公开(公告)号：KR1020170011573A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150104400

申请日：2015-07-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조용훈 ,  조종회 ,  김제형

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/308 ,  H01J9/025 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/54

Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明中，本发明涉及一种电子发射器，包括在其中形成在纳米结构的半导体晶片，更具体地，至少包括电子发射体，它们的制造和这种方法的发光器件的一部分。 本发明可以提供大面积电子发射体，可以通过电子注入方法驱动，并且可以提供具有提高的发光效率的发光器件。

公开(公告)号：KR1020070054028A

公开(公告)日：2007-05-28

申请号：KR1020050111982

申请日：2005-11-22

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 박형빈 ,  손승현 ,  장상훈 ,  김기영 ,  김성수 ,  이호년

IPC: H01J11/34

CPC classification number: H01J61/305 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J17/066 ,  H01J17/492

Abstract: 본 발명은 그 구조가 간단하고 간단한 제조공정으로 용이하게 제조될 수 있는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 소정의 간격을 두고 이격되며 서로 마주보는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판 및 상기 제2기판과 함께 발광셀을 한정하는 격벽과, 상기 발광셀 내에 배치되는 애노드전극과, 상기 제1기판 및 상기 제2기판 중 어느 하나의 안쪽 면에 배치되는 도전성 실리콘층과, 적어도 일부가 상기 도전성 실리콘층에 배치되는 산화된 다공성 실리콘층과, 상기 발광셀 내에 배치되는 형광체층과, 상기 발광셀 내에 있는 가스를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020060122868A

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1020067010086

申请日：2004-11-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 남바,아끼히꼬 ,  니시바야시,요시끼 ,  이마이,다까히로

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01J1/308

Abstract: There is provided a diamond n-type semiconductor whose carrier concentration change amount is sufficiently reduced in a wide temperature range. The diamond n-type semiconductor includes a diamond substrate and a diamond semiconductor formed on the main surface of the diamond substrate and judged to be n-type. The diamond semiconductor has a carrier concentration (electron concentration) temperature dependency showing a negative correlation and a hole coefficient temperature dependency showing a positive correlation at a part of the temperature range where it is judged to be n-type. The diamond n-type semiconductor having such characteristics can be obtained, for example, by forming a diamond semiconductor doped with a plenty of donor element while introducing impurities other than the donor element into the diamond substrate.

Abstract translation: 提供了在宽温度范围内载流子浓度变化量充分降低的金刚石n型半导体。 金刚石n型半导体包括形成在金刚石基板的主表面上的金刚石基底和金刚石半导体，并被判定为n型。 金刚石半导体具有显示负相关性的载流子浓度（电子浓度）温度依赖性和在判断为n型的温度范围的一部分呈现正相关性的空穴系数温度依赖性。 具有这种特性的金刚石n型半导体可以例如通过形成掺杂有大量施主元素的金刚石半导体，同时将施主元素以外的杂质引入到金刚石基底中来获得。

公开(公告)号：KR1020000068845A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1019997003671

申请日：1998-08-25

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 아키야마고지 ,  구로카와히데오

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2329/00

Abstract: 전자를방출하는이미터부를구비한전자방출소자(100)에있어서, 상기이미터부가적어도제1 도전성전극(102)상에제1 반도체층(103), 제2 반도체층(104), 절연체층(105) 및제2 도전성전극(106)이순차적층된구조를갖으며, 상기제1 및제2 반도체층이탄소, 실리콘, 게르마늄중의적어도 1종류이상을주성분으로하며, 동시에제1 반도체층이탄소원자, 산소원자, 질소원자중의상기주성분과는다른 1종류이상을함유한다.

公开(公告)号：JP5818937B2

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：JP2014082607

申请日：2014-04-14

Applicant: ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

Inventor： 柳 鵬 ,  李 徳杰 ,  張 春海 ,  周 段亮 ,  杜 秉初 ,  ▲ハン▼ 守善

IPC: H01J31/12 ,  H01J1/312

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01B1/04 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J29/18 ,  H01J31/12 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484

公开(公告)号：JP2015034969A

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：JP2014093415

申请日：2014-04-30

Applicant: 株式会社リコー ,  Ricoh Co Ltd

Inventor： SATORI SATOMI ,  OTANI SHINJI

IPC: G03G15/02

CPC classification number: G03G15/02 ,  G03G15/0291 ,  G03G21/18 ,  H01J1/308 ,  H01J3/021 ,  H01T19/00

