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51.发明公开양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한ＩｎＧａＡｓ/ＧａＡｓ 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법 失效通过在量子散乱法中组合电介质覆盖层来控制INGAAS / GAAS量子能量带隙的方法
公开(公告)号：KR1020030058418A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088867
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/15
Abstract: PURPOSE: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by combination of a dielectric capping layer in a quantum dot disorder method is provided to form different band gap regions on the same InGaAs/GaAs quantum dot substrate by coating a dielectric capping layer on a quantum dot structure and performing a thermal process. CONSTITUTION: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by using a dielectric capping layer includes a dielectric combination formation process and an energy band gap formation process. The dielectric combination formation process is to form a dielectric combination on a quantum dot substrate by using SiNx and SiO2 as the dielectric capping layer. The quantum dot substrate having a different energy band gap is formed by performing a thermal process for the quantum dot substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种通过量子点无序方法中的介电覆盖层的组合来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法，通过涂覆电介质在同一InGaAs / GaAs量子点基板上形成不同的带隙区域 覆盖在量子点结构上并进行热处理。 构成：通过使用介电覆盖层来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法包括电介质组合形成工艺和能带隙形成工艺。 电介质组合形成工艺是通过使用SiN x和SiO 2作为电介质覆盖层在量子点衬底上形成电介质组合。 通过对量子点基板进行热处理，形成具有不同能带隙的量子点基板。
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公开(公告)号：KR1020020058151A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000085534
申请日：2000-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L29/7613 , H01L49/006
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a single electron tunneling transistor operated under normal temperature using focus ion beam is provided to form the single electron tunneling transistor operated under normal temperature by using a focus ion beam. CONSTITUTION: An insulating layer(20) and a conductive layer are formed on a substrate(10). The conductive layer is patterned to expose the insulating layer(20). A source electrode(30b), a drain electrode(30c), and a gate electrode(30a) are formed by patterning the conductive layer. A single electron tunnel junction(60) and a capacity junction(70) are formed by irradiating a Ga+ focus ion beam. The single electron tunnel junction(60) is formed between the source electrode(30b) and the drain electrode(30c). The capacity junction(70) is formed between the single electron tunnel junction(60) and the gate electrode(30a).
Abstract translation: 目的：提供在常温下使用聚焦离子束制造单电子隧道晶体管的方法，以形成通过使用聚焦离子束在常温下工作的单电子隧道晶体管。 构成：在基板（10）上形成绝缘层（20）和导电层。 图案化导电层以暴露绝缘层（20）。 通过图案化导电层来形成源电极（30b），漏电极（30c）和栅电极（30a）。 通过照射Ga +聚焦离子束形成单电子隧道结（60）和电容结（70）。 单电子隧道结（60）形成在源极（30b）和漏电极（30c）之间。 电容结（70）形成在单电子隧道结（60）和栅电极（30a）之间。
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公开(公告)号：KR1020020053957A
公开(公告)日：2002-07-06
申请号：KR1020000082009
申请日：2000-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265 , B82Y40/00
CPC classification number: C23C14/5833 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C14/5873 , C30B13/24 , C30B29/605 , H01L21/265 , Y10S977/949
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a nano crystal using a focused ion beam is provided to fabricate a single electron tunneling transistor(SET) operating at a room temperature, by forming the nano crystal having a size not greater than several nanometer. CONSTITUTION: A focused ion beam is radiated to several portions on a metal layer or a semiconductor layer. The metal layer or the semiconductor layer where the focused ion beam is focused is eliminated. The combination of an atom structure of the metal layer or the semiconductor layer where the focused ion beams overlap each other is broken to form the nano crystal(36a) by a radioactive effect of the focused ion beam.
Abstract translation: 目的：提供一种使用聚焦离子束制造纳米晶体的方法，通过形成尺寸不大于几纳米的纳米晶体，制造在室温下工作的单电子隧穿晶体管（SET）。 构成：聚焦离子束辐射到金属层或半导体层上的几个部分。 消除聚焦离子束聚焦的金属层或半导体层。 聚焦离子束彼此重叠的金属层或半导体层的原子结构的组合被破坏，以通过聚焦离子束的放射性效应形成纳米晶体（36a）。
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公开(公告)号：KR100277209B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990000671
申请日：1999-01-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 양자점 트랜지스터 제조방법은 양자점의 형성을 위해 식각공정을 사용하여 기판에 손상을 줌으로써, 양자점 트랜지스터의 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 양자점을 MOCVD(metalorganic chemical vapour deposition)법, MEB(molecular beam epitaxy)법 또는 LPCVD(low pressure chemical vapour deposition)법을 사용하여 자발적으로 형성시킴으로써, 기판이 손상되는 것을 방지하여 양자점 트랜지스터의 특성이 저하되는 것을 방지하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100267261B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019980037585
申请日：1998-09-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 양자구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 양자구조 형성방법은 건식식각을 사용하여 기판에 손상을 주어 광전소자의 특성을 저하시키거나, 원하는 분포 및 위치의 조절이 용이하지 않아 광전소자의 광범위한 응용이 불가능한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와; 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 성장시키는 양자구조 성장단계로 구성되어 특정한 패턴이 형성된 갈륨산화막을 성장마스크로 사용하여 양자구조가 형성될 위치와 크기를 제한하여, 양자구조의 크기 및 분포를 용이하게 조절할 수 있게 됨으로써, 광전소자로의 응용분야를 확대시키는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000050647A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990000671
申请日：1999-01-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a quantum point transistor is provided to prevent a substrate from being damaged so that the characteristic of the quantum point transistor is not deteriorated, by eliminating the need to use an etching process. CONSTITUTION: A method for manufacturing a quantum point transistor comprises the steps of: forming a quantum point to voluntarily form a plurality of quantum points on a substrate; evaporating a metal layer on the substrate having the quantum point, and patterning the metal layer by an electronic beam lithography method to form source/drain and a gate electrode, in which the source and drain are isolated a predetermined distance from a selected one of a plurality of quantum points, and are positioned at a symmetrical position with the selected quantum point as a center, while the gate electrode is isolated a predetermined distance from the quantum point.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造量子点晶体管的方法，以防止基板被损坏，从而通过消除对蚀刻工艺的需要，量子点晶体管的特性不劣化。 构成：用于制造量子点晶体管的方法包括以下步骤：形成量子点以在衬底上主动形成多个量子点; 在具有量子点的基板上蒸发金属层，并通过电子束光刻法构图金属层以形成源极/漏极和栅电极，其中源极和漏极隔离预定距离与所选择的一个 多个量子点，并且位于与所选择的量子点为中心的对称位置处，同时栅电极与量子点隔开预定距离。
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公开(公告)号：KR100242789B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970005291
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장된 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100219835B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960069421
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가긴 발광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300μm) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO
2 )이나 실리콘질화박막(Si
3 N
4 )의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 잇는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.
곁국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광건소자의 광전변판 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방진할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100185498B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960017439
申请日：1996-05-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/341 , H01S5/4043
Abstract: 본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저 발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990017045A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039811
申请日：1997-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10
-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.
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