公开(公告)号：DE102017116279A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017116279

申请日：2017-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  F21K9/64 ,  F21K9/90 ,  F21V9/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Konversionselementen (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen eines ersten Trägers (1),B) Aufbringen eines ersten Elements (2) auf den ersten Träger (1) mittels einer ersten Aufbringtechnik (3), wobei das erste Element (2) ein Konversionsmaterial (21) aufweist,C) Aufbringen eines zweiten Elements (4) mittels Formpressen (5) auf den ersten Träger (1), wobei das zweite Element (4) Quantenpunkte (6) aufweist, wobei die Quantenpunkte (6) in einem Matrixmaterial (7) eingebracht und verschieden von dem Konversionsmaterial (21) sind, wobei sich die erste Aufbringtechnik (3) von dem Formpressen (5) unterscheidet,D) Härten des aus Schritt B) erzeugten Matrixmaterials (7),E) gegebenenfalls Umordnen der nach Schritt D) erzeugten Anordnung auf einen zweiten Träger (8), undF) Vereinzeln (9), so dass eine Vielzahl von Konversionselementen (100) erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102016118030A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118030

申请日：2016-09-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/10 ,  F21V8/00 ,  H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) mit einer Halbleiterschichtanordnung (3) mit einer aktiven Zone (2) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, mit einer Schicht (7), die auf einer Oberseite (6) der Halbleiterschichtanordnung (3) angeordnet ist, wobei die Schicht (7) transparent ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung über seitliche Flächen (9, 10, 11, 12) und über eine zweite Oberseite (33) abzugeben, wobei auf der zweiten Oberseite (33) eine metallische Reflexionsschicht (8) angeordnet ist, wobei die Reflexionsschicht (8) ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung in die Schicht (7) zurück zu reflektieren.

公开(公告)号：DE102015121074A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102015121074

申请日：2015-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RACZ DAVID ,  STREPPEL ULRICH ,  PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip, der ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet ist, wobei wenigstens über einer Abstrahlseite des Halbleiterchips eine Konverterschicht angeordnet ist, wobei die Konverterschicht ausgebildet ist, wenigstens einen Teil der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung in der Wellenlänge zu verschieben, wobei auf der Konverterschicht eine Lichtleiterschicht angeordnet ist, wobei auf der Lichtleiterschicht eine erste Schicht angeordnet ist, wobei die Lichtleiterschicht die Strahlung in seitlicher Richtung weg vom Halbleiterchip führt.

公开(公告)号：DE102015112757A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102015112757

申请日：2015-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  STOLL ION ,  WITTMANN MICHAEL

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/04 ,  H01L23/495 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens, zum Bereitstellen eines Stabilisierungsrahmens, zum Anordnen des Stabilisierungsrahmens auf dem Leiterrahmen und zum Einbetten des Leiterrahmens und des Stabilisierungsrahmens in einen Formkörper.

公开(公告)号：DE102015106865A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102015106865

申请日：2015-05-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  BURGER MARKUS ,  SPATH GÜNTER

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend den folgenden Schritt: Bilden eines Schichtenstapels aufweisend eine spritzgegossene oder extrudierte Konversionsschicht und eine spritzgegossene oder extrudierte Diffusorschicht. Die Erfindung betrifft ferner ein Konverterbauteil sowie eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.

公开(公告)号：DE102014112706A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：DE102014112706

申请日：2014-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, aufweisend einen Leiterrahmen, einen mit dem Leiterrahmen verbundenen Formkörper mit einer Ausnehmung und einen in der Ausnehmung des Formkörpers auf dem Leiterrahmen angeordneten Halbleiterchip. Der Leiterrahmen weist mehrere Strukturelemente zum Bewirken einer Verankerung zwischen dem Leiterrahmen und dem Formkörper auf. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements.

公开(公告)号：DE102013104776A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102013104776

申请日：2013-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  BRANDL MARTIN ,  BURGER MARKUS ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements angegeben, bei dem eine Wellenlängenkonversionsschicht bereitgestellt, ihre Oberfläche mit einem Plasma behandelt und die Wellenlängenkonversionsschicht gestanzt wird. Weiterhin werden eine Wellenlängenkonversionsschicht und ein optoelektronische Bauelement mit einer Wellenlängenkonversionsschicht angegeben.

公开(公告)号：DE102013207226A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：DE102013207226

申请日：2013-04-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Schichtelements (100, 101), welches auf wenigstens einem optoeelektronischen Halbleiterchip (170) anordbar ist. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats (130, 140, 131), und ein Ausbilden einer Schichtanordnung auf dem Substrat (130, 140, 131), aufweisend eine elektrophoretisch abgeschiedene Schicht (110) und eine auf der elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht (110) angeordnete Vergussschicht (120). Die elektrophoretisch abgeschiedene Schicht (110) wird durch Durchführen wenigstens eines elektrophoretischen Abscheideprozesses auf dem Substrat (130, 140, 131) ausgebildet. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Strukturieren der Schichtanordnung zum Bilden des Schichtelements (100, 101). Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, und ein auf einem optoelektronischen Halbleiterchip anordbares Schichtelement.

公开(公告)号：DE102012109905A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012109905

申请日：2012-10-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  BOS MARKUS ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  BRUNNER HERBERT ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), – Aufbringen einer Vielzahl von Anordnungen (20) von elektrisch leitenden ersten Kontaktelementen (21) und zweiten Kontaktelementen (22) auf dem Hilfsträger (1), – Aufbringen jeweils eines optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf dem zweiten Kontaktelement (22) jeder Anordnung (20), – elektrisch leitendes Verbinden der optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit den ersten Kontaktelementen (21) der jeweiligen Anordnung (20), – Umhüllen der ersten Kontaktelemente (21) und der zweiten Kontaktelemente (22) mit einem Umhüllungsmaterial (4), und – Vereinzeln in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, wobei – das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (21b) eines jeden ersten Kontaktelements (21) abschließt, und – das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (22b) eines jeden zweiten Kontaktelements (22) abschließt.

公开(公告)号：DE102012109156A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012109156

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/48

Abstract: Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen (408), umfassend: – Fixieren eines gestanzten Leiterrahmens (102) in einem Formwerkzeug (116), wobei der gestanzte Leiterrahmen (102) eine Mehrzahl von Anschlussflächen (106), die zum Anschluss von mindestens einem elektronischen Bauelement (402) ausgebildet sind, und eine Mehrzahl von Verbindungsstrukturen (108) aufweist, wobei die Verbindungsstrukturen (108) mehrere Anschlussflächen (106) miteinander mechanisch verbinden, – Fixieren eines Dichtrahmens (104) in dem Formwerkzeug (116), wobei der Dichtrahmen (104) den gestanzten Leiterrahmen (102) ganz umläuft, und – Anbringen einer Formmasse (400) an den gestanzten Leiterrahmen (102) und den Dichtrahmen (104), wobei die Formmasse (400) den gestanzten Leiterrahmen (102) und den Dichtrahmen (104) mechanisch verbindet.