Abstract: 【課題】放電生成物が発生しないレベルでの電子放出を行ない得ることで像担持体のハザードを防止でき、電子放出材料自体の劣化の少ない、安定した品質の帯電装置を提供すること。【解決手段】画像形成装置用の帯電装置において、板状の導電性基板上に成膜されたマグネシウム・酸素同時ドープn型六方晶窒化ホウ素薄膜により形成された電子放出手段を備えており、前記マグネシウム・酸素同時ドープn型六方晶窒化ホウ素が、酸素濃度がマグネシウム濃度を超えるようにドープされたマグネシウム・酸素同時ドープn型六方晶窒化ホウ素薄膜であることを特徴とする帯電装置。【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以不产生放电产物的水平进行电子发射的充电装置，以防止图像载体的危害，减少电子发射材料的劣化，并稳定电子的质量 发光元件。解决方案：用于图像形成装置的充电装置包括由沉积在板状导电基板上的镁 - 氧同时掺杂的n型六方晶氮化硼薄膜形成的电子发射装置，其中镁 - 氧同时掺杂 n型六方晶碳纳米管薄膜具有镁 - 氧同时掺杂n型六方晶系杂质氮掺杂，使氧浓度超过镁浓度。

公开(公告)号：JP2005523563A

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：JP2003586903

申请日：2003-04-17

Applicant: ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

Inventor： シュット，デイビッド，エム ,  ノヴェト，トーマス

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  Y10S977/939

Abstract: 放出器（10）は、電子供給層（16）と、この電子供給層上にあり、放出領域を画定する酸化物層（15）と、放出領域内にあり、電子供給層と接触している量子ドットゼオライト放出層（14）とを含む。 量子ドットゼオライト放出層は、複数のケージを含み、このケージ内に半導体材料を保持する。

公开(公告)号：JPS59161891A

公开(公告)日：1984-09-12

申请号：JP2966384

申请日：1984-02-21

Applicant: Philips Nv

Inventor： YOAHIMU HERUMAN BORUDAA ,  ROBERUTO EDOUARUTO HORUSUTOMAN

IPC: H01S5/00 ,  H01J1/308 ,  H01S3/0959

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01S3/0959

公开(公告)号：WO2017106387A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/US2016/066729

申请日：2016-12-14

Applicant: OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： VOLKOVA, Anna ,  IVANTSOV, Vladimir ,  SYRKIN, Alexander ,  HASKELL, Benjamin ,  EL-GHOROURY, Hussein

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/15 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01J1/308 ,  C30B29/406 ,  C30B29/62 ,  C30B29/66 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/20 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544

Abstract: A method for growing on a substrate strongly aligned uniform cross-section semiconductor composite nanocolumns is disclosed. The method includes: (a) forming faceted pyramidal pits on the substrate surface; (b) initiating nucleation on the facets of the pits; and; (c) promoting the growth of nuclei toward the center of the pits where they coalesce with twinning and grow afterwards together as composite nanocolumns. Multi-quantum-well, core-shell nanocolumn heterostructures can be grown on the sidewalls of the nanocolumns. Furthermore, a continuous semiconductor epitaxial layer can be formed through the overgrowth of the nanocolumns to facilitate fabrication of high-quality planar device structures or for light emitting structures.

Abstract translation: 公开了一种用于在衬底上生长强烈排列的均匀截面半导体复合纳米柱的方法。 该方法包括：（a）在衬底表面上形成小面锥形凹坑; （b）在凹坑的小平面上开始成核; 和; （c）促进细胞核向凹坑中心的生长，在那里它们与孪生结合并随后一起成长为复合纳米柱。 多量子阱核 - 壳纳米柱异质结构可以在纳米柱的侧壁上生长。 此外，可以通过纳米柱的过度生长来形成连续的半导体外延层，以便于制造高质量的平面器件结构或用于发光结构。

公开(公告)号：WO2006061686A3

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：PCT/IB2005003668

申请日：2005-12-05

Applicant: PRINS JOHAN FRANS

Inventor： PRINS JOHAN FRANS

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/308

Abstract: A method of forming a cathodic device includes the steps of forming a p-type layer (18) and an n-type layer (20) below a surface (20) of a substrate. The material has a conduction band which is at an energy level no more than 0.5 electron-Volts (eV) below the lowest vacuum energy level. The layers are formed so that they are in contact, with the p-type layer located between the surface and the n-type layer, and so that they form a p-n junction. The thickness of the p-type layer is somewhat less than the average distance which an electron injected into the p-type layer travels by diffusion and the thickness of the negatively charged depletion layer in the p-type layer is such that the difference between the thickness of the p-type layer and the thickness of the negatively charged depletion layer in the p-type layer is substantially less than the said average distance.

Abstract translation: 形成阴极器件的方法包括以下步骤：在衬底的表面（20）下方形成p型层（18）和n型层（20）。 该材料具有低于最低真空能级的能级不超过0.5电子伏特（eV）的导带。 这些层被形成为使得它们接触，p型层位于表面和n型层之间，并且使得它们形成p-n结。 p型层的厚度略小于注入到p型层的电子通过扩散行进的平均距离，并且p型层中的带负电荷的耗尽层的厚度使得p型层之间的差异 p型层的厚度和p型层中的带负电荷的耗尽层的厚度基本上小于所述平均距离。