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    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    光电子半导体元件

    公开(公告)号：WO2012038483A2

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：PCT/EP2011066458

    申请日：2011-09-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHNEIDER MARKUS ,  RAMCHEN JOHANN ,  WITTMANN MICHAEL

    Inventor： SCHNEIDER MARKUS ,  RAMCHEN JOHANN ,  WITTMANN MICHAEL

    IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

    Abstract: An optoelectronic semiconductor device is provided, comprising - a substrate (1), which has an upper side (11) and, opposite from the upper side (11), an underside (12); - at least one radiation-emitting semiconductor component (2) which is arranged on the upper side (11) and has a radiation-exiting area (6), through which at least part of the electromagnetic radiation of the semiconductor component (2) generated during the operation of the semiconductor component (2) leaves, and - a radiation-absorbing layer (3), which is designed to absorb ambient light impinging on the device (100) in such a way that an outer surface (101) of the device (100) that is facing away from the substrate (1) appears black, at least in certain places, wherein - the radiation-absorbing layer (3) completely encloses the radiation-emitting semiconductor component (2) in the lateral direction (L) and is in direct contact, at least in certain places, with side faces (23) of the radiation-emitting semiconductor component (2), and - the radiation-exiting area (6) is free from the radiation-absorbing layer (3).

    Abstract translation: 一种光电子半导体元件被指定，包括具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）的支撑件（1）; - 至少一个在顶部（11），其设置（2），其具有辐射出射表面（6），通过该产生的电磁辐射的至少所述半导体元件的操作的一个部分发射辐射的半导体元件（3）离开所述半导体部件（2），以及 - 一个辐射吸收层 （3），其适于将所述部件，以吸收（100）入射的环境光，使得（1）的面向载体离部件（100）的外表面（101）出现在至少在某些地方，黑，其特征在于， - 所述辐射吸收层（3 ）发射辐射的半导体部件（2）（在横向方向L）被完全包围和（侧至少发射辐射的半导体部件（2）的面23）的地方是在直接接触，以及 - 所述辐射出射面（6）是自由的辐射吸收层（3）是 ，

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Blitzlicht
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Blitzlicht 未知

    公开(公告)号：DE102014112681A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：DE102014112681

    申请日：2014-09-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL ION ,  RACZ DAVID ,  SCHNEIDER MARKUS

    IPC: H01L25/075 ,  G03B15/03 ,  H01L33/50 ,  H05B44/00

    Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens vier verschiedene Lichtquellen (11, 12, 13, 14) mit je einem optoelektronischen Halbleiterchip (10). Im Betrieb emittieren die Lichtquellen (11, 12, 13, 14) eine Strahlung mit voneinander verschiedenen Farborten (A, B, C, D) in der CIE-Normfarbtafel. Zumindest zwei der Farborte (A, B, C, D) liegen in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt auf einer gemeinsamen Isothermen (I) oder auf einer gemeinsamen Verlängerungsgeraden (E), die eine Isotherme (I) verlängert. Die Farborte (A, B, C, D) liegen dann mit einer Toleranz von höchstens einer Drei-Schritte-MacAdam-Ellipse auf der Isothermen (I) oder der Verlängerungsgeraden (E). Das Halbleiterbauteil (10) ist außerdem dazu eingerichtet, im Betrieb weißes Licht zu emittieren, wobei eine Farbtemperatur des weißen Lichts veränderbar und durchstimmbar ist.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004047059A1

    公开(公告)日：2006-04-20

    申请号：DE102004047059

    申请日：2004-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ARNDT KARLHEINZ ,  LIM HUEY LING ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG ,  SCHNEIDER MARKUS

    IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L33/00

    Abstract: Disclosed is a leadframe for at least one electronic component, comprising at least two electrical lead elements, each of which comprises at least one electrical lead tab and at least one retention tab. Provided between the at least one retention tab and the lead element is a score defining a parallel offset between the retention tab and the adjacent region of the lead element. An additional parallel offset is defined between the lead element and the electrical lead tab, such that the retention tab and the electrical lead tab are located in a common plane. The score enables the retention tab to be removed easily without the need for a disadvantageous punched gap between the lead element and the retention tab.

    Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
    6.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe 未知

    公开(公告)号：DE102013207308B4

    公开(公告)日：2023-01-12

    申请号：DE102013207308

    申请日：2013-04-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHNEIDER MARKUS

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe (12), bei dem- ein optoelektronisches Bauelement (16) auf einem Träger (14) angeordnet wird und elektrische Anschlüsse des optoelektronischen Bauelements (16) mit dazu korrespondierenden elektrischen Kontakten des Trägers (14) elektrisch gekoppelt werden,- auf einer von dem Träger (14) abgewandten ersten Seite des optoelektronischen Bauelements (16) ein Dummy-Körper (20) angeordnet wird,- auf dem Träger (14) ein Vergussmaterial (22) angeordnet wird, das zumindest teilweise das optoelektronische Bauelement (16) und zumindest teilweise den Dummy-Körper (20) umgibt,- der Dummy-Körper (20), nachdem das Vergussmaterial (22) formfest ist, entfernt wird, wodurch eine Ausnehmung (23) entsteht, die zumindest teilweise von dem formfesten Vergussmaterial (22) umgeben ist,- ein optisch funktionelles Material (24) in die Ausnehmung (23) gefüllt wird.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streumittel
    7.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streumittel 未知

    公开(公告)号：DE102011116752A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：DE102011116752

    申请日：2011-10-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WINDISCH REINER ,  CUI HAILING ,  KRAEUTER GERTRUD ,  SCHNEIDER MARKUS

    IPC: H01L33/50

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2). Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ein Konversionselement (3), das dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer vom Halbleiterchip (2) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Konversionselement (3) weist mindestens einen Leuchtstoff und Streupartikel auf sowie zumindest ein Matrixmaterial. Die Streupartikel sind in das Matrixmaterial eingebettet. Ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und einem Material der Streupartikel beträgt bei einer Temperatur von 300 K höchstens 0,15. Der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Material der Streupartikel ist bei einer Temperatur von 380 K größer als bei einer Temperatur von 300 K.

    Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
    9.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe 未知

    公开(公告)号：DE102013207308A1

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：DE102013207308

    申请日：2013-04-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHNEIDER MARKUS

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L31/18 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe (12) bereitgestellt, bei dem ein optoelektronisches Bauelement (16) auf einem Träger (14) angeordnet wird. Elektrische Anschlüsse des optoelektronischen Bauelements (16) werden mit dazu korrespondierenden elektrischen Kontakten des Trägers (14) elektrisch gekoppelt. Auf einer von dem Träger (14) abgewandten ersten Seite des optoelektronischen Bauelements (16) wird ein Dummy-Körper (20) angeordnet. Auf dem Träger (14) wird ein Vergussmaterial (22) angeordnet, das zumindest teilweise das optoelektronische Bauelement (16) und zumindest teilweise den Dummy-Körper (20) umgibt. Der Dummy-Körper (20) wird, nachdem das Vergussmaterial (22) formfest ist, entfernt, wodurch eine Ausnehmung (23) entsteht, die zumindest teilweise von dem formfesten Vergussmaterial (22) umgeben ist. Ein optisch funktionelles Material (24) wird in die Ausnehmung (23) gefüllt.

    Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln mindestens einer vorbestimmten Eigenschaft eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements
    10.
    发明专利
    Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln mindestens einer vorbestimmten Eigenschaft eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102012109135A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012109135

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHNEIDER MARKUS

    IPC: G01J1/16 ,  G01J3/46 ,  H01L21/66

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ermitteln mindestens einer vorbestimmten Eigenschaft eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements (16) bereitgestellt. Die Vorrichtung weist einen Hohlkörper (12), einen Referenzsensor (24) und mehrere erste Sensorelemente (20) auf. Der Hohlkörper (12) weist eine Einkoppelausnehmung (14) zum Einkoppeln der elektromagnetischen Strahlung, eine Referenzausnehmung (22), die der Einkoppelausnehmung (14) gegenüber liegt, zum Erfassen eines Referenzwertes einer Messgröße der elektromagnetischen Strahlung und mehrere erste Sensorausnehmungen (18), die in einer ersten Ebene (28) liegen und deren erste Abstände zu der Einkoppelausnehmung (14) alle gleich groß sind, zum Erfassen entsprechend mehrerer erster Messwerte der Messgröße der elektromagnetischen Strahlung auf. Der Hohlkörper (12) weist an seiner Innenseite (29) außerhalb der Ausnehmungen (14, 18, 22) ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Material auf. Der Referenzsensor (24) ist so bei der Referenzausnehmung (22) angeordnet, dass mit seiner Hilfe der Referenzwert der Messgröße der elektromagnetischen Strahlung in dem Hohlkörper (12) erfassbar ist. Mehrere erste Sensorelemente (20) sind so bei den ersten Sensorausnehmungen (18) angeordnet, dass mittels der ersten Sensorelemente (20) die ersten Messwerte der Messgröße der elektromagnetischen Strahlung in dem Hohlkörper (12) erfassbar sind.

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