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公开(公告)号：KR101742073B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020150169603
申请日：2015-12-01
Abstract: 저비용, 고생산성을갖는고출력고속전자소자가개시된다. 이러한전자소자는할로겐화구리반도체기반전자소자로서, 기판, 할로겐화구리채널층, 절연층, 게이트전극, 제1 n+ 할로겐화구리층, 드레인전극, 제2 n+ 할로겐화구리층및 소오스전극을포함한다. 상기할로겐화구리(CuHa) 채널층은상기기판상부에형성된다. 상기절연층은상기할로겐화구리채널층상부에형성된다. 상기게이트전극은상기절연층상부에형성된다. 상기제1 n+ 할로겐화구리층은상기게이트전극의일측에위치하도록상기할로겐화구리채널층에형성되고, n형불순물을포함한다. 상기드레인전극은상기제1 n+할로겐화구리층 상부에형성된다. 상기제2 n+ 할로겐화구리층은상기게이트전극의타측에위치하도록상기할로겐화구리채널층에형성되고, n형불순물을포함한다. 상기소오스전극은상기제2 n+ 할로겐화구리층상부에형성된다.
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公开(公告)号：KR1020150052389A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130132739
申请日：2013-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及发光器件和发光器件封装。 根据本发明的发光器件包括：支撑衬底; 形成在所述支撑基板上的第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及形成在第二导电半导体层上的晶格结构的光扩散层。
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公开(公告)号：KR1020150021620A
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130098713
申请日：2013-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/02 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1126 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/09
Abstract: 본발명의일 측면에따른광 검출기는전기전도가능한기판과, 상기기판상에형성된제1 전극과, 상기제1 전극에서이격배치된제2 전극, 및상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하며표면플라즈몬공명을갖는플라즈모닉나노구조물을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的光检测器包括：一个导电基板，一个形成在基板上的第一个电极，一个与第一个电极分开的第二个电极，和一个位于第一个电极和第二个电极之间的等离子体激元纳米结构 电极并具有表面等离子体共振。
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公开(公告)号：KR101438773B1
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020120147963
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1695 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03K19/017581 , H03K19/16
Abstract: 논리 연산과 메모리 기능을 함께 수행하면서 자기장으로 제어되는 비휘발성 가변형 논리 소자를 제공한다. 가변형 논리 소자는 i) 하나 이상의 반도체 소자, 및 ii) 반도체 소자의 양측에 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함한다. 반도체 소자는, i) 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101429118B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130012165
申请日：2013-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: According to an embodiment of the present invention, disclosed is a method for manufacturing an antireflection film using a self-assembly nanostructure, including a step for forming a first metal drop by using drop feed growth on a substrate; a step for depositing a first nonmetal onto the first metal drop; and a step for forming a first nanocompound crystal through the self-assembly of the deposited first nonmetal and first metal drop.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，公开了一种使用自组装纳米结构制造抗反射膜的方法，其包括通过在基板上使用液滴进料生长形成第一金属液滴的步骤; 用于将第一非金属沉积到所述第一金属滴上的步骤; 以及通过沉积的第一非金属和第一金属液滴的自组装形成第一纳米复合晶体的步骤。
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公开(公告)号：KR101401414B1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120000141
申请日：2012-01-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: A61N5/0622 , A61N2005/063 , A61N2005/0651 , Y10T29/49117
Abstract: 생체 자극용 탐침형 LED 칩 모듈은 LED 칩, LED 칩을 지지하는 기판, LED 칩으로부터 발광되는 광을 모으는 광도파로 및 기판과 광도파로를 결합시키며, 외부로부터 절연시키는 절연부를 포함한다. 광도파로는 LED 칩과 마주보는 일면으로부터 원통형으로 연장된 몸체부, 몸체부의 타면으로부터 지름이 점차 줄어드는 변형층 및 변형층의 단부에서 연장되며, 광섬유의 지름을 갖는 탐침부를 포함한다. 이에 따라, 소형으로 제작하여 이동성 및 활용성이 우수한 생체 자극용 탐침형 LED 칩 모듈을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101323218B1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020120081674
申请日：2012-07-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02104 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N21/00 , H01L21/02546 , H01L21/02601 , H01L21/02631 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/7613 , Y10S977/84
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure using a sacrificial etching mask is provided to prevent damage to a sample by not using an E-beam lithography apparatus. CONSTITUTION: A first semiconductor compound layer (2) and a semiconductor quantum structure layer (3) are formed on a substrate. A second semiconductor compound layer (4) and a semiconductor quantum dot layer are formed on the substrate. A thermal process is performed on the semiconductor quantum dot layer. The quantum dots of the semiconductor quantum dot layer agglomerate together due to the thermal process. An etching process is performed by using the agglomerate quantum dots as a mask.
Abstract translation: 目的：提供使用牺牲蚀刻掩模制造纳米结构的方法，以通过不使用电子束光刻设备来防止样品损坏。 构成：在基板上形成第一半导体化合物层（2）和半导体量子结构层（3）。 在基板上形成第二半导体化合物层（4）和半导体量子点层。 对半导体量子点层进行热处理。 由于热处理，半导体量子点层的量子点聚集在一起。 通过使用附聚量子点作为掩模来进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR100921693B1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020070106577
申请日：2007-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L29/205
Abstract: 본 발명은 GaAs기판, Si기판 등 경제적이고 구득이 용이한 반도체 기판상에 InAs
(1-x) Sb
x 으로 이루어진 반도체층을 형성하는 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 기판과 반도체층 사이에 양자점층을 형성하여 반도체 기판과 반도체층 간의 격자부정합에 의한 결함을 감소시킨다. 또한, 본 발명은 반도체층의 성장 속도를 향상시킬 수 있으며, 본 발명에 따라 형성된 반도체층은 상온에서 높은 전자이동도를 나타낸다. 그 결과, 반도체 소자의 생산효율 및 품질을 향상시킬 수 있다.
GaAs, InSb, 양자점, 격자부정합, 반도체, 홀 센서-
公开(公告)号：KR100874896B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄波束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激励，或者 一个微透镜。 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱活性层，核心层，上量子阱活性层和上包层。 下包层（31a）形成在板上。 下部量子阱活性层（32a）形成在下部覆盖层上。 芯层（33）形成在下量子阱有源层上。 在核心层上形成上量子阱有源层（32b）。 上部包层（31b）形成在上部量子阱活性层上。
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