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公开(公告)号：KR101540311B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020130140803
申请日：2013-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 찰코파이라이트형화합물을나노임프린트리소그래피공정을통해광결정구조로제조함으로써태양입사광의훕수를증폭시키므로우수한광전환효율을나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체페이스트또는잉크를이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을제조하여금속원료의소모를최소화함으로써공정비용을절감할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150057433A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140803
申请日：2013-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 찰코파이라이트형화합물을나노임프린트리소그래피공정을통해광결정구조로제조함으로써태양입사광의훕수를증폭시키므로우수한광전환효율을나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체페이스트또는잉크를이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을제조하여금속원료의소모를최소화함으로써공정비용을절감할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池。 本发明通过纳米压印光刻工艺制造具有光子晶体结构的黄铜矿化合物，通过增加来自太阳的入射光的吸收来获得高的光转换效率。 此外，本发明通过使用Cu，In，Ga前体浆料或油墨制造CiGS或CIS薄膜来最小化金属材料的消耗来降低加工成本。
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公开(公告)号：KR1020150052389A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130132739
申请日：2013-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及发光器件和发光器件封装。 根据本发明的发光器件包括：支撑衬底; 形成在所述支撑基板上的第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及形成在第二导电半导体层上的晶格结构的光扩散层。
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公开(公告)号：KR101505123B1
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：KR1020130072912
申请日：2013-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 나노구조체는 기판, 기판 위에 위치하는 제1 금속층, 그리고 제1 금속층 위에 위치하는 단위 구조물(unit structure)을 포함하고, 단위 구조물은 제1 금속층 위에 위치하는 제1 유전체층, 제1 유전체층 위에 위치하는 제2 금속층, 제2 금속층 위에 위치하는 제2 유전체층, 제2 유전체층 위에 위치하는 제3 금속층, 제3 금속층 위에 위치하는 제3 유전체층, 그리고 제3 유전체층 위에 위치하는 제4 금속층을 포함하고, 제1 유전체층, 제2 유전체층, 그리고 제3 유전체층은 서로 두께가 다르다.
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公开(公告)号：KR101429118B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130012165
申请日：2013-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: According to an embodiment of the present invention, disclosed is a method for manufacturing an antireflection film using a self-assembly nanostructure, including a step for forming a first metal drop by using drop feed growth on a substrate; a step for depositing a first nonmetal onto the first metal drop; and a step for forming a first nanocompound crystal through the self-assembly of the deposited first nonmetal and first metal drop.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，公开了一种使用自组装纳米结构制造抗反射膜的方法，其包括通过在基板上使用液滴进料生长形成第一金属液滴的步骤; 用于将第一非金属沉积到所述第一金属滴上的步骤; 以及通过沉积的第一非金属和第一金属液滴的自组装形成第一纳米复合晶体的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101323218B1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020120081674
申请日：2012-07-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02104 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N21/00 , H01L21/02546 , H01L21/02601 , H01L21/02631 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/7613 , Y10S977/84
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure using a sacrificial etching mask is provided to prevent damage to a sample by not using an E-beam lithography apparatus. CONSTITUTION: A first semiconductor compound layer (2) and a semiconductor quantum structure layer (3) are formed on a substrate. A second semiconductor compound layer (4) and a semiconductor quantum dot layer are formed on the substrate. A thermal process is performed on the semiconductor quantum dot layer. The quantum dots of the semiconductor quantum dot layer agglomerate together due to the thermal process. An etching process is performed by using the agglomerate quantum dots as a mask.
Abstract translation: 目的：提供使用牺牲蚀刻掩模制造纳米结构的方法，以通过不使用电子束光刻设备来防止样品损坏。 构成：在基板上形成第一半导体化合物层（2）和半导体量子结构层（3）。 在基板上形成第二半导体化合物层（4）和半导体量子点层。 对半导体量子点层进行热处理。 由于热处理，半导体量子点层的量子点聚集在一起。 通过使用附聚量子点作为掩模来进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR100874896B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄波束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激励，或者 一个微透镜。 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱活性层，核心层，上量子阱活性层和上包层。 下包层（31a）形成在板上。 下部量子阱活性层（32a）形成在下部覆盖层上。 芯层（33）形成在下量子阱有源层上。 在核心层上形成上量子阱有源层（32b）。 上部包层（31b）形成在上部量子阱活性层上。
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公开(公告)号：KR100819388B1
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020070001021
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A board spectrum light emitting device is provided to obtain lights having a broad spectrum discharged from a quantum dot and a quantum well active layer by allowing the quantum dot in an electric field reinforcing layer to absorb photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon. Core layers(33a,33b) enclose a quantum well active layer(34). Cladding layers(31a,31b,31c,31d) include electric field reinforcing layers(32a,32b) whose refractive index is higher than that of the cladding layer. The electric field reinforcing layer includes plural quantum dots(QD). The quantum well active layer discharges light of a first wavelength. The quantum dot discharges light of a second wavelength longer than the first wavelength. A band gap of the quantum dot is smaller than that of the quantum well active layer. The quantum dot in the electric field reinforcing layer absorbs photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon.
Abstract translation: 提供了一种板光谱发光器件，通过允许电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子而获得从量子点和量子阱活性层放出的光谱， 第二光子。 芯层（33a，33b）包围量子阱活性层（34）。 包覆层（31a，31b，31c，31d）包括其折射率高于包层的折射率的电场增强层（32a，32b）。 电场增强层包括多个量子点（QD）。 量子阱有源层放电第一波长的光。 量子点放电比第一波长长的第二波长的光。 量子点的带隙小于量子阱活性层的带隙。 电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子以产生第二光子。
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公开(公告)号：KR100491073B1
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020010088866
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 얇은 AlGaAs 삽입층을 이용하여 InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 관한 것으로, InGaAs 양자점 형성 후에 10 nm 이하의 두께를 갖는 삽입층을 성장시킴으로써 이루어진다. 본 발명에 따른 방사파장의 조작방법은, InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 있어서, 상기 InGaAs/GaAs 양자점을 형성하는 단계, 및 상기 InGaAs/GaAs 양자점 위에 AlGaAs 삽입층을 곧바로 성장시키는 단계를 포함한다. 상기 AlGaAs 삽입층의 유무에 따라서 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 광루미네선스의 피크 위치가 변화된다. 상기 AlGaAs 삽입층의 두께가 두꺼워짐에 따라 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 기저준위의 피크가 장파장 방향으로 이동하여 서서히 포화된다. 상기 AlGaAs 삽입층에 결함이 있으면, 상기 InGaAs/GaAs 양자점에 존재하는 긴장(strain)을 완화시킨다. 본 발명은 광통신에 많이 이용되는 1.33μm ∼ 1.55μm 대역의 통신용 레이저에 응용이 가능한 기술로써 상온에서 1.33μm의 방사파장을 볼 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR100368791B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020000005619
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气的流量比来防止量子阱衬底损坏 。 构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。 通过等离子体化学气相沉积工艺在衬底上沉积电介质覆盖层（S200）。 在预定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。 介电覆盖层被移除（S400）。 测量荧光光谱（S500）。
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