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公开(公告)号：KR1020170124967A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020170054935
申请日：2017-04-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B23K10/02 , B23K9/32 , B23K31/02 , B32B9/04 , B23K103/18
Abstract: 본발명은플라즈마프레스장치및 이를접합방법에관한것으로, 플라즈마를 발생한상태에서접합되는두 기재를가압하면서접합하여종래보다현저하게향상된접합력을제공하며, 별도의가열공정없이도접합이가능하여접합하는기재에열손상을방지할수 있는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明是一种等离子体加压装置，并且它涉及接合，通过焊接，同时按下两个基板中引起的等离子体提供了比用于结合的常规基材显著提高接合强度，能够通过，而不需要加入单独的加热工序中的状态下被接合的方法 从而防止热损伤。
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公开(公告)号：KR1020170104063A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020160026131
申请日：2016-03-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은스퍼터링증착장치에관한것으로서, 본발명에따른스퍼터링증착장치는피증착기판과타겟이서로대향하도록내부에배치되며스퍼터링반응공간을제공하는챔버, 피증착기판과타겟사이의일영역에제 1 가스를이용하여플라즈마를발생시키는제 1 플라즈마발생부및 피증착기판과타겟사이의다른일 영역에제 2 가스를이용하여플라즈마를발생시키는제 2 플라즈마발생부를포함하는것을.특징으로한다.
Abstract translation: 溅射成膜装置及溅射成膜装置技术领域本发明涉及一种溅射成膜装置及溅射成膜装置，其包括：配置在被成膜基板的内部的相对的室，并且设置溅射反应空间; 以及第二等离子体发生器，用于通过在要被气相沉积的衬底和目标之间的另一区域中使用第二气体来产生等离子体。
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公开(公告)号：KR1020170048183A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020160136383
申请日：2016-10-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 본발명은고가의장비를사용하지않고, 상온에서대기압하에서기판표면의성질을개질하여특정한영역에패터닝이가능한패터닝방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种图案化方法，其能够通过在室温下在大气压力下改变基板表面的性质而不使用昂贵的设备来图案化特定区域。
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公开(公告)号：KR1020160133610A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066162
申请日：2015-05-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은하이브리드투명전극및 이를포함하는디스플레이소자에관한것으로, 상기하이브리드투명전극은투명기판및 상기투명기판에임베디드된금속나노와이어또는금속나노메쉬를포함하는금속나노구조체를포함하는제1전극층; 및전도성 2차원물질을포함하는제2전극층을포함하고, 상기금속나노구조체의일부가상기제2전극층에접촉하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 표면거칠기가개선되고디스플레이소자의표면으로전류의스프레딩이향상되며일함수조절이가능한투명전극을제공하여디스플레이소자또는플렉서블소자에유용하게적용할수 있다.
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公开(公告)号：KR101556830B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020130143834
申请日：2013-11-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: 유도결합형플라즈마소스및 이를포함하는스퍼터링장치가개시된다. 본발명에따른유도결합형플라즈마소스는외주면에다수개의홀을가지는원통형의제1 튜브, 외주면에다수개의홀을가지며상기제1 튜브의외주면을둘러싸는원통형의제2 튜브및 상기제1 튜브에권취되는안테나를포함하며, 상기제1 튜브내부에서플라즈마를발생시키고상기제1 튜브및 제2 튜브의다수개의홀을통하여외부로방출시키는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른스퍼터링장치는상기유도결합형플라즈마소스, 스퍼터링타겟이놓여지는캐소드및 처리기판을포함하며, 상기유도결합형플라즈마소스에의하여플라즈마가발생하는영역과상기캐소드와처리기판사이의플라즈마가발생하는영역으로구분되는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101547066B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140134751
申请日：2014-10-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J37/32908 , H01J37/32009 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H05H1/24
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리시 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지하는 저손상 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 소스 전극과 스테이지 사이에 배치되며, 도전체로 형성되고, 플라즈마 처리 장치에 구비된 진공 챔버와 전기적으로 절연 상태인 제1 그리드를 포함하여 이루어짐으로써, 불순물 입자 또는 너무 높은 에너지를 가진 플라즈마 입자에 의해 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지한다.
