公开(公告)号：KR1020170034334A

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020160116660

申请日：2016-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1633 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238

Abstract: 유기에칭가스, 예를들면메탄가스, CF계가스, 메틸기를포함하는카르본산계가스, 및알코올계가스로부터선택되는 1 종또는 2 종이상의유기에칭가스를사용하는드라이에칭처리에의해형성된구리배선을가지는기판으로부터, 기판의표면에부착되는, 드라이에칭처리에서발생한유기에칭가스유래의유기폴리머를제거할수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)에있어서, 제 1 처리부(4)는, 과산화수소를포함하는약액및 극성유기용매를포함하는약액으로부터선택되는제 1 세정액(L1)을공급하는제 1 세정액공급부(43a)를구비하고, 기판(W1)에대하여제 1 세정액공급부(43a)에의해제 1 세정액(L1)을공급한다.

Abstract translation: 有机蚀刻气体，例如甲烷气体，CF类气体，含有碳酸甲基酸系气体，并且单独或通过使用有机蚀刻气体在第二构件上的干法蚀刻工艺形成的基于醇的气体铜从布线所选 从具有基片，其目的在于提供一种能够除去有机蚀刻气体的有机聚合物发生导致干法蚀刻工艺，其被附接至所述基板的所述表面的基板处理装置。 在基板处理装置1中，第一处理单元4，用于供给第1清洗液（L1）的第一清洗液供给部（43A）从含有药物的溶液和含有过氧化氢的极性有机溶剂的药物溶液中选择 并且将第一清洁液体L1供应至第一清洁液体供应部分43a至基板W1。

公开(公告)号：KR1020160102896A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：KR1020160019200

申请日：2016-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와이카즈토시 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C25D3/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판상의촉매흡착층과배리어메탈도금층의밀착성을향상시킨다. 기판(2)에촉매용액을공급하여기판(2) 상에촉매금속을포함하는촉매흡착층(22)을형성하고, 이촉매흡착층(22) 상에촉매금속을촉매로서도금처리를실시하여, 촉매금속과상이한접합금속을포함하는접합금속층(22A)을형성한다. 접합금속층(22A) 상에접합금속을촉매로서도금처리를실시하여, 배리어메탈도금층(23)을형성한다.

Abstract translation: 可以提高催化剂吸附层与基板上的阻挡金属镀层的接触。 通过向基板（2）供给催化剂溶液，在基板（2）上形成包含催化剂金属的催化剂吸附层（22）。 通过使用催化剂金属作为催化剂，通过对催化剂吸附层（22）进行电镀处理，形成包含与催化剂金属不同的结合金属的接合金属层（22A）。 通过使用接合金属作为催化剂，在接合金属层（22A）上进行电镀处理，形成阻挡金属镀层（23）。 因此，阻挡层不与催化剂吸附层分离。

公开(公告)号：KR1020160102895A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：KR1020160019192

申请日：2016-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와이카즈토시 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L21/76874 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/38 ,  C23C18/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판의오목부에잔류물을남기지않고, 또한기판표면에흡착된촉매를기판에고착시킨다. 촉매층형성방법은오목부(2a)를가지는기판(2)에촉매용액(32)을공급하여기판표면및 오목부내면에촉매(22A)를흡착시켜촉매층(22)을형성하는공정과, 기판(2) 표면및 오목부(2a) 내를린스액으로린스하는공정과, 기판(2) 표면및 오목부(2a) 내를건조시키는공정을구비한다. 기판(2)에고착제를포함하는고착제용액(34)을공급하여, 기판(2) 표면의촉매(22A)를고착제(22B)에의해기판(2)에고착시킨다.

