公开(公告)号：KR101124505B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020050131879

申请日：2005-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박성호 ,  이명재 ,  구준모 ,  서범석

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/30 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 유기금속 화학증착법에 의해 450℃ 이하의 저온에서 카본파이버를 성장시킬 수 있는 카본파이버의 저온성장 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 카본파이버의 제조방법은, 반응챔버 내에 기판을 장착한 후, 상기 기판을 가열하여 200℃ 내지 450℃ 온도범위로 유지하는 단계, 니켈(Ni) 원소를 포함하는 유기금속 화합물을 준비하는 단계, 상기 유기금속 화합물을 기화시켜 유기금속 화합물 증기를 제조하는 단계, 상기 반응챔버 내에 상기 유기금속 화합물 증기와 오존(O
3 )을 포함하는 반응가스를 공급하여 이들을 화학반응시킴으로써, 상기 기판 상에 카본파이버를 성장시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110050351A

公开(公告)日：2011-05-13

申请号：KR1020100083681

申请日：2010-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  이하라히사노리 ,  박윤동 ,  오훈상 ,  최상준 ,  배형진 ,  윤태응 ,  홍성권

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14689

Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to improve the transfer speed of signal charge by forming a transfer transistor to have a surface channel, a side channel, and a buried channel. CONSTITUTION: In an image sensor, a deep well is provided in a semiconductor substrate(10). An element isolation region(15) includes an element isolation film made of an insulating material and also includes an element isolation impurity region. A photoelectric conversion unit is provided in the active region of the semiconductor substrate. A first photoelectric conversion unit(23) includes a first N-type impurity area(22). A second photoelectric conversion unit includes a second N-type impurity region(25).

Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器，通过形成具有表面通道，侧通道和埋入通道的转移晶体管来提高信号电荷的传输速度。 构成：在图像传感器中，在半导体衬底（10）中提供深阱。 元件隔离区域（15）包括由绝缘材料制成的元件隔离膜，并且还包括元件隔离杂质区域。 在半导体基板的有源区域设置有光电转换单元。 第一光电转换单元（23）包括第一N型杂质区（22）。 第二光电转换单元包括第二N型杂质区（25）。

公开(公告)号：KR1020110043867A

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：KR1020090100581

申请日：2009-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  구준모 ,  문창록 ,  박윤동 ,  배대록 ,  안정착 ,  홍성권 ,  김석필 ,  오훈상

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14641 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: PURPOSE: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to obtain high performance and reduce the height of a structure by using a copper wire with low resistance. CONSTITUTION: A driving device is arranged on a first substrate. A first silicon oxide layer is formed on the first substrate and covers the driving device. A photoelectric conversion device is arranged on a second substrate(200a). A second silicon oxide layer covers the photoelectric conversion device and the surface of the second silicon oxide layer is bonded with the upper side of the first silicon oxide layer. A connection unit passes through the second substrate, the second silicon oxide layer, and the silicon oxide layer. An anti-reflection layer(238) is formed on the second surface of the second substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器及其制造方法，以通过使用具有低电阻的铜线来获得高性能并降低结构的高度。 构成：驱动装置布置在第一基板上。 第一氧化硅层形成在第一基板上并覆盖驱动装置。 光电转换装置设置在第二基板（200a）上。 第二氧化硅层覆盖光电转换元件，第二氧化硅层的表面与第一氧化硅层的上侧接合。 连接单元通过第二基板，第二氧化硅层和氧化硅层。 在第二基板的第二表面上形成防反射层（238）。

公开(公告)号：KR1020100053205A

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：KR1020080112221

申请日：2008-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김덕기 ,  구준모 ,  박주철 ,  나경원 ,  서동석 ,  서범석 ,  박윤동

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/62

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666 ,  H01L23/5252

Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device is provided to increase the stability of a data storage layer by forming a reaction preventive layer between the data story layer and electrodes. CONSTITUTION: At least one vertical electrode(20) is arranged to cross at least one horizontal electrode(10). At least one data storage layer(30) is interposed in the area where the vertical electrode and the horizontal electrode cross each other. The data storage layer stores changes in resistance. At least one reaction preventive layer(40) is interposed in the area where the vertical electrode and the horizontal electrode cross each other. The reaction preventive layer includes a first reaction preventive layer(40a) and a second reaction preventive layer(40b). The first reaction preventive layer is interposed between the horizontal electrode and the data storage layer. The second reaction preventive layer is interposed between the vertical electrode and the data storage layer.

Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件，通过在数据故事层和电极之间形成反应预防层来提高数据存储层的稳定性。 构成：至少一个垂直电极（20）布置成与至少一个水平电极（10）交叉。 在垂直电极和水平电极彼此交叉的区域中插入至少一个数据存储层（30）。 数据存储层存储电阻变化。 在垂直电极和水平电极交叉的区域中插入至少一个反应防止层（40）。 反应防止层包括第一防反应层（40a）和第二防反应层（40b）。 第一反应防止层介于水平电极和数据存储层之间。 第二反应防止层介于垂直电极和数据存储层之间。

公开(公告)号：KR1020090048877A

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020070114958

申请日：2007-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원주 ,  박윤동 ,  구준모 ,  김석필 ,  윤태응 ,  이태희

IPC: G11C16/00

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C2213/71

Abstract: 고집적화된 3차원 적층 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 신뢰성 있는 동작 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 적층된 복수의 반도체층들을 포함한다. 복수의 낸드 스트링들은 상기 복수의 반도체층들 상에 각각 형성되고, 낸드-구조로 배치된 복수의 메모리셀들 및 하나 이상의 스트링 선택 트랜지스터를 각각 포함한다. 공통 비트 라인은 상기 복수의 메모리셀들 일측의 상기 복수의 낸드 스트링들에 공유로 연결된다. 공통 소오스 라인은 상기 복수의 메모리셀들 타측의 상기 복수의 낸드 스트링들에 공유로 연결된다. 복수의 스트링 선택 라인은 상기 공통 비트 라인으로 인가된 신호가 상기 복수의 낸드 스트링들에 선택적으로 인가되도록 상기 복수의 낸드 스트링들 각각의 상기 하나 이상의 스트링 선택 트랜지스터에 각각 결합된다.

公开(公告)号：KR1020080069866A

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：KR1020070007642

申请日：2007-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원주 ,  박윤동 ,  구준모 ,  김석필 ,  이태희

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11206

Abstract: A nonvolatile memory device and methods for operating and fabricating the same are provided to deposit oxide based compound semiconductor layers so as to increase an integration degree of the device with a multiple structure and to divide/operate blocks simultaneously. A nonvolatile memory device(100) comprises at least one oxide based compound semiconductor layer(110), a plurality of assistant gate electrodes(130), a plurality of control gate electrodes(155), and a plurality of charge storage layers(145). The assistant gate electrodes are insulated from the oxide based compound semiconductor layer. The control gate electrodes are insulated from the oxide based compound semiconductor layer. The charge storage layers are placed between the oxide based compound semiconductor layers and the control gate electrodes respectively. A device isolation layer(120) is placed between the oxide based compound semiconductor layers. A substrate electrode(105) is contacted with lower parts of the oxide based compound semiconductor layers.

Abstract translation: 提供非易失性存储器件及其操作和制造方法以沉积氧化物基化合物半导体层，以增加具有多重结构的器件的集成度并同时分割/操作块。 非易失性存储器件（100）包括至少一个基于氧化物的化合物半导体层（110），多个辅助栅电极（130），多个控制栅电极（155）和多个电荷存储层（145） 。 辅助栅电极与氧化物基化合物半导体层绝缘。 控制栅电极与氧化物基化合物半导体层绝缘。 电荷存储层分别置于氧化物基化合物半导体层和控制栅电极之间。 在氧化物基化合物半导体层之间放置器件隔离层（120）。 基板电极（105）与氧化物基化合物半导体层的下部接触。

公开(公告)号：KR100773564B1

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：KR1020060113041

申请日：2006-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  박윤동 ,  김원주 ,  김석필 ,  현재웅 ,  이정훈

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 읽기 동작의 장애를 줄이고, 단채널 효과를 개선시킬 수 있는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 몸체 및 한 쌍의 핀들을 포함하는 반도체 기판을 포함한다. 브릿지 절연막은 한 쌍의 핀들 사이에 보이드를 한정하도록 한 쌍의 핀들의 상단 부근을 연결한다. 제어 게이트 전극은 보이드 반대편의 한 쌍의 핀들의 외측면의 일부분 상을 덮고 브릿지 절연막 상을 가로질러 신장하고, 반도체 기판과 절연된다. 게이트 절연막들은 제어 게이트 전극 및 한 쌍의 핀들 사이에 각각 개재된다. 스토리지 노드막들은 게이트 절연막 및 제어 게이트 전극 사이에 각각 개재된다.