Abstract translation: 公开了一种低损伤等离子体处理装置，其防止在等离子体工艺中对目标的损坏。 根据本发明的等离子体处理装置包括：第一栅极，其布置在源电极和台之间并且由导体制成并且与等离子体处理装置中的真空室电绝缘。 因此，防止了由于杂质颗粒或具有非常高能量的等离子体颗粒而导致的目标物的损伤。
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公开(公告)号：KR1020150059993A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130143834
申请日：2013-11-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3471
Abstract: 유도결합형플라즈마소스및 이를포함하는스퍼터링장치가개시된다. 본발명에따른유도결합형플라즈마소스는외주면에다수개의홀을가지는원통형의제1 튜브, 외주면에다수개의홀을가지며상기제1 튜브의외주면을둘러싸는원통형의제2 튜브및 상기제1 튜브에권취되는안테나를포함하며, 상기제1 튜브내부에서플라즈마를발생시키고상기제1 튜브및 제2 튜브의다수개의홀을통하여외부로방출시키는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른스퍼터링장치는상기유도결합형플라즈마소스, 스퍼터링타겟이놓여지는캐소드및 처리기판을포함하며, 상기유도결합형플라즈마소스에의하여플라즈마가발생하는영역과상기캐소드와처리기판사이의플라즈마가발생하는영역으로구분되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高溅射产率的电感耦合等离子体源，以及使用该等离子体源的溅射装置。 根据本发明，电感耦合等离子体源包括：圆筒形第一管，其在外圆周上具有多个孔; 圆筒状的第二管，其在外周具有多个孔，并且包围第一管的外周; 以及缠绕在第一管上的天线。 从第一管的内部产生等离子体，通过第一管和第二管上的多个孔排出到外部。 除此之外，溅射装置包括：电感耦合等离子体源; 放置溅射靶的阴极; 和处理基板。 溅射装置被分离成通过电感耦合等离子体源产生等离子体的区域，以及阴极和处理基板之间的区域以产生等离子体。
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公开(公告)号：KR1020140125121A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020130042876
申请日：2013-04-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01Q1/244 , H01Q1/366 , H05H2001/4675
Abstract: 두께 조절이 가능한 내부 삽입형 안테나 및 이를 이용한 플라즈마 발생 장치가 개시된다. 상기 내부 삽입형 안테나는 전극을 포함하는 안테나 튜브의 외주면을 감싸는 원통형의 절연체를 포함하며, 상기 플라즈마 발생 장치는 반응 챔버의 내측 상단부에 서로 평행하게 배치되는 상기 내부 삽입형 안테나를 포함하여 구성된다. 또한, 상기 내부 삽입형 안테나는 상기 안테나 튜브의 길이 방향에 따라 두께를 달리하여 생성되는 플라즈마의 밀도를 조절할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种具有可控厚度的插入式天线和使用该天线的等离子体产生装置。 插入型天线包括包围包括电极的天线管的外表面的圆柱形绝缘体。 等离子体产生装置包括布置成平行于反应室的上部内部的插入型天线。 插入型天线可以通过沿着天线管的纵向方向改变天线管的厚度来控制等离子体的密度。
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公开(公告)号：KR101382607B1
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120119378
申请日：2012-10-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01L21/67069
Abstract: Disclosed is etching equipment for a nanodevice. The etching equipment for a nanodevice comprises a main body part which includes an etching object material and etches the etching object material by using plasma which is generated by a pulse signal applied to a multi-electrode; a source power which applies each pulse signal with a different frequency to each multi-electrode; a bias power which applies the pulse signal to the etching object material; and a main control part which controls a clock signal applied to the bias power and the source power, and synchronizes the pulse signal applied to each multi-electrode with the pulse signal applied to a nanodevice substrate. [Reference numerals] (114) Gas; (120) Source power; (130) Bias power; (140) Main control part; (AA) Plasma
Abstract translation: 公开了一种纳米器件的蚀刻设备。 用于纳米器件的蚀刻设备包括：主体部分，其包括蚀刻对象材料，并且通过使用由施加到多电极的脉冲信号产生的等离子体蚀刻蚀刻对象材料; 源功率，其将每个具有不同频率的脉冲信号施加到每个多电极; 将脉冲信号施加到蚀刻对象材料的偏置功率; 以及主控制部分，其控制施加到偏置功率和源功率的时钟信号，并且将施加到每个多电极的脉冲信号与施加到纳米装置基板的脉冲信号同步。 （114）气体; （120）源功率; （130）偏压; （140）主控部分; （AA）等离子体
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公开(公告)号：KR101214758B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 본발명은식각방법에관한것이다. 본발명에의하면, RF 파워를온 주기및 오프주기를반복하고, 기재(substrate)에상기온 주기및 오프주기에대응하여각각마이너스파워주기및 플러스파워주기를반복하여상기기재상의피식각물을식각하는식각방법이제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，提供了一种蚀刻方法，用于重复RF功率的接通周期和断开周期，并且重复负载功率周期和正功率周期， 它现在可用。
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