Abstract translation: 吸附在基板的表面上的催化剂固定在基板上，而不会在基板的凹部中留下残留物。 催化剂层形成方法包括：通过将催化剂溶液（32）供应到基材（2），通过在基材的表面上吸附催化剂（22A）并在凹部的内表面上形成催化剂层（22） 具有凹部（2a）; 用冲洗溶液冲洗基片（2）的表面和凹部（2a）的内表面; 并干燥基板（2）的表面和凹部（2a）的内表面。 通过固定剂溶液（34）将基板（2）的表面上的催化剂（22A）固定在基板（2）上，由固定剂（22B）固定在基板（2）上。

公开(公告)号：KR1020160070078A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020167009846

申请日：2014-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  미즈타니노부타카 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C18/18 ,  C23C18/32

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/768

Abstract: 기판의오목부내에금속배선층을형성할수 있고, 오목부내의금속배선층은오목부외방에형성되지않는다. 금속배선층형성방법은, 기판(2)의오목부(3)의저면(3a)에마련된텅스텐층(W) 상에 Pd로이루어지는촉매층(5)을형성하고, 또한오목부(3)의절연층의표면(3b)에는촉매층(5)을형성하지않는공정과, 오목부(3)의촉매층(5) 상에 Ni계금속배선층(7)을형성하는공정을구비하고있다.

Abstract translation: 金属布线层可以形成在基板的凹部内，同时抑制金属布线层在凹部的外侧形成。 金属布线层形成方法包括在基板2的凹部3的底面3a上的钨层W上形成由Pd形成的催化剂层5，而不在凹部的绝缘层的表面3b上形成催化剂层5 3; 并在凹部3的催化剂层5上形成Ni基金属布线层7。

公开(公告)号：KR1020140138714A

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：KR1020147025422

申请日：2013-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  타나까타카시 ,  이나토미유이치로 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C28/02 ,  C23C14/24 ,  C23C16/44 ,  C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76867 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1694 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/38 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있는 도금 처리 방법을 제공한다. 기판에 대하여 도금 처리를 실시하는 도금 처리 방법은, 기판(2)에 대하여 진공 증착 처리를 실시하여 기판(2) 상에 진공 증착 처리층(2A)을 형성하는 공정과, 기판(2)의 진공 증착 처리층(2A) 상에 밀착층(21) 및 촉매 흡착층(22)을 순차 형성하는 공정과, 기판(2)의 촉매 흡착층(22) 상에 배리어막으로서 기능하는 제 1 도금층(23a)과, 제 2 도금층(23b)을 가지는 도금층 적층체(23)를 형성하는 공정을 구비하고 있다. 진공 증착 처리층(2A)에 의해 기판(2) 표면을 원활화시킬 수 있어, 진공 증착 처리층(2A)은 밀착성을 높이는 하지층으로서 기능한다.

公开(公告)号：KR1020140033136A

公开(公告)日：2014-03-17

申请号：KR1020137033423

申请日：2012-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/31

CPC classification number: B05C5/001 ,  B05D1/02 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168

Abstract: 기판의 표면 전역에 걸쳐 균일하게 도금 처리를 실시하는 도금 처리 장치를 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 보지하여 회전시키는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판 회전 보지 기구(110)에 보지된 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 토출 기구(21)와, 토출 기구(21)로 도금액을 공급하는 도금액 공급 기구(30)와, 기판 회전 보지 기구(110) 및 도금액 공급 기구(30)를 제어하는 제어 기구(160)를 구비하고 있다. 토출 기구(21)는, 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 토출구(41)를 포함하는 제 1 노즐(40)과, 제 1 노즐(40)의 토출구보다 기판(2)의 중심부에 근접하도록 위치할 수 있는 토출구(46)를 포함하는 제 2 노즐(45)을 가지고 있다. 또한 도금액 공급 기구(30)는, 제 1 노즐(40)로 공급되는 도금액의 온도가 제 2 노즐(45)로 공급되는 도금액의 온도보다 높게 되도록 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020140031329A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：KR1020137033986

申请日：2012-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/16

CPC classification number: C23C18/163 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1655 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1675 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  H05K3/187 ,  H05K2203/0165 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/075

Abstract: 기판의 표면 전역에 걸쳐 균일하게 도금 처리를 실시하는 도금 처리 장치를 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 보지하여 회전시키는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판 회전 보지 기구(110)에 보지된 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 토출 기구(21)와, 기판 회전 보지 기구(110) 및 토출 기구(21)를 제어하는 제어 기구(160)를 구비하고 있다. 토출 기구(21)는, 기판(2)의 반경 방향을 따라 배열된 복수의 토출구(41)를 포함하는, 또는 기판(2)의 반경 방향을 따라 연장되는 토출구(42)를 포함하는 제 1 노즐(40)과, 제 1 노즐(40)의 토출구보다 기판(2)의 중심부에 근접하도록 위치할 수 있는 토출구(46)를 포함하는 제 2 노즐(45)을 가지고 있다.

