公开(公告)号：KR1020160132373A

公开(公告)日：2016-11-18

申请号：KR1020167021739

申请日：2015-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  혼다마사노부

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116

Abstract: 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리공간과비처리공간으로처리용기내부를구획하는부재로서, 라디칼을투과하며또한이온을포착하는이온포착부재와, 처리공간에배치된배치대와, 비처리공간에제1 처리가스를공급하는제1 가스공급부와, 처리공간에제2 처리가스를공급하는제2 가스공급부와, 제1 처리가스를플라즈마화하는고주파전력을공급함으로써, 비처리공간에있어서라디칼및 이온을생성하는제1 고주파전원과, 제2 처리가스를플라즈마화하는고주파전력을배치대에공급함으로써, 이온포착부재에의해처리공간에투과되는라디칼과는별도로, 처리공간에있어서라디칼및 이온을생성하는제2 고주파전원과, 제2 고주파전원으로부터의고주파전력보다주파수가낮은고주파전력을배치대에공급함으로써, 처리공간에있어서생성되는이온을피처리체에인입하는제3 고주파전원을구비한다.

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置，其包括处理容器，将处理容器的内部分隔成处理空间的离子捕获部件和非处理空间以及透射自由基和捕集离子，放置台，第一气体供应单元， 首先将处理气体进入非处理空间，将第二处理气体供应到处理空间中的第二气体供应单元，提供高频功率以在非处理空间中产生自由基和离子的第一高频电源，第二 提供高频功率以在处理空间中产生自由基和离子的高频电源，以及提供比由第二高频电源提供的高频功率低的频率的高频功率的第三高频电源 将处理空间中产生的离子吸入工件。

公开(公告)号：KR1020140090162A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：KR1020147010840

申请日：2012-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 중앙부와 둘레가장자리부에서 에칭 형상을 균일화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 챔버와, 그 챔버 내에 설치되어 피처리 웨이퍼가 배치되는 척과, 상기 척의 둘레가장자리부에 상기 웨이퍼의 배치 위치를 둘러싸도록 배치된 포커스 링과, 상기 웨이퍼의 직경 방향의 위치에 따라서 상이한 종류의 가스를 공급할 수 있는 가스 공급 기구를 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용하여 상기 웨이퍼를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 제조 방법으로서, 유기막이 형성된 웨이퍼를 상기 척 상에 배치하고, 상기 처리 가스 공급 기구로부터, 상기 웨이퍼의 유기막을 에칭하는 에칭 가스를 상기 웨이퍼의 중앙부에 도입하며, 상기 처리 가스 공급 기구로부터, 상기 에칭 가스와 반응하는 성질을 갖는 에칭 저해 인자 가스를 상기 웨이퍼의 둘레가장자리부에 도입하고, 상기 에칭 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 것을 특징으로 한� ��.

公开(公告)号：KR1020140068004A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147001328

申请日：2012-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

Abstract: 플라즈마화된 처리 가스에 의해 기판을 에칭하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 기판을 유지하는 유지부와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 상기 유지부와 대향하는 전극판과, 상기 유지부와 상기 전극판의 사이에 있는 공간에 처리 가스를 공급하기 위한, 상기 기판의 지름 방향에 대하여 각각 다른 위치에 배치된 복수의 공급부와, 상기 유지부 또는 상기 전극판의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해, 상기 복수의 공급부에 의해 상기 공간에 공급된 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전원과, 상기 복수의 공급부의 각각에 대응하여, 처리 가스의 공급 조건을 조절하는 조절 수단과, 상기 기판 위에 있어서의, 플라즈마화된 처리 가스에 포함되는 활성종의 농도 분포에 대하여, 공급된 처리 가스의 확산의 영향이 공급된 처리 가스의 흐름의 영향보다 큰 위치와, 상기 공급된 처리 가스의 흐름의 영향이 상기 공급된 처리 가스의 확산의 영향보다 큰 위치에서, 상기 공급 조건을 바꾸도록 상기 조절 수단을 제어하는 제어부를 갖는 플라즈마 에칭 장치.

公开(公告)号：KR1020110131157A

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020110109965

申请日：2011-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히로유키 ,  혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  이와타마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to increase electron density on the peripheral part of a mounted wafer by concentrically emitting a secondary electron from a second electron emission side towards the peripheral part of the mounted wafer. CONSTITUTION: A process chamber(11) accepts a substrate(W). A shower head(30) is placed in the ceiling portion of the process chamber. A susceptor(12) is arranged within the process chamber. A electrostatic chuck(24) has an electrostatic plate(23) inside and is placed on the susceptor. A exhaust passage(13) serves as a passage which discharges a gas in a process space from the process chamber. An exhaust plate(14) captures the plasma generated in a reaction chamber(15) and prevents the plasma form being leaked to a discharging chamber(16).

