公开(公告)号：DE102017127721A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102017127721

申请日：2017-11-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  BÖSL FLORIAN ,  DOBNER ANDREAS ,  SPERL MATTHIAS

IPC: H01L25/075 ,  F21K9/64 ,  F21S4/24 ,  F21Y103/10 ,  F21Y109/00 ,  H01L33/50

Abstract: LED-Filament mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips, wobei die Halbleiterchips auf einer Oberseite eines strahlungsdurchlässigen Trägers angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips und eine Oberseite des Trägers wenigstens teilweise mit einer strahlungsdurchlässigen ersten Schicht bedeckt sind, wobei die erste Schicht und eine Unterseite des Trägers mit einer zweiten Schicht bedeckt sind, wobei in der zweiten Schicht Leuchtstoff vorgesehen ist, wobei der Leuchtstoff ausgebildet ist, um eine Wellenlänge der Strahlung des Halbleiterchips zu verschieben, wobei in der ersten Schicht kein Leuchtstoff oder Leuchtstoff mit weniger als 50 % der Konzentration des Leuchtstoffes der zweiten Schicht vorgesehen ist.

公开(公告)号：DE102011116752A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：DE102011116752

申请日：2011-10-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  CUI HAILING ,  KRAEUTER GERTRUD ,  SCHNEIDER MARKUS

IPC: H01L33/50

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2). Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ein Konversionselement (3), das dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer vom Halbleiterchip (2) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Konversionselement (3) weist mindestens einen Leuchtstoff und Streupartikel auf sowie zumindest ein Matrixmaterial. Die Streupartikel sind in das Matrixmaterial eingebettet. Ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und einem Material der Streupartikel beträgt bei einer Temperatur von 300 K höchstens 0,15. Der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Material der Streupartikel ist bei einer Temperatur von 380 K größer als bei einer Temperatur von 300 K.

公开(公告)号：CA2771388A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：CA2771388

申请日：2010-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM AG

Inventor： BAUMANN FRANK ,  BOENISCH NORBERT ,  FIEDLER TIM ,  JERMANN FRANK ,  LANGE STEFAN ,  WINDISCH REINER

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/77

Abstract: A conversion LED for producing white has a luminophore mixture comprising a first luminophore of the LuAGaG type and a second luminophore of the nitridosilicate type, allowing very high efficiency.

公开(公告)号：DE102008022542A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：DE102008022542

申请日：2008-05-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  WINDISCH REINER ,  WIRTH RALPH ,  ENGL KARL

IPC: H01L33/50

Abstract: The component has a LED-chip (1) including an active layer for generating of electromagnetic radiation, where the LED-chip emits primary radiation with a wave length. Conversion layers (2, 3) include conversion elements for converting portions of the primary radiation sent by the LED chip into secondary radiation, respectively. The conversion layers are arranged on portions (4, 5) of the LED-chip. A control layer is arranged on a third portion (6) of the LED-chip, for the electromagnetic radiation. A wavelength of the secondary radiation lies in a red spectral range. An independent claim is also included for a method for manufacturing a radiation-emitting component.

公开(公告)号：DE102007055177A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：DE102007055177

申请日：2007-11-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  WINDISCH REINER

IPC: H01L33/00

Abstract: The diode has a semiconductor layer sequence (5) with an active area (18) on a semiconductor body (10), where the active area is suitably embedded in a wave guide (20, 22) for delivery of light. The active area is surrounded by an upper covering layer (24) and a lower covering layer (16) facing a substrate. The upper covering layer is attached on the semiconductor body in a bar shaped manner. Mesa flanks are attached to longitudinal ends of the bar shaped semiconductor body and are designed as diagonal, total reflecting mirrors. The mesa flanks are passivated with silicon-nitride or oxide. An independent claim is also included for a method for manufacturing a luminescence diode.

公开(公告)号：DE102004037020A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：DE102004037020

申请日：2004-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  STAUS PETER ,  JAEGER ARNDT

IPC: G01J1/42 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/103

Abstract: Radiation (8) detector works according to preset spectal sensitivity distribution with maximum at preset wavelength. It contains semiconductor body (1) with active region (5) for detector signal generation and radiation reception.Active region contains several functional layers (4a-d) with different band gaps and/or thicknesses. They absorb radiation in wavelength range, containing wavelength greater than preset wavelength. Preferably preset spectral sensitivity distribution is that of human eye.

公开(公告)号：DE10306779A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE10306779

申请日：2003-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZULL HERIBERT ,  WIRTH RALPH ,  WINDISCH REINER

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L33/22 ,  B81C1/00 ,  H01L33/00

公开(公告)号：EP2980864B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP15185721

申请日：2008-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/10 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00