公开(公告)号：KR1020130000340A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020120066003

申请日：2012-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  우에무라료우이치 ,  요시하라고우스케 ,  가사이시게루 ,  다노우치게이지 ,  무라마츠마코토 ,  이와시타미츠아키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B3/0033 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3247

Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus and a heat treating method are provided to rapidly heat a substrate by using a light emitting diode as a heating source. CONSTITUTION: A substrate(W) is horizontally supported. The substrate is heated by a heating source using a light emitting diode. Radiation light having the light emitting diode is irradiated on a substrate material. An arrangement plate(2) faces the heating source while the light emitting diode is in off state. A cooling part cools the substrate by using the arrangement plate. [Reference numerals] (a) Incoming; (A3,A2,A1) Cooling water OFF; (b) Transmitting; (BB) Cooling water ON; (c) Heating; (C1,C2,C3,C4) Elevating pin; (d) Cooling; (D1,D2) Arrangement plate; (E1,E2,E3,E4) LED module; (FF) Cooling water

Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置和热处理方法，通过使用发光二极管作为加热源来快速加热基板。 构成：水平支撑衬底（W）。 基板通过使用发光二极管的加热源加热。 具有发光二极管的放射线照射在基板材料上。 当发光二极管处于关闭状态时，布置板（2）面向加热源。 冷却部使用排列板冷却基板。 （附图标记）（a）传入; （A3，A2，A1）冷却水关闭; （b）传送; （BB）冷却水打开; （c）加热; （C1，C2，C3，C4）升降销; （d）冷却; （D1，D2）排列板; （E1，E2，E3，E4）LED模块; （FF）冷却水

公开(公告)号：KR1020120080172A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：KR1020127006391

申请日：2010-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  G03F7/405 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/0273

Abstract: A developing treatment method includes: a treatment solution supplying step of supplying a treatment solution made by diluting a hydrophobizing agent hydrophobizing a resist pattern with hydrofluoroether onto a substrate on which a rinse solution has been supplied after development of the resist pattern; a hydrophobic treatment stabilizing step of stabilizing a hydrophobic treatment of the resist pattern with the supply of the treatment solution stopped and rotation of the substrate almost stopped; and a treatment solution removing step of removing the treatment solution from a top of the substrate on which the treatment solution has been supplied. The hydrophobizing agent is trimethylsilyldimethyl-amine.

公开(公告)号：KR101123705B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020090023061

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라켄이치 ,  이와시타미츠아키 ,  타나까타카시 ,  토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: C23C18/54 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께를 가지는 도금 처리막을 형성하는 것이다. 이 반도체 장치의 제조 장치는, 기판을 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와, 기판 상의 피처리면에 도금 처리를 실시하기 위한 처리액을 공급하는 노즐과, 유지 기구에 유지된 기판을 피처리면에 따른 방향으로 회전시키는 기판 회전 기구와, 유지 기구에 유지된 기판 상의 피처리면과 대향하는 위치에서, 노즐을 피처리면에 따른 방향으로 이동시키는 노즐 이동 기구와, 노즐에 의한 처리액의 공급 및 노즐 이동 기구에 의한 노즐의 이동 동작을 제어하는 제어부를 구비한다.

Abstract translation: 由此在衬底表面上形成具有均匀膜厚度的镀膜。 该半导体装置的制造装置包括：保持机构，其用于可旋转地保持基板;喷嘴，其用于供给用于对基板的表面进行电镀处理的处理液;基板，其被保持机构保持; 一种喷嘴移动机构，用于在由保持机构保持的基板上的与待处理表面相对的位置处沿着待处理表面的方向移动喷嘴; 以及用于控制喷嘴的喷嘴移动的控制单元。