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于通过从第二电子发射侧向安装的晶片的周边部分同时发射二次电子来增加安装晶片的周边部分上的电子密度。 构成：处理室（11）接受基底（W）。 淋浴头（30）放置在处理室的顶部。 基座（12）布置在处理室内。 静电吸盘（24）内部具有静电板（23）并放置在基座上。 排气通道（13）用作从处理室排出处理空间中的气体的通道。 排气板（14）捕获在反应室（15）中产生的等离子体，并防止等离子体形式泄漏到排放室（16）。

公开(公告)号：KR101088969B1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020090026118

申请日：2009-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  나카야마히로유키 ,  이와타마나부 ,  사토마나부 ,  나리시게가즈키

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 피처리 기판상의 전자 밀도 혹은 프로세스 특성의 분포 특성을 용이하고 또한 자유롭게 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치, 특히 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치 및 이것을 사용하는 플라즈마 에칭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 용량 결합형 플라즈마 처리 장치는 상부 전극을 직경 방향에서 내측 상부 전극(60)과 외측 상부 전극(62)으로 2분할하고, 2개의 가변 직류 전원(80, 82)으로부터 독립된 제 1 및 제 2 직류 전압 V
C , V
E 를 양 상부 전극(60, 62)에 동시에 인가하도록 하고 있다. 이들 2개의 직류 전압 V
C , V
E 의 조합을 적절히 선택하는 것에 의해, 각종 어플리케이션(application)에 있어서 플라즈마 프로세스나 에칭 특성의 균일성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100131355A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020100048567

申请日：2010-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method is provided to prevent the use of unnecessary processing gas by controlling the supplying amount of a hydrogen gas according to the change of an opening part width. CONSTITUTION: An amorphous carbon film(51) is formed on the surface of a silicon based material(50). An SiON film(52) is formed on the amorphous carbon film. An anti-reflective film(53) is formed on the SiON film. A photo-resist film(54) is formed on the anti-reflective film using a spin coater. ArF excimer laser is radiated to the photo-resist film to be alkaline soluble. A strong alkaline development solution is added to the photo-resist film in order to eliminate alkaline soluble photo-resist film part. A photo-resist film including opening parts are obtained.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法，以根据开口部宽度的变化来控制氢气供给量来防止不必要的处理气体的使用。 构成：在硅基材料（50）的表面上形成无定形碳膜（51）。 在无定形碳膜上形成SiON膜（52）。 在SiON膜上形成抗反射膜（53）。 使用旋转涂布机在抗反射膜上形成光致抗蚀剂膜（54）。 将ArF准分子激光器照射到光致抗蚀剂膜上以变成碱溶性。 为了消除碱溶性光致抗蚀剂膜部分，向光致抗蚀剂膜中加入强碱性显影液。 得到包含开口部的光致抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR100996790B1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：KR1020080021959

申请日：2008-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834

Abstract: (과제) 수용실 내를 흐르는 직류 전류의 값의 저하를 장시간에 걸쳐 억제할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼 W를 수용하여 에칭 처리를 실시하는 수용실(11)과, 수용실(11) 내의 처리 공간 PS에 고주파 전력을 공급하는 서셉터(12)와, 처리 공간 PS에 직류 전압을 인가하는 상부 전극판(39)과, 배기 유로(18)에 마련되는 접지 링(45)과, 처리 공간 PS나 배기 유로(18)를 배기하는 배기 장치를 구비하고, 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 배기 유로(18)에 있어서, 배기의 흐름에 따라, 그 배기의 흐름 및 접지 링(45)의 사이에 개재되어, 접지 링(45)과의 사이에 단면이 긴 형상의 홈 형상 공간(47)을 형성하도록 배치되는 차폐 부재(46)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090104772A

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：KR1020090027704

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야마히로유키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A plasma etching method and a computer readable storage medium are provided to select and control an anisotropy shape in anisotropy etching. CONSTITUTION: A plasma etching method and a computer readable storage medium are comprised of the steps: arranging first electrode(12) and a second electrode(60) in parallel within a processing container(10) which is vacuumable; preparing a member within the processing container and facing the member with a first electrode, and then supporting a target substrate with a second electrode; performing the processing container through vacuum exhaustion by a certain pressure; and supplying an etching gas to a process space between the first electrode and the second electrode.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质，以选择和控制各向异性蚀刻中的各向异性形状。 构成：等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质包括以下步骤：将第一电极（12）和第二电极（60）平行放置在可抽真空的处理容器（10）内; 在处理容器内准备一个构件并与第一电极对置，然后用第二电极支撑目标衬底; 通过一定压力的真空耗尽来执行处理容器; 以及向第一电极和第二电极之间的处理空间提供蚀刻气体。

公开(公告)号：KR1020080088395A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：KR1020080021959

申请日：2008-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834

Abstract: A plasma processing device is provided to suppress degradation of a DC current flowing in an accommodation chamber for a long time. An accommodation chamber performs plasma processing by accommodating a substrate. A radio frequency electrode supplies radio frequency power into the accommodation chamber. A DC electrode applies a DC voltage into the accommodation chamber. A ground electrode of the applied DC voltage is prepared in the accommodation chamber. An exhaust device exhausts the accommodation chamber. A shielding member(46) is intervened between air flow and the ground electrode, and forms a groove type space(47) with the ground electrode, according to the air flow.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于长时间抑制在容纳室中流动的直流电流的劣化。 容纳室通过容纳基板进行等离子体处理。 射频电极向收容室提供射频电力。 DC电极将DC电压施加到容纳室。 在容纳室中准备施加的直流电压的接地电极。 排气装置排气容纳室。 屏蔽构件（46）介于空气流和接地电极之间，并根据空气流与接地电极形成凹槽型空间（47）。

公开(公告)号：KR100857955B1

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：KR1020070027578

申请日：2007-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠이유타카 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

Abstract: 전기적으로 절연되어 있는 전극으로부터 폴리머를 제거할 수 있는 플라즈마 처리 장치. 플라즈마 처리 장치의 서셉터는, 처리 공간을 갖는 기판 처리실 내에 배치된다. 고주파 전원이 서셉터에 접속되어 있다. 상부 전극판은, 기판 처리실의 벽부나 서셉터로부터 전기적으로 절연된다. 이 상부 전극판에는 직류 전원이 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치의 제어부는, 실행하는 RIE 처리의 처리 조건에 따라 상부 전극판에 인가하는 부의 직류 전압의 값을 결정한다.