公开(公告)号：KR100718137B1

公开(公告)日：2007-05-14

申请号：KR1020050082439

申请日：2005-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신상민 ,  박영수 ,  구준모 ,  배병재 ,  송이헌 ,  김석필

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 3차원 강유전체 커패시터와 이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자와 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 트랜치형 하부전극과, 상기 하부전극 둘레에 형성된 층간 절연층, 예컨대 SiO2층과, 상기 층간 절연층 상에 형성된 확산 방지막과, 상기 하부전극 및 상기 확산 방지막 상에 형성된 강유전층(PZT층) 및 상기 강유전층 상에 형성된 상부전극을 포함하고, 상기 확산 방지막은 Pb를 포함하지 않는 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 절연막인 것을 특징으로 하는 강유전체 커패시터와 이를 포함하는 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100685175B1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020050093498

申请日：2005-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  김태규 ,  이진성 ,  정창훈

IPC: G03F7/16

Abstract: A photoresist coating apparatus and a coating method of a photoresist using the same are provided to decrease generation of edge beads even without reducing the speed of photoresist coating process by supplying solvent having high boiling point or surfactant into an edge part of wafer. The photoresist coating apparatus includes: wafer substate(511) for supporting a wafer(512); a photoresist nozzle(520) for feeding a photoresist solution(513) to the wafer(512); and at least one HBP(high boiling point) solvent nozzle(530) for feeding to an edge of the wafer(512), a HBP solvent(531) having a boiling point above that of a solvent contained in the photoresist solution, or a surfactant nozzle for feeding a surfactant to a surface of the photoresist solution fed onto the edge of wafer(512).

Abstract translation: 提供一种光致抗蚀剂涂覆设备和使用该涂覆设备的光致抗蚀剂涂覆方法，以通过向晶片的边缘部分供应具有高沸点或表面活性剂的溶剂来减少光致抗蚀剂涂覆工艺的速度，从而减少边缘珠粒的产生。 光刻胶涂布设备包括：用于支撑晶片（512）的晶片子状件（511）; 光致抗蚀剂喷嘴（520），用于将光致抗蚀剂溶液（513）输送到晶片（512）; 和用于供给晶片（512）的边缘的至少一个HBP（高沸点）溶剂喷嘴（530），沸点高于光刻胶溶液中所含溶剂的HBP溶剂（531），或者 表面活性剂喷嘴，用于将表面活性剂供给到供应到晶片（512）的边缘上的光致抗蚀剂溶液的表面。

公开(公告)号：KR1020060081889A

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020050002332

申请日：2005-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모

IPC: H04N5/232

CPC classification number: H04N5/2253 ,  H04N5/2254

Abstract: 본 발명은 카메라 렌즈 모듈에서 이미지 센서의 비수평상태의 영상 신호를 감지하여 선택적으로 수평상태로 보정할 수 있도록 구성한 카메라 렌즈 모듈의 수평 보정 장치에 관한 것으로, 이를 위해 카메라 렌즈와 조리개를 거처 피사체의 상을 이미지 센서인 촬상 소자가 받아 들이고, 이를 신호화 하여 영상 신호 처리 장치로 인가하여 저장하는 카메라 렌즈 모듈을 구비된 전자기기에 있어서, 상기 영상 신호 처리 장치의 신호를 센서부에 인가하고, 상기 센서부에 의해 상기 영상 신호의 비수평상태를 감지함과 아울러 이를 신호화하여 마이컴에 인가하고, 상기 마이컴에서는 비수평율이 기설정된 기준값보다 클 경우 영상 신호를 수평 보정하는 수평 보정 장치부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하며, 이에 따라. 카메라 렌즈 모듈의 사용을 향상시킬 수 있고, 카메라 렌즈 모듈에서 선택적으로 비수평 상태를 보정할 수 있도록 구성함으로써, 사용자의 의도적으로 비수평 영상 상태로 입력가능하거나 비수평 영상 상태에서 보정하여 수평 상태로 입력할 수 있고, 이로인해 사용자의 사용 편의성을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
카메라 렌즈 모듈, 이미지 센서, 수평 보정 장치부, 가속도 센서부.