A common piezoelectric film layer (34), that may or may not be patterned, forms a continuous or discontinuous film.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.022 